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公开(公告)号：CN108508342B
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201810522926.5
申请日：2018-05-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种IGBT短路过流检测电路，其包括：带通滤波器，其与所述第一IGBT的栅极连接；第一比较器，其与所述带通滤波器连接，并接收第一基准电压；T触发器，其与所述第一比较器连接，并输出第一逻辑信号；第二比较器，其与所述第一IGBT的栅极连接，并接收第二基准电压，输出第二逻辑信号；与门，其接收所述第一逻辑信号和第二逻辑信号，并输出硬开启错误检测信号；第三比较器，其与所述第一IGBT的栅极连接，并接收第三基准电压；以及RS触发器，其与所述第三比较器连接，并输出带载短路错误检测信号。本发明可以同时实现IGBT硬开启错误检测和IGBT带载短路检测，并且结构简单易行，节省成本。
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公开(公告)号：CN109917179A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910211777.5
申请日：2019-03-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R19/25
Abstract: 本发明提供一种电流检测系统，包括一功率器件，其功率发射极和辅助发射极之间连接有低通滤波器，低通滤波器包括滤波器电容和滤波器电阻；采样信号调节电路，与低通滤波器的电容输出端相连；信号整形电路，连接于功率发射极和辅助发射极之间；以及可编程器件，其与采样信号调节电路的输出端和信号整形电路的输出端相连，接收信号整形电路的信号作为启动信号，控制采样信号调节电路进行采样。本发明还提供了一种电流检测方法和一种可编程器件。本发明的电流检测系统可以实现功率器件寄生参数与检测系统的时间常数自动匹配，而不需对每个功率器件的寄生参数进行测量，因此提高了检测精度，并且此检测系统电路结构简单，易于集成。
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公开(公告)号：CN105827224A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610150613.2
申请日：2016-03-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03K17/687
CPC classification number: H03K17/687
Abstract: 本发明提供一种高压模拟集成开关电路，包括并联的第一、第二模拟子开关，所述第一模拟子开关包括第一n型DMOS管、第二n型DMOS管及第一驱动电路，所述第一n型DMOS管的源极连接第二n型DMOS管的源极，漏极连接电路输入端，栅极连接第一驱动电路，所述第二n型DMOS管的漏极连接电路输出端，栅极连接第一驱动电路；所述第二模拟子开关包括第一p型DMOS管、第二p型DMOS管、第二驱动电路及第三驱动电路；所述第一p型DMOS管的漏极连接第二p型DMOS管的漏极，源极连接电路输入端，栅极连接第二驱动电路，所述第二p型DMOS管的源极连接电路输出端，栅极连接第三驱动电路。本发明的控制电路与信号通路不直接连通，抗干扰能力强，本发明的开关电路可以实现轨到轨输出。
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公开(公告)号：CN105827224B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201610150613.2
申请日：2016-03-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明提供一种高压模拟集成开关电路，包括并联的第一、第二模拟子开关，所述第一模拟子开关包括第一n型DMOS管、第二n型DMOS管及第一驱动电路，所述第一n型DMOS管的源极连接第二n型DMOS管的源极，漏极连接电路输入端，栅极连接第一驱动电路，所述第二n型DMOS管的漏极连接电路输出端，栅极连接第一驱动电路；所述第二模拟子开关包括第一p型DMOS管、第二p型DMOS管、第二驱动电路及第三驱动电路；所述第一p型DMOS管的漏极连接第二p型DMOS管的漏极，源极连接电路输入端，栅极连接第二驱动电路，所述第二p型DMOS管的源极连接电路输出端，栅极连接第三驱动电路。本发明的控制电路与信号通路不直接连通，抗干扰能力强，本发明的开关电路可以实现轨到轨输出。
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公开(公告)号：CN110262614B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201910634838.9
申请日：2019-07-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种基准电压温度系数修调方法、装置及终端，所述的方法包括：获取第一修调电阻的第一码值和第二修调电阻的第二码值；获取第一码值的温度特性曲线的斜率、第二码值的温度特性曲线的斜率以及第一码值和第二码值之间数值的差值；根据第一码值的温度特性曲线的斜率、第二码值的温度特性曲线的斜率以及第一码值和第二码值之间的数值的差值，获得修调步长；获得第一预设斜率值，并根据第一预设斜率值和修调步长，以及第一码值的温度特性曲线的斜率或第二码值的温度特性曲线的斜率，获得与第一预设斜率值对应的理论码值，理论码值为正数；根据理论码值获得最低温度系数的码值；基于最低温度系数的码值，对每一个芯片的温度系数进行修调。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107947774A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711144435.3
