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公开(公告)号：CN106711121B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201510770462.6
申请日：2015-11-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/535 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种硅柱通孔互连结构及其制作方法，该结构包括第一硅片以及与该第一硅片键合的第二硅片；所述第一硅片和第二硅片键合后接触孔部分形成用于电连接的硅柱通孔结构和非接触孔部分形成金属环的密封结构；所述硅柱通孔结构上的金属接触用于电连接，实现真空或气密封装时内部器件及结构与外部的电学互连；所述硅柱通孔结构外表面金属层用于降低硅柱电阻；所述硅片上的金属环用于键合工艺，实现器件及结构的真空或气密封装。本发明通过硅柱通孔互连结构，能够优化现有真空或气密封装存在较大台阶时的电连接问题；可以实现真空或气密封装内部结构与器件与外部直接的电连接；完全平面化引线连接，可以实现多层堆叠；可以实现晶圆级的电学连接。
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公开(公告)号：CN106556804B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201611020374.5
申请日：2016-11-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/02
Abstract: 本发明提供一种三轴微机械磁场传感器，包括两个呈正交排列的第一谐振结构组件及第二谐振结构组件。本发明的三轴微机械磁场传感器不需要磁性材料，不存在磁滞和磁饱和现象，制作工艺与标准CMOS工艺兼容，可实现大批量，低成本生产；第一谐振结构及第二谐振结构采用静电驱动，功耗几乎为零，且结构简单，易于实现；静电驱动结构为带有阻尼孔的平板电极或者叉指电极，能够有效的减小空气阻尼，提高大气下工作的灵敏度；基于电磁感应原理，在大范围磁场测量中都具有极佳的线性度；三个谐振结构位于同一平面内，可实现三轴测量之间的绝对正交，有效避免了交叉灵敏度的影响；可同时对恒定或交变磁场的三轴分量进行测量，稳定性和可靠性好。
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公开(公告)号：CN105428518B
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201510778969.6
申请日：2015-11-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于局域共振体的声子晶体结构及其制作方法，所述声子晶体结构包括设有凹槽的基底，所述凹槽的内壁沉积有绝缘层；与所述基底键合形成空腔的固体基板、形成于所述固体基板两端的压电薄膜、形成于所述压电薄膜上的叉指电极结构以及形成位于空腔上方的固体基板上的声子晶体结构。所述制作的方法特征为固体基板悬空在空腔上方，局域共振声子晶体通过在固体基板上方沉积固体结构层，并对所述固体结构层进行图形化形成共振结构来构成。由于局域共振声子晶体结构悬空在衬底上方，因此消除了器件工作过程中，声学波通过衬底的损耗，从而提高了器件的性能。
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公开(公告)号：CN105988090B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201510051986.X
申请日：2015-01-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/028 , B81B3/00
Abstract: 本发明提供一种微机械磁场传感器及其应用，所述微机械磁场传感器至少包括：谐振振子和依次形成于所述谐振振子表面上的绝缘层及至少一层金属线圈。本发明采用S型折叠梁实现弹性梁和锚点的连接，保证了谐振振子谐振时是沿垂直于谐振振子的方向移动，相比于一般的双端固支梁的组成的方环形而言，大大提高了谐振梁所围成面积单位时间内的变化量，进而增加了金属线圈内磁通量的变化，进一步增大了磁场的灵敏度。同时，在金属线圈的绝缘层下添加接地铝层，可有效避免谐振振子的信号耦合到金属线圈。本发明结构简单，不需要在金属线圈上通入电流，降低了器件的功耗；同时通过测量金属线圈两端的感应电动势来测量磁场大小，因此受温度影响小。
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公开(公告)号：CN105390603B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201510791242.1
申请日：2015-11-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种双凸台结构的热电能量采集器及其制作方法，所述热电能量采集器中，所述双凸台结构与多晶硅块通过第一导电块及第二导电块相互交替依次相连，其中，所述双凸台结构作为第一类型掺杂热电偶臂，所述多晶硅块作为第二类型掺杂热电偶臂，形成相互串联的热电偶阵列，得到微型热电能量采集器。本发明中，垂直的双凸台结构使热电偶臂与导热板之间具有较大的接触面积，可以降低接触热阻和接触电阻，提高器件的温差利用率和发电功率，并具有一定的机械强度；同时，相比传统垂直结构热电能量采集器，所述双凸台结构与多晶硅块部分重叠，从而提高了单位面积的利用率，具有较高的集成度，并且所述双凸台结构的倾斜侧壁更有利于多晶硅块的沉积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107226452A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710371231.7
