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公开(公告)号:CN110098832A
公开(公告)日:2019-08-06
申请号:CN201910364378.2
申请日:2019-04-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03K19/0185 , H03K19/094 , H03K19/003 , H03K17/22
Abstract: 本发明提供一种超低电压启动双路输出的DCDC转换电路及其实现方法,所述DCDC转换电路包括:双路输出模块,电连接于所述双路输出模块的高压上电复位模块,电连接于所述高压上电复位模块和所述双路输出模块的功率管衬底电平选择模块,电连接于所述高压上电复位模块和所述双路输出模块的工作模式切换模块,电连接于所述工作模式切换模块的控制管衬底电平选择模块,电连接于所述双路输出模块的负载接入模块及电连接于所述双路输出模块、所述负载接入模块和所述工作模式切换模块的调制信号产生模块。通过本发明解决了现有DCDC转换电路存在的无法在低电源电压下工作、需要额外的时钟产生装置及只有一路输出的问题。
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公开(公告)号:CN107147286A
公开(公告)日:2017-09-08
申请号:CN201710532828.5
申请日:2017-07-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H02M3/156 , G01R19/175
CPC classification number: H02M3/156 , G01R19/175 , H02M2001/0009
Abstract: 本发明提供一种开关电源电感的电流过零检测方法、电路及控制方法,包括:基于第一及第二电流采样模块分别获取充磁电压的采样电流及退磁电压的采样电流;基于第一检测电压产生模块产生与充磁电压和占空比导通时间之积成正比的第一检测电压;基于第二检测电压产生模块产生与充磁电压和占空比导通时间之积成正比的第一电压及与退磁电压和占空比截止时间之积成正比的第二电压;基于死区脉冲产生电路检测电流过零点及死区。本发明通过伏秒平衡原理间接取样电感电流过零信号,避免了对小信号的处理,形成控制电路,解决了电流倒灌问题;同时省去系统上的取样电阻;既提高系统的效率,又简化了电源系统的系统方案,提高产品的竞争力。
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公开(公告)号:CN110098832B
公开(公告)日:2020-10-09
申请号:CN201910364378.2
申请日:2019-04-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03K19/0185 , H03K19/094 , H03K19/003 , H03K17/22
Abstract: 本发明提供一种超低电压启动双路输出的DCDC转换电路及其实现方法,所述DCDC转换电路包括:双路输出模块,电连接于所述双路输出模块的高压上电复位模块,电连接于所述高压上电复位模块和所述双路输出模块的功率管衬底电平选择模块,电连接于所述高压上电复位模块和所述双路输出模块的工作模式切换模块,电连接于所述工作模式切换模块的控制管衬底电平选择模块,电连接于所述双路输出模块的负载接入模块及电连接于所述双路输出模块、所述负载接入模块和所述工作模式切换模块的调制信号产生模块。通过本发明解决了现有DCDC转换电路存在的无法在低电源电压下工作、需要额外的时钟产生装置及只有一路输出的问题。
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公开(公告)号:CN110335636A
公开(公告)日:2019-10-15
申请号:CN201910605311.3
申请日:2019-07-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变存储器的多级存储读写方法及系统,包括:数据存储模块,包括多个存储数据的数据单元;参考模块,包括多个参考单元,2k-1个参考单元对应1个数据单元,用于存储与存储的数据对应的参考信号,k为存储的数据比特;读出功能模块,在读取某一数据单元时将其对应的参考信号读出,并还原数据单元中储存的数据。本发明采用2T2R的结构作为基本单位进行数据存储,通过两个相变存储元件不同阻值的组合在一定程度上减少阻值漂移带来的影响,实现高密度存储;设置检纠错功能,通过检错、纠错提高相变存储器多值存储的可靠性;设置参考单元,通过参考单元计算还原存储的数据,实现高可靠性读取;同时降低检纠错的难度,进一步提高可靠性。
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公开(公告)号:CN110335636B
公开(公告)日:2021-04-02
申请号:CN201910605311.3
申请日:2019-07-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变存储器的多级存储读写方法及系统,包括:数据存储模块,包括多个存储数据的数据单元;参考模块,包括多个参考单元,2k‑1个参考单元对应1个数据单元,用于存储与存储的数据对应的参考信号,k为存储的数据比特;读出功能模块,在读取某一数据单元时将其对应的参考信号读出,并还原数据单元中储存的数据。本发明采用2T2R的结构作为基本单位进行数据存储,通过两个相变存储元件不同阻值的组合在一定程度上减少阻值漂移带来的影响,实现高密度存储;设置检纠错功能,通过检错、纠错提高相变存储器多值存储的可靠性;设置参考单元,通过参考单元计算还原存储的数据,实现高可靠性读取;同时降低检纠错的难度,进一步提高可靠性。
