一种重掺杂型硅基薄膜的制备方法和由此得到的薄膜及其应用

    公开(公告)号:CN111312859B

    公开(公告)日:2024-07-05

    申请号:CN202010140012.X

    申请日:2020-03-03

    Abstract: 本发明涉及一种重掺杂型硅基薄膜的制备方法,其包括提供衬底并在该衬底上生长具有掺杂元素的轻掺杂型硅基薄膜,通过掺杂气体形成富含激活掺杂元素的氛围,在该氛围下对轻掺杂型硅基薄膜进行后处理以形成重掺杂型硅基薄膜,重掺杂型硅基薄膜的掺杂元素含量大于轻掺杂型硅基薄膜的掺杂元素含量。本发明还提供上述的制备方法得到的重掺杂型硅基薄膜。本发明又提供上述的重掺杂型硅基薄膜在异质结晶体硅太阳电池上的应用。根据本发明的重掺杂型硅基薄膜的制备方法,能够提高硅基薄膜的掺杂效率,对进一步获得高效率异质结晶体硅太阳电池具有突出的意义。

    表面具有凹槽的单晶硅片、异质结太阳电池及制备方法

    公开(公告)号:CN113327999B

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202110671680.X

    申请日:2021-06-17

    Abstract: 本发明提供一种表面具有凹槽的单晶硅片、异质结太阳电池及制备方法。硅片的正面和背面均设有凹槽,凹槽的深度为5‑50μm,凹槽的宽度为10‑100μm,凹槽的内部形貌包括台阶状和金字塔状中的一种或两种,凹槽外的单晶硅片表面形貌包括金字塔状,台阶和金字塔的表面对应硅晶体的(111)晶面,位于同一斜面的相邻台阶棱的间距为0.1‑10μm,金字塔高度为0.1‑10μm。本发明在用于制备异质结太阳电池时,可增大栅线与透明导电薄膜的接触面积,提高太阳电池的填充因子FF和电极的焊接拉力,减少栅线的遮光面积,可显著提升短路电流Isc;同时可减少银浆耗量,实现太阳电池的提效降本。此外还有助于提高银浆的导电性能和提高丝网印刷的速度,从而提升设备产能。

    一种光调制化学气相沉积装置以及利用其调制薄膜生长温度的方法

    公开(公告)号:CN115466939A

    公开(公告)日:2022-12-13

    申请号:CN202211234154.8

    申请日:2022-10-10

    Abstract: 本发明涉及一种光调制化学气相沉积装置,腔室为反应气体提供密闭空间,衬底为设置于腔室内的透明或半透明衬底,辉光发生触发源设置于腔室内的衬底的前方并作用于反应气体使其产生辉光以在衬底的面向辉光发生触发源的表面沉积功能薄膜,光反射器件设置于腔室内的衬底的后方并将收集到的光朝向衬底的面向光反射器件的表面反射以控制到达衬底的热量,从而调制薄膜的生长温度。本发明还涉及利用上述光调制化学气相沉积装置调制薄膜生长温度的方法。根据本发明的光调制化学气相沉积装置,可以调制辉光放电薄膜的生长温度,与传统加热器加热相比,可以简化设备制造、降低设备能耗和成本,具有高度的产业化利用价值。

    (LiNO3–KNO3–KNO2–Ca(NO3)2)四元硝酸共熔盐及其用途

    公开(公告)号:CN103441312A

    公开(公告)日:2013-12-11

    申请号:CN201310360767.0

    申请日:2013-08-16

    Abstract: 本发明公开了一种(LiNO3–KNO3–KNO2–Ca(NO3)2)四元硝酸共熔盐,并涉及这种熔盐的用途。所述的四元硝酸共熔盐的组分及组分质量百分数为:LiNO3,10~70%;KNO3,1~55%;KNO2,10~80%;Ca(NO3)2,1~27.3%。本发明提供的一种熔点低,热稳定温度高的四元硝酸共熔盐可以在125℃~500℃的温度区间内正常使用。这种四元硝酸共熔盐不仅可以用作高能电池特别是高温锂电池的熔盐的电解质材料,还可以用作热量传递的介质材料,可改善耐温极限对Rankine循环总效率的限制。

    一种内热式抗膨胀金属储氢装置

    公开(公告)号:CN114508695B

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202210162083.9

    申请日:2022-02-22

    Abstract: 本发明涉及一种内热式抗膨胀金属储氢装置,抗膨胀结构均匀安装在压力容器罐体的内壁以为储氢合金吸氢膨胀预留空间,换热结构安装在抗膨胀结构的内部以对吸放氢循环进行热交换,储氢合金分布在换热结构中以形成合金粉床体,导气管为中空的两端封闭管且自由分布在合金粉床体的内部以提高氢气传输速度和纯度,过滤结构独立于导气管且安装在压力容器罐体的进出口处。根据本发明的内热式抗膨胀金属储氢装置,高效安全,能够解决储氢装置中存在的传热、传质效率低下以及罐体膨胀安全性问题。

    表面具有凹槽的单晶硅片、异质结太阳电池及制备方法

    公开(公告)号:CN113327999A

    公开(公告)日:2021-08-31

    申请号:CN202110671680.X

    申请日:2021-06-17

    Abstract: 本发明提供一种表面具有凹槽的单晶硅片、异质结太阳电池及制备方法。硅片的正面和背面均设有凹槽,凹槽的深度为5‑50μm,凹槽的宽度为10‑100μm,凹槽的内部形貌包括台阶状和金字塔状中的一种或两种,凹槽外的单晶硅片表面形貌包括金字塔状,台阶和金字塔的表面对应硅晶体的(111)晶面,位于同一斜面的相邻台阶棱的间距为0.1‑10μm,金字塔高度为0.1‑10μm。本发明在用于制备异质结太阳电池时,可增大栅线与透明导电薄膜的接触面积,提高太阳电池的填充因子FF和电极的焊接拉力,减少栅线的遮光面积,可显著提升短路电流Isc;同时可减少银浆耗量,实现太阳电池的提效降本。此外还有助于提高银浆的导电性能和提高丝网印刷的速度,从而提升设备产能。

    (LiNO3–KNO3–KNO2–Ca(NO3)2)四元硝酸共熔盐及其用途

    公开(公告)号:CN103441312B

    公开(公告)日:2015-07-29

    申请号:CN201310360767.0

    申请日:2013-08-16

    Abstract: 本发明公开了一种(LiNO3–KNO3–KNO2–Ca(NO3)2)四元硝酸共熔盐,并涉及这种熔盐的用途。所述的四元硝酸共熔盐的组分及组分质量百分数为:LiNO3,10~70%;KNO3,1~55%;KNO2,10~80%;Ca(NO3)2,1~27.3%。本发明提供的一种熔点低,热稳定温度高的四元硝酸共熔盐可以在125℃~500℃的温度区间内正常使用。这种四元硝酸共熔盐不仅可以用作高能电池特别是高温锂电池的熔盐的电解质材料,还可以用作热量传递的介质材料,可改善耐温极限对Rankine循环总效率的限制。

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