申请日：2017-11-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03K17/16 , H03K17/567 , H03K17/687
Abstract: 本发明提供一种用于IGBT栅极驱动芯片的LDMOS电平移位dv/dt噪声抑制电路，其中该IGBT栅极驱动芯片包括低压侧窄脉冲产生模块、LDMOS电平移位模块和输出驱动模块，且该输出驱动模块的输出端通过一栅极电阻与一待驱动的IGBT的栅极相连，其特征在于，该噪声抑制电路包括：电压检测电路，其输入端接所述IGBT的栅极；下拉电路，其输入端接所述电压检测电路的输出端；RS触发器，其R端接所述下拉电路的第一输出端，S端接所述下拉电路的第二输出端，Q端接所述输出驱动模块的输入端。本发明利用dv/dt噪声和IGBT栅极电压之间存在的特定关系，通过检测IGBT栅极电压的变化区间实现对dv/dt噪声的滤除。
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公开(公告)号：CN109917179B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201910211777.5
申请日：2019-03-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R19/25
Abstract: 本发明提供一种电流检测系统，包括一功率器件，其功率发射极和辅助发射极之间连接有低通滤波器，低通滤波器包括滤波器电容和滤波器电阻；采样信号调节电路，与低通滤波器的电容输出端相连；信号整形电路，连接于功率发射极和辅助发射极之间；以及可编程器件，其与采样信号调节电路的输出端和信号整形电路的输出端相连，接收信号整形电路的信号作为启动信号，控制采样信号调节电路进行采样。本发明还提供了一种电流检测方法和一种可编程器件。本发明的电流检测系统可以实现功率器件寄生参数与检测系统的时间常数自动匹配，而不需对每个功率器件的寄生参数进行测量，因此提高了检测精度，并且此检测系统电路结构简单，易于集成。
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公开(公告)号：CN110262614A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910634838.9
申请日：2019-07-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种基准电压温度系数修调方法、装置及终端，所述的方法包括：获取第一修调电阻的第一码值和第二修调电阻的第二码值；获取第一码值的温度特性曲线的斜率、第二码值的温度特性曲线的斜率以及第一码值和第二码值之间数值的差值；根据第一码值的温度特性曲线的斜率、第二码值的温度特性曲线的斜率以及第一码值和第二码值之间的数值的差值，获得修调步长；获得第一预设斜率值，并根据第一预设斜率值和修调步长，以及第一码值的温度特性曲线的斜率或第二码值的温度特性曲线的斜率，获得与第一预设斜率值对应的理论码值，理论码值为正数；根据理论码值获得最低温度系数的码值；基于最低温度系数的码值，对每一个芯片的温度系数进行修调。
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公开(公告)号：CN105680107B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201610150614.7
申请日：2016-03-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01M10/42 , H01L27/02 , H01L27/092
Abstract: 本发明提供一种基于SOI工艺的电池管理芯片电路，所述电池管理芯片电路包括高压多路选通器MUX、电压基准电路、Sigma‑delta ADC（包括模拟调制器以及数字滤波器）、SPI通讯电路、以及功能控制电路与电压值寄存器。所述电池管理芯片电路为基于SOI高压工艺集成，尤其是所述电池管理芯片电路采用的高压MOS管为基于SOI工艺的高压MOS器件单元。另外，本发明重点突出了高压多路选通器MUX与Sigma‑delta ADC的接口电路‑斩波电路的设计，以阐述本发明采用SOI工艺设计与流片时会带来电路设计难度降低以及版图面积减小等诸多优势。
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公开(公告)号：CN107947774B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201711144435.3
申请日：2017-11-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03K17/16 , H03K17/567 , H03K17/687
Abstract: 本发明提供一种用于IGBT栅极驱动芯片的LDMOS电平移位dv/dt噪声抑制电路，其中该IGBT栅极驱动芯片包括低压侧窄脉冲产生模块、LDMOS电平移位模块和输出驱动模块，且该输出驱动模块的输出端通过一栅极电阻与一待驱动的IGBT的栅极相连，其特征在于，该噪声抑制电路包括：电压检测电路，其输入端接所述IGBT的栅极；下拉电路，其输入端接所述电压检测电路的输出端；RS触发器，其R端接所述下拉电路的第一输出端，S端接所述下拉电路的第二输出端，Q端接所述输出驱动模块的输入端。本发明利用dv/dt噪声和IGBT栅极电压之间存在的特定关系，通过检测IGBT栅极电压的变化区间实现对dv/dt噪声的滤除。
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