一种应用于神经元的全数字仿生电路及系统

    公开(公告)号:CN110794673B

    公开(公告)日:2021-06-22

    申请号:CN201910986671.2

    申请日:2019-10-15

    Abstract: 本申请实施例所公开的一种应用于神经元的全数字仿生电路及系统,其中,电路包括神经元输入模块、时钟选择模块、计数模块、置零延时模块和神经元输出模块,计数模块具有脉冲信号输入端、时钟信号输入端、清零端和计数信号输出端,神经元输入模块与脉冲信号输入端连接,时钟选择模块与时钟信号输入端连接,置零延时模块与清零端连接,神经元输出模块与计数信号输出端连接。基于本申请实施例,能够在神经网络中动态地进行神经元信号的向上或者向下计数,并且通过置零延时模块能够对置零信号和计数信号进行展宽,模拟神经元的不应期,使得计数模块中的数据清零。该仿生电路采用全数字设计,不仅能够简化电路的复杂程度,而且能够减少电路的功耗,便于实现大规模电路集成。

    一种突触电路、突触阵列及基于突触电路的数据处理方法

    公开(公告)号:CN110619907B

    公开(公告)日:2021-06-04

    申请号:CN201910806010.7

    申请日:2019-08-28

    Abstract: 本申请实施例涉及神经网络领域。采用本发明提供的突触电路,包括:第一存储器、第二存储器和开关组件;开关组件包括第一开关管、第二开关管和第三开关管;第一开关管的第一端与第一存储器的第一端连接,第一开关管的控制端与第一位线接口连接;第二开关管的第一端与第二存储器的第一端连接,第二开关管的控制端与第二位线接口连接;第一存储器的第二端与第二存储器的第一端连接;第三开关管的第一端与第二存储器的第二端连接,第三开关管的第二端与字线接口连接,第三开关管的第三端接地。基于本申请实施例,通过第一开关管和第二开关管分别控制串联的第一存储器和第二存储器,在数据存储时可以减少存储器间的交叉干扰。

    一种应用于神经元的全数字仿生电路及系统

    公开(公告)号:CN110794673A

    公开(公告)日:2020-02-14

    申请号:CN201910986671.2

    申请日:2019-10-15

    Abstract: 本申请实施例所公开的一种应用于神经元的全数字仿生电路及系统,其中,电路包括神经元输入模块、时钟选择模块、计数模块、置零延时模块和神经元输出模块,计数模块具有脉冲信号输入端、时钟信号输入端、清零端和计数信号输出端,神经元输入模块与脉冲信号输入端连接,时钟选择模块与时钟信号输入端连接,置零延时模块与清零端连接,神经元输出模块与计数信号输出端连接。基于本申请实施例,能够在神经网络中动态地进行神经元信号的向上或者向下计数,并且通过置零延时模块能够对置零信号和计数信号进行展宽,模拟神经元的不应期,使得计数模块中的数据清零。该仿生电路采用全数字设计,不仅能够简化电路的复杂程度,而且能够减少电路的功耗,便于实现大规模电路集成。

    相变存储器的多级存储读写方法及系统

    公开(公告)号:CN110335636B

    公开(公告)日:2021-04-02

    申请号:CN201910605311.3

    申请日:2019-07-05

    Abstract: 本发明提供一种相变存储器的多级存储读写方法及系统,包括:数据存储模块,包括多个存储数据的数据单元;参考模块,包括多个参考单元,2k‑1个参考单元对应1个数据单元,用于存储与存储的数据对应的参考信号,k为存储的数据比特;读出功能模块,在读取某一数据单元时将其对应的参考信号读出,并还原数据单元中储存的数据。本发明采用2T2R的结构作为基本单位进行数据存储,通过两个相变存储元件不同阻值的组合在一定程度上减少阻值漂移带来的影响,实现高密度存储;设置检纠错功能,通过检错、纠错提高相变存储器多值存储的可靠性;设置参考单元,通过参考单元计算还原存储的数据,实现高可靠性读取;同时降低检纠错的难度,进一步提高可靠性。

    一种突触电路、突触阵列及基于突触电路的数据处理方法

    公开(公告)号:CN110619907A

    公开(公告)日:2019-12-27

    申请号:CN201910806010.7

    申请日:2019-08-28

    Abstract: 本申请实施例涉及神经网络领域。采用本发明提供的突触电路,包括:第一存储器、第二存储器和开关组件;开关组件包括第一开关管、第二开关管和第三开关管;第一开关管的第一端与第一存储器的第一端连接,第一开关管的控制端与第一位线接口连接;第二开关管的第一端与第二存储器的第一端连接,第二开关管的控制端与第二位线接口连接;第一存储器的第二端与第二存储器的第一端连接;第三开关管的第一端与第二存储器的第二端连接,第三开关管的第二端与字线接口连接,第三开关管的第三端接地。基于本申请实施例,通过第一开关管和第二开关管分别控制串联的第一存储器和第二存储器,在数据存储时可以减少存储器间的交叉干扰。

    一种基于忆阻器的神经网络容错方法

    公开(公告)号:CN112199234A

    公开(公告)日:2021-01-08

    申请号:CN202011049315.7

    申请日:2020-09-29

    Abstract: 本发明涉及一种基于忆阻器的神经网络容错方法,包括以下步骤:在进行神经网络权值矩阵的存储时,以某个电阻状态为目标,读出忆阻器器件电阻以获得存储阵列中的忆阻器电阻的分布;在进行权重更新时,将神经网络权重矩阵映射至存储阵列,根据权重矩阵进行存储单元映射,通过自适应算法将大的权值映射到缺陷小的忆阻器器件上,完成权重更新,实现神经网络的学习与训练。本发明实现了在其上运行的神经网络算法的稳定性和准确率,采用算法实现简化了电路复杂度,减少了芯片面积和功耗,便于忆阻器神经网络的大规模集成。

Patent Agency Ranking