公开(公告)号：CN103848416A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201210501642.0

申请日：2012-11-29

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈志蓥 ,  于广辉 ,  王斌 ,  张燕辉 ,  王彬 ,  赵智德 ,  吴渊文 ,  张浩然

IPC: C01B31/04

Abstract: 本发明提供一种修饰石墨烯薄膜的方法，先利用在石墨烯薄膜的晶畴边界和缺陷处暴露的金属衬底对金属离子溶液中的金属离子进行还原，生成金属纳米粒子，对石墨烯薄膜实现选择性掺杂修饰；再通过腐蚀和转移工艺对掺杂修饰好的石墨烯薄膜实现转移。本发明利用石墨烯薄膜生长的金属衬底材料作为还原剂对溶液中的金属离子进行还原，而不需要引入新的还原剂，在实现了选择性掺杂修饰石墨烯薄膜的同时，避免了金属纳米粒子在完整石墨烯薄膜表面的沉积。本发明重复性高、简单易行，可以大批量修饰石墨烯薄膜；本发明能够准确标定石墨烯连续膜中单晶畴的形状和尺寸，并能通过改变金属离子溶液浓度及其与金属衬底的接触时间定性提高石墨烯薄膜的电学性能。

公开(公告)号：CN102344131B

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201110187773.1

申请日：2011-07-06

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吴渊文 ,  于广辉 ,  师小萍 ,  王彬 ,  张燕辉 ,  陈志蓥

IPC: C01B31/04

Abstract: 本发明涉及一种在钼基衬底上制备石墨烯薄膜的方法，包括：将钼催化剂放入无氧反应器中，使催化剂的反应温度达到500-1600℃；向无氧反应器反应器中通入含碳气体，在0.1-760torr下反应0.1-9999min，待炉内温度冷却至室温，得到含有石墨烯薄膜的钼金属衬底；去除钼催化剂，即得石墨烯薄膜。本发明重复性高、简单易行；所得石墨烯薄膜具有大面积、层数可控、分布均匀的特点。

公开(公告)号：CN102344131A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110187773.1

申请日：2011-07-06

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吴渊文 ,  于广辉 ,  师小萍 ,  王彬 ,  张燕辉 ,  陈志蓥

IPC: C01B31/04

Abstract: 本发明涉及一种在钼基衬底上制备石墨烯薄膜的方法，包括：将钼催化剂放入无氧反应器中，使催化剂的反应温度达到500-1600℃；向无氧反应器反应器中通入含碳气体，在0.1-760torr下反应0.1-9999min，待炉内温度冷却至室温，得到含有石墨烯薄膜的钼金属衬底；去除钼催化剂，即得石墨烯薄膜。本发明重复性高、简单易行；所得石墨烯薄膜具有大面积、层数可控、分布均匀的特点。