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公开(公告)号：CN115332033B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202110507228.X
申请日：2021-05-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明提供了一种刻蚀流程控制方法和装置，涉及蚀刻技术领域，用于解决由于固有误差以及等离子气体对阀门的腐蚀而引发的晶圆良率降低的问题。其中，所述方法包括：接收刻蚀启动指令；根据所述刻蚀启动指令，从终阀获取第一气流量数据，以及从预设的检测节点获取第二气流量数据；根据所述第一气流量数据和所述第二气流量数据，确定理论气流量与实际气流量的流量偏差；根据所述流量偏差与预设取值范围的关系，控制当前刻蚀流程。本发明提供的技术方案能够提高晶圆良率。
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公开(公告)号：CN118782651A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410860182.3
申请日：2024-06-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括：包括：衬底、纳米片沟道、金属栅和源漏极；所述纳米片沟道位于所述衬底的上方；所述金属栅环绕所述纳米片沟道；所述源漏极与所述纳米片沟道连接；所述源漏极与金属栅之间设置有具有空腔的侧墙。本发明的半导体器件通过在源漏极与栅极之间引入具有空腔的侧墙，以空气替代部分固态介电材料，大幅降低了器件的寄生电容，与现有GAA集成工艺相兼容且工艺简单。
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公开(公告)号：CN112563402B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202011262952.2
申请日：2020-11-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种悬桥结构热电堆器件的制作方法。制作方法：在半导体衬底的正面依次沉积多层隔离材料，形成堆叠隔离层；在堆叠隔离层表面形成多晶硅层，然后光刻图形化，得到多个多晶硅热电偶；在热电偶上方沉积氧化硅膜，并光刻图形化，形成电极接触孔；在电极接触孔内沉积导电金属，并图形化，然后在金属上方覆盖红外吸收层，之后图形化刻蚀至半导体衬底，打通正面悬桥；在半导体衬底的正面方向的表面上形成保护层，然后在半导体衬底的背面沉积氧化硅作为掩膜层，对半导体衬底进行选择性刻蚀，刻蚀至穿透半导体衬底，形成背腔；去除保护层，任选地经过后续工艺得到悬桥结构热电堆器件。本发明工艺简单，为制作悬桥结构的热电堆提供了便利。
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公开(公告)号：CN111964794B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202010874173.1
申请日：2020-08-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01J5/12
Abstract: 一种高吸收纳米结构热电堆及其制作方法，热电堆包括：红外吸收层；其中红外吸收层包括若干个具有内凹结构的纳米柱。本发明采用与CMOS兼容的材料作为红外吸收层，通过对红外吸收层进行结构改进，在红外吸收层刻蚀形成具有内凹结构的纳米柱，来增强红外吸收层的限光效应，提高光吸收，从而制作出高红外吸收的热电堆器件。
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公开(公告)号：CN113517219B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202010276306.5
申请日：2020-04-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 本公开公开了一种金属刻蚀后防止金属腐蚀的方法，包括：提供一基底，所述基底一侧表面上具有金属层；对所述金属层进行刻蚀；以及在所述金属表面形成氧化膜。本公开中，在金属刻蚀后，在金属表面形成的氧化膜可以阻断大气中的水蒸气与金属表面及其内部残留的氯成分反应，防止金属刻蚀后金属腐蚀的发生。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118413999A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202310787999.8
申请日：2023-06-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H10B63/10
Abstract: 本说明书实施例提供了一种三维垂直结构相变存储器及其制备方法，相变存储器包括：在相变存储器的主体结构上设置孔结构；沿垂直于所述孔结构底部的方向，所述孔结构内壁上设置有多个凹陷结构；各所述凹陷结构中设置有插入电极。本申请提供的技术方案用以解决现有技术存储器的位密度较低，不能满足用户的需求的问题。
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公开(公告)号：CN118173117A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410313069.3
申请日：2024-03-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种无声语音识别方法及系统，该方法包括利用无声语音采集设备中的湿度传感器采集用户的口腔区域的湿度，得到湿度信号；对湿度信号进行预处理并提取时频特征，得到特征数据；将特征数据输入至预先训练的识别模型中进行识别，得到识别结果并输出识别结果。通过非接触式的方法采集用户说话时口腔区域的湿度，使采集到的湿度信号不受其他信号影响，提高信号采集的抗干扰能力和稳定性；通过提取预处理后的湿度信号中的时频特征，得到特征数据，利用预先训练的识别模型识别特征数据得到识别结果，提高了识别结果的可靠性和准确性。
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公开(公告)号：CN114192440B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202010986949.9
申请日：2020-09-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本申请公开了一种不合格晶圆的检出装置及检出方法、晶圆制造设备，属于半导体制造技术领域，用以解决现有技术中晶圆检测量大、时间长、工艺和装置复杂的问题。上述检出装置包括光源、光电传感器和控制器，光源和光电传感器位于待检晶圆的同侧。上述检测方法为打开光源；光源发出的光线经过待检晶圆表面反射后射入光电传感器，光电传感器将反射光信号转化为电模拟信号；控制器接收光电传感器发送的电模拟信号并转换为电数据；将电数据与电参考数据进行比较，电数据在电参考数据范围内，则判断待检晶圆合格，电数据不在电参考数据范围内，则判断待检晶圆不合格。本申请的检出装置及检出方法、晶圆制造设备可用于不合格晶圆的检出。
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公开(公告)号：CN114521035B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202011293519.5
申请日：2020-11-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种晶圆的直接诱导加热装置和加热方法，属于半导体技术领域，用以解决现有技术中晶圆间接诱导加热方式加热速度慢、加热深度不可控的问题。上述晶圆的直接诱导加热装置，包括交变磁束发生组件，利用交变磁束发生组件的交流电产生交变磁束，晶圆置于交变磁束发生组件产生的交变磁束内，置于交变磁束内的晶圆内产生涡电流，涡电流通过晶圆产生焦耳热，对晶圆进行加热。上述晶圆的直接诱导加热方法，包括如下步骤：利用交流电产生交变磁束，将晶圆置于交变磁束内，晶圆内产生涡电流，涡电流通过晶圆产生焦耳热，对晶圆进行加热。本发明的晶圆的直接诱导加热装置和加热方法可用于晶圆的直接诱导加热。
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公开(公告)号：CN111900167B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202010596889.X
申请日：2020-06-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本公开提供一种半导体结构及其制造方法，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上形成接触沟槽；在所述接触沟槽沉积接触材料层；图形化所述接触材料层以形成接触插塞。本公开的接触插塞的制造方法，通过将现有的氧化物层间介质层的沉积直接替换为沉积多晶硅接触插塞材料，从而将后续的刻蚀开孔以沉积接触插塞材料形成接触插塞替换为刻蚀去除多余的多晶硅插塞材料以形成接触插塞，从而克服了在接触插塞制备中底部开孔不充分，垂直形貌不均匀的问题。
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