半导体装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104838497B

    公开(公告)日:2017-08-25

    申请号:CN201280077602.6

    申请日:2012-12-21

    Inventor: 广濑敏

    Abstract: 本发明涉及具备栅极区域的半导体装置以及栅极电压调整电路和所述的半导体装置的组合。根据半导体基板内部位的不同热环境等不同,在特定部位有时会产生不良状况。能够针对栅极区域(30)使两个以上的焊盘(22、26)导通,并选择要施加栅极电压的焊盘。例如,在周边部容易产生过热的情况下,向第一焊盘(22)施加导通电压,使周边部比中央部延迟导通,向第二焊盘(26)施加截止电压,使周边部比中央部提前截止。能够应对在周边部容易产生过热的问题。在流过过大电流而升温的情况下,向第二焊盘(26)施加截止电压。能够应对在流过过大电流的情况下在周边部容易升温这样的问题。

    电子设备、车载该电子设备的汽车

    公开(公告)号:CN105826284A

    公开(公告)日:2016-08-03

    申请号:CN201610051335.5

    申请日:2016-01-26

    Inventor: 广濑敏

    Abstract: 本发明提供一种电子设备,目的在于消除在对半导体装置的电极和电导体进行接合的接合层产生电迁移即EM而寿命受到限制的课题。内置有开关元件与二极管的并联电路的半导体装置的通电方向为双向,在接合层流动有正向电流的时机和在接合层流动有反向电流的时机切换。正向电流EM被反向电流EM消除,反向电流EM被正向电流EM消除。若积极地利用该现象则能够抑制EM的发展。因此,在正向电流EM过剩时,提高反向电流通电中的接合层的温度。或者通过调整发动机输出来使反向电流流动的频率增大。在反向电流EM过剩时,提高正向电流通电中的接合层的温度。或者通过调整发动机输出来使正向电流流动的频率增大。

    功率半导体元件的驱动电路

    公开(公告)号:CN101542903B

    公开(公告)日:2011-11-16

    申请号:CN200880000737.6

    申请日:2008-01-17

    Abstract: 提供一种能够抑制功率半导体元件开关时的浪涌电压并降低开关损耗的驱动电路。连接IGBT等元件(10)和与其成对的元件(20),通过驱动器(22)来驱动元件(10),并通过控制电路(24)来控制栅极电压。当关断时,通过比较器(26)检测元件(20)的电压Vak变为了预定电压,控制电路(24)将栅极电阻从小的电阻切换成大的电阻,抑制浪涌电压并降低开关损耗。当导通时,在从检测到Vak的上升开始经过了一定的时间之后,控制电路(24)将栅极电阻从大的电阻切换成小的电阻,抑制浪涌电压并降低开关损耗。

    逆变器的驱动装置
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101978587A

    公开(公告)日:2011-02-16

    申请号:CN200980109727.0

    申请日:2009-02-23

    Abstract: 一种具有半导体开关元件的逆变器的驱动装置。栅极电压算出部(20)基于逆变器的各IGBT的温度、电流、直流侧电压来算出浪涌电压,与元件耐压进行比较。栅极电压算出部(20)在元件耐压与浪涌电压的差超过了预定的阈值电压、判定为浪涌电压有余裕的情况下,对栅极电压控制部(22)发出指令来设为比通常值(基准值)高的栅极电压。栅极电压控制部22基于比基准值高的栅极电压指令对各IGBT的栅极进行开关控制,由此降低IGBT的固定损失。

    电子设备、车载该电子设备的汽车

    公开(公告)号:CN105826284B

    公开(公告)日:2018-08-31

    申请号:CN201610051335.5

    申请日:2016-01-26

    Inventor: 广濑敏

    Abstract: 本发明提供一种电子设备,目的在于消除在对半导体装置的电极和电导体进行接合的接合层产生电迁移即EM而寿命受到限制的课题。内置有开关元件与二极管的并联电路的半导体装置的通电方向为双向,在接合层流动有正向电流的时机和在接合层流动有反向电流的时机切换。正向电流EM被反向电流EM消除,反向电流EM被正向电流EM消除。若积极地利用该现象则能够抑制EM的发展。因此,在正向电流EM过剩时,提高反向电流通电中的接合层的温度。或者通过调整发动机输出来使反向电流流动的频率增大。在反向电流EM过剩时,提高正向电流通电中的接合层的温度。或者通过调整发动机输出来使正向电流流动的频率增大。

    半导体装置
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104838497A

    公开(公告)日:2015-08-12

    申请号:CN201280077602.6

    申请日:2012-12-21

    Inventor: 广濑敏

    Abstract: 本发明涉及具备栅极区域的半导体装置以及栅极电压调整电路和所述的半导体装置的组合。根据半导体基板内部位的不同热环境等不同,在特定部位有时会产生不良状况。能够针对栅极区域(30)使两个以上的焊盘(22、26)导通,并选择要施加栅极电压的焊盘。例如,在周边部容易产生过热的情况下,向第一焊盘(22)施加导通电压,使周边部比中央部延迟导通,向第二焊盘(26)施加截止电压,使周边部比中央部提前截止。能够应对在周边部容易产生过热的问题。在流过过大电流而升温的情况下,向第二焊盘(26)施加截止电压。能够应对在流过过大电流的情况下在周边部容易升温这样的问题。

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