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公开(公告)号：CN115219867B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202210673374.4
申请日：2022-06-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及晶原级半导体器件调制参数测量技术领域，尤其涉及一种矢量误差幅度测量装置和测量方法、终端及存储介质，所述装置其设有上下变频单元和信号分析仪，基于信号分析仪分析上下变频后用于加载到被测目标的信号恶化程度即频响数据，以频响数据修正矢量信号上变频以及下变频中信号恶化程度，大大减小了矢量源带来的EVM恶化的影响，提高了EVM的测量精度。在一些应用场景中，微波源包括有微波信号源和功分器，实现将信号按需要分配功率后，分别送入到上变频单元和下变频单元中，减少了系统复杂程度，采用的微波信号源数量更少，可实现太赫兹频段功放测试需求，解决现有测量设备和仪器无法测试高频待测件的难题，信号分析仪获得的分析结果更精准。
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公开(公告)号：CN115657264A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211324332.6
申请日：2022-10-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G02B7/36 , G03B30/00 , G01J5/48 , G01J5/0806
Abstract: 本发明提供一种热反射显微热成像系统的跟焦方法、装置及电子设备。该方法包括：获取初始图像、第一图像、第二图像。分别计算初始图像、各第一图像和各第二图像的图像清晰度。若第一平均清晰度大于第二平均清晰度，将物距调整至初始物距减预设步长。若第一平均清晰度小于等于第二平均清晰度，将物距调整至初始物距加预设步长。将调整后的物距作为初始物距。本发明通过按预设步长交替调整物距、采集图像，对比两个相邻物距下的平均图像清晰度，按预设步长调整物距后，再次以调整后的物距为基准继续交替调整物距采集图像和调整物距。可在热反射显微热成像系统测试温度过程中，循环执行，实时调整物距，持续保持图像清晰，实现连续实时跟焦。
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公开(公告)号：CN114089144A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111173028.1
申请日：2021-10-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明适用于半导体器件技术领域，提供了一种二极管结参数测量方法及测量系统，上述方法包括：分别对待测二极管施加三个脉冲电流，并分别测试得到待测二极管在三个脉冲电流下正向导通电压；根据预设温度、三个脉冲电流的值及三个正向导通电压，确定待测二极管在预设温度下的结参数。其中，三个脉冲电流的值呈等差数列分布。本发明对待测二极管施加脉冲电流，降低自热对二极管参数结参数的影响，同时三个脉冲电流等差数列分布，无需绘制I‑V曲线，简化了计算过程。
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公开(公告)号：CN113624358A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110803448.7
申请日：2021-07-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种用于光热反射显微热成像的三维位移补偿方法及控制装置。该方法包括：获取被测件位于待补偿位置时的采集图像，及被测件位于参考位置时的参考图像；根据参考图像计算得到第一傅里叶变换，根据采集图像计算得到第二傅里叶变换；根据第一傅里叶变换和第二傅里叶变换，确定光热反射显微热成像装置中光学子系统的点扩散函数的峰值点坐标和拟合直径；根据峰值点坐标、拟合直径和光热反射显微热成像装置中光学子系统的成像参数，计算被测件位于待补偿位置时相对于参考位置的三维位移量，以对被测件进行三维位移补偿。本发明能够同时计算被测件位于待补偿位置时相对于参考位置的三维位移量，进而提高位移补偿的工作效率。
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公开(公告)号：CN112067136B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202010870967.0
申请日：2020-08-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于图像处理领域和显微成像领域，提供了一种用于光热反射显微热成像的漂移修正方法及装置，该方法包括：对获取遮断物镜侧光路采集的第一图像去除直流分量后进行高通滤波，得到第二图像；采集参考图像和待修正图像并确定温度升高发生的区域；在温度未发生变化的区域内，根据第二图像、参考图像和待修正图像计算修正系数；根据修正系数修正待修正图像的所有像素。本发明采用的光热反射显微热成像装置中增加了调制片和调光装置，并对遮断物镜侧光路后采集的第一图像去除直流分量后进行高通滤波，可以有效抑制光源强度漂移和相机响应度漂移对参考图像和待修正图像的采集，并且不需要对被测物温度进行调制，即可实现对静态目标的温度测量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114295954B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202111678778.4
申请日：2021-12-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请适用于半导体器件热阻参数测试技术领域，提供了二极管脉冲电流热阻测量方法、装置及终端设备，该二极管脉冲电流热阻测量方法包括：在二极管所处的环境温度为预设温度的情况下，向二极管施加脉冲电流，并获取二极管温度参数，二极管温度参数包括被测器件温度值、被测器件温度敏感参数；根据二极管温度参数建立校温曲线，并对校温曲线进行修正；基于修正后的校温曲线对二极管温度参数进行修正，根据修正后的二极管温度参数确定器件热阻值。本申请消除了二极管串联电阻对二极管脉冲电流热阻测量方法的影响。
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公开(公告)号：CN113962876B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202110832665.9
申请日：2019-07-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G06T5/80
Abstract: 本发明适用于校正技术领域，提供了一种像素畸变的校正方法、校正装置、终端及计算机可读存储介质，所述校正方法包括：获取被测目标的多帧图像，分别获取每帧图像上对应于指定像素位置的像素点的像素值，得到多个像素值，确定所述多个像素值的基准像素值，基于所述基准像素值对所述指定像素位置对应的像素点的像素值进行畸变校正。本发明能够提高测量的被测目标的多帧图像在指定像素位置对应的像素点的像素值的准确性。
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公开(公告)号：CN111983411B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202010663553.0
申请日：2020-07-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种多指栅型晶体管热阻测试方法、装置及终端设备，该方法包括：获取多指栅型晶体管各个栅指的第一温升，并根据各个栅指的第一温升确定各个栅指对应的温度权值；其中，多指栅型晶体管各个栅指的第一温升由显微红外热像仪测量得到；获取多指栅型晶体管的平均温升；其中，多指栅型晶体管的平均温升是基于电学参数法对多指栅型晶体管进行结温测量得到的；根据多指栅型晶体管的平均温升以及各个栅指对应的温度权值确定多指栅型晶体管各个栅指的第二温升；基于各个栅指的第二温升确定多指栅型晶体管各个栅指的热阻。本发明提供的多指栅型晶体管热阻测试方法、装置及终端设备能够提高多指栅型晶体管热阻测试的准确性。
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公开(公告)号：CN114241023A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111527188.1
申请日：2021-12-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本申请适用于亚像素图像配准技术领域，提供了亚像素图像配准方法、装置及终端设备，该亚像素图像配准方法包括：获取目标物体的参考图像、目标物体的待配准采集图像；对待配准采集图像和参考图像进行傅里叶变换；对经过傅里叶变换后的待配准采集图像进行带限处理，过滤掉待配准采集图像中的无效信息；基于参考图像对经过带限处理的待配准采集图像进行配准。本申请解决了现有相位相关法在高放大倍率下会发生失效的问题。
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公开(公告)号：CN113962877A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202110832668.2
申请日：2019-07-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G06T5/00
Abstract: 本发明适用于校正技术领域，提供了一种像素畸变的校正方法、校正装置、终端及计算机可读存储介质，所述校正方法包括：获取被测目标的多帧图像，分别获取每帧图像上对应于指定像素位置的像素点的像素值，得到多个像素值，确定所述多个像素值的基准像素值，基于所述基准像素值对所述指定像素位置对应的像素点的像素值进行畸变校正。本发明能够提高测量的被测目标的多帧图像在指定像素位置对应的像素点的像素值的准确性。
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