申请日：2017-05-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种共面键合结构及其制备方法，所述制备方法包括步骤：a)提供一待键合的器件结构，所述器件结构包括至少两个定义的功能区，其中，各所述功能区均具有待引出面，且至少两个所述待引出面位于不同高度的平面；b)将各所述待引出面通过绝缘层和金属层交替形成的叠层结构引出至同一高度的平面上形成各键合引出面，以得到所述共面键合结构。本发明的共面键合结构可以解决真空或气密封装中键合平面不在同一高度的问题；实现真空或气密封装内部结构与器件外部的直接垂直互连；实现键合框架的绝缘和引线焊盘的电气导通；本发明的共面键合结构只需修改掩膜版相应位置的图形，并不增加额外的工序，极大地节约制造成本、提高生产效率。
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公开(公告)号：CN106698322A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201510779710.3
申请日：2015-11-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: B81B5/00 , B81C1/00198
Abstract: 本发明提供一种静电驱动结构，包括固定叉指电极及两端由支撑梁支撑而悬空的可动叉指电极；所述固定叉指电极包括若干呈周期性排列的第一叉指，所述可动叉指电极包括若干与所述第一叉指交错排列的第二叉指；其中：所述第一叉指及第二叉指均在所述支撑梁方向上左右对称；所述第二叉指在往所述固定叉指电极方向上宽度逐渐减小；所述第一叉指在往所述可动叉指电极方向上宽度逐渐减小。本发明中，固定叉指电极与可动叉指电极相对运动时受到滑膜阻尼和压膜阻尼的共同作用，电极的驱动力和阻尼力介于平板电极和普通叉指电极之间，既解决了普通叉指电极驱动力过小的问题，又使得阻尼力小于平板电极。因此本发明的静电驱动结构能够获得更大的可动位移。
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公开(公告)号：CN105428518A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510778969.6
申请日：2015-11-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于局域共振体的声子晶体结构及其制作方法，所述声子晶体结构包括设有凹槽的基底，所述凹槽的内壁沉积有绝缘层；与所述基底键合形成空腔的固体基板、形成于所述固体基板两端的压电薄膜、形成于所述压电薄膜上的叉指电极结构以及形成位于空腔上方的固体基板上的声子晶体结构。所述制作的方法特征为固体基板悬空在空腔上方，局域共振声子晶体通过在固体基板上方沉积固体结构层，并对所述固体结构层进行图形化形成共振结构来构成。由于局域共振声子晶体结构悬空在衬底上方，因此消除了器件工作过程中，声学波通过衬底的损耗，从而提高了器件的性能。
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公开(公告)号：CN105355773A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510766680.2
申请日：2015-11-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种热电能量采集器及其制作方法，该方法包括以下步骤：S1：制作第一器件片；S2：制作第二器件片；S3：将所述第一器件片与第二器件片键合，使各个第一、第二热电偶臂通过第一电连接块与第二电连接块相互交替依次相连，其中，各个所述第一热电偶臂通过其顶端的第一键合层与相应的第二电连接块键合，各个所述第二热电偶臂通过其顶端的第二键合层与相应的第一电连接块键合。本发明与传统平面结构的采集器相比，其垂直结构热电偶臂端面与导热板之间具有较大的接触面积，可以降低接触热阻和接触电阻，提高器件的温差利用率和发电功率；同时，相比传统垂直结构热电能量采集器的制备方法，本发明与CMOS工艺兼容，可以实现低成本的批量化生产。
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公开(公告)号：CN103296190B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201210048653.8
申请日：2012-02-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种三维热电能量收集器及其制作方法，通过在低阻硅上刻蚀出多个凹槽及凹槽之间的硅柱，然后在凹槽表面形成绝缘层，并通过薄膜沉积技术制作热电柱，藉由所述热电柱与相邻的硅柱组成热电偶对，接着通过刻蚀沉积等工艺制作金属布线，衬底减薄、键合支撑衬底等工艺完成所述三维热电能量收集器的制作。本发明只需一次薄膜沉积工艺就完成了热电偶对结构的制作，简化了制作工艺。选择硅作为热电偶对的一种组分，保证了热电偶具有较高的塞贝克系数。采用垂直的柱形结构热电偶对，提高了热电能量收集器的机械稳定性。通过圆片级键合将热电偶结构和上下支撑衬底进行键合，提高了制作效率。
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