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公开(公告)号:CN107591179B
公开(公告)日:2020-09-15
申请号:CN201710813137.2
申请日:2017-09-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种扩展存储器操作次数的电路结构及方法,所述电路结构包括N位循环计数器电路,与所述N位循环计数器电路连接的N个地址产生电路,及与N个所述地址产生电路连接存储器阵列,通过把对一个存储器字的N次操作分散到N个不同的存储器字中,避免了对一个存储器字的过度操作,在每次掉电时,把触发器电路的状态存储在非挥发相变存储器中,在每次上电时,读出非挥发相变存储器中的数据,使触发器电路及N位循环计数器电路恢复到掉电前状态,实现了存储器字在任何情况下的均衡操作。通过本发明所述一种扩展存储器操作次数的电路结构及方法,解决了现有技术中相变存储器无法实现每个存储单元的读写擦均衡的问题。
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公开(公告)号:CN107644664A
公开(公告)日:2018-01-30
申请号:CN201710889441.5
申请日:2017-09-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种三维垂直型存储器电路及位线与字线电压配置方法,实现在对三维垂直型存储器进行读/写操作时,将所述三维垂直型存储器中的所有位线置为读不选择位线电压或写不选择位线电压,将其所有字线置为读不选择字线电压或写不选择字线电压,将其所有源线置为0V;待读/写脉冲信号到来时,将待操作存储单元的源线置为电源电压,同时对待操作存储单元所在的位线和字线进行电压配置,以使所述待操作存储单元两端的电压之差等于读操作电压或写操作电压,半选通存储单元两端的电压之差等于所述读操作电压的一半或所述写操作电压的一半。通过本发明所述电路及方法,实现所述存储器读出速度快,功耗低、工程实现性高、漏电少、读出正确率高。
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公开(公告)号:CN105763051B
公开(公告)日:2019-01-25
申请号:CN201610231262.8
申请日:2016-04-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H02M3/156
Abstract: 本发明提供一种轻载降频模式控制系统,包括:过零检测电路,用于基于开关节点的谐振现象来判定电感电流的死区时间;输出负载电流计算电路,用于根据电感电流在一个开关周期内充磁时间和退磁时间的相对变化来衡量负载的变化,提供与负载电流相关联的负载检测电压信号;以及变频控制电路,根据与负载电流相关联的负载检测电压信号来自适应调节时钟单元中控制频率。本发明涉及的轻载降频模式控制系统能够根据输出端负载电流的实时变化来合理有效地调节PWM控制频率,改善轻载下电源转换效率的同时又很好的解决了变频过程中带来的频率振荡问题。
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公开(公告)号:CN107591179A
公开(公告)日:2018-01-16
申请号:CN201710813137.2
申请日:2017-09-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种扩展存储器操作次数的电路结构及方法,所述电路结构包括N位循环计数器电路,与所述N位循环计数器电路连接的N个地址产生电路,及与N个所述地址产生电路连接存储器阵列,通过把对一个存储器字的N次操作分散到N个不同的存储器字中,避免了对一个存储器字的过度操作,在每次掉电时,把触发器电路的状态存储在非挥发相变存储器中,在每次上电时,读出非挥发相变存储器中的数据,使触发器电路及N位循环计数器电路恢复到掉电前状态,实现了存储器字在任何情况下的均衡操作。通过本发明所述一种扩展存储器操作次数的电路结构及方法,解决了现有技术中相变存储器无法实现每个存储单元的读写擦均衡的问题。
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公开(公告)号:CN206948183U
公开(公告)日:2018-01-30
申请号:CN201720792343.5
申请日:2017-07-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H02M3/156 , G01R19/175
Abstract: 本实用新型提供一种开关电源电感的电流过零检测电路,包括:分别获取充磁电压的采样电流及退磁电压的采样电流的第一及第二电流采样模块;产生与充磁电压和占空比导通时间之积成正比的第一检测电压的第一检测电压产生模块;产生与充磁电压和占空比导通时间之积成正比的第一电压及与退磁电压和占空比截止时间之积成正比的第二电压的第二检测电压产生模块;检测电流过零点及死区的死区脉冲产生电路。本实用新型通过伏秒平衡原理间接取样电感电流过零信号,避免了对小信号的处理,形成控制电路,解决了电流倒灌问题;同时省去系统上的取样电阻;既提高系统的效率,又简化了电源系统的系统方案,提高产品的竞争力。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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