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公开(公告)号：CN111881853B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202010755106.8
申请日：2020-07-31
Applicant: 中北大学
Abstract: 本申请提供了一种超大桥隧中异常行为识别方法，所述方法包括：获取的所述摄像装置采集的视频流图像；其中，所述视频流图像包括由所述摄像装置同时拍摄的红外图像和可见光图像；将视频流中同时拍摄的红外图像和可见光图像进行融合处理；通过帧间背景差分法确定融合后的视频流图像中是否存在运动目标；如果是，初步确定所述超大桥隧中存在异常行为；否则，确定所述超大桥隧中存在异常行为。该方法能够提高超大桥隧中异常行为识别的效率和准确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111881853A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010755106.8
申请日：2020-07-31
Applicant: 中北大学
Abstract: 本申请提供了一种超大桥隧中异常行为识别方法，所述方法包括：获取的所述摄像装置采集的视频流图像；其中，所述视频流图像包括由所述摄像装置同时拍摄的红外图像和可见光图像；将视频流中同时拍摄的红外图像和可见光图像进行融合处理；通过帧间背景差分法确定融合后的视频流图像中是否存在运动目标；如果是，初步确定所述超大桥隧中存在异常行为；否则，确定所述超大桥隧中存在异常行为。该方法能够提高超大桥隧中异常行为识别的效率和准确性。
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公开(公告)号：CN109164272A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201811249318.8
申请日：2018-10-25
Inventor： 石云波 , 刘俊 , 唐军 , 曹慧亮 , 白桦 , 李杰 , 赵锐 , 高晋阳 , 郭涛 , 李飞 , 赵思晗 , 赵永祺 , 王彦林 , 焦静静 , 张英杰 , 寇志伟 , 许鑫
IPC: G01P15/02
Abstract: 本发明涉及MEMS谐振式加速度传感器，具体为推拉全差动式单轴硅微谐振式加速度计，解决现有MEMS谐振式加速度传感器的结构冗余问题，方案：包括外边框，外边框内设有质量块，质量块上镂空有连接梁、DETF谐振器、固定锚点和杠杆机构，连接梁与对称轴垂直，DETF谐振器、固定锚点、杠杆机构沿对称中心对称。优点：结构设计巧妙，通过杠杆使作用在谐振器上的力相等，不会由于结构加工误差导致杠杆机构输出的力的大小不一致；此结构不仅实现频率上的差分输出，而且实现杠杆机构放大惯性力上的差分输出，用两组分离的一级杠杆同时作用连接梁使其一侧受到拉应力，另一侧受到压应力，有效实现了连接梁上驱动力的放大。
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公开(公告)号：CN109164272B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201811249318.8
申请日：2018-10-25
Inventor： 石云波 , 刘俊 , 唐军 , 曹慧亮 , 白桦 , 李杰 , 赵锐 , 高晋阳 , 郭涛 , 李飞 , 赵思晗 , 赵永祺 , 王彦林 , 焦静静 , 张英杰 , 寇志伟 , 许鑫
IPC: G01P15/02
Abstract: 本发明涉及MEMS谐振式加速度传感器，具体为推拉全差动式单轴硅微谐振式加速度计，解决现有MEMS谐振式加速度传感器的结构冗余问题，方案：包括外边框，外边框内设有质量块，质量块上镂空有连接梁、DETF谐振器、固定锚点和杠杆机构，连接梁与对称轴垂直，DETF谐振器、固定锚点、杠杆机构沿对称中心对称。优点：结构设计巧妙，通过杠杆使作用在谐振器上的力相等，不会由于结构加工误差导致杠杆机构输出的力的大小不一致；此结构不仅实现频率上的差分输出，而且实现杠杆机构放大惯性力上的差分输出，用两组分离的一级杠杆同时作用连接梁使其一侧受到拉应力，另一侧受到压应力，有效实现了连接梁上驱动力的放大。
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公开(公告)号：CN109813931B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201910072513.6
申请日：2019-01-25
Applicant: 中北大学
Inventor： 石云波 , 刘俊 , 唐军 , 曹慧亮 , 焦静静 , 郭涛 , 高晋阳 , 李杰 , 张晓明 , 马宗敏 , 赵永祺 , 赵思晗 , 许鑫 , 李飞 , 王彦林 , 张英杰 , 米振国 , 张婕 , 刘玉
IPC: G01P15/00
Abstract: 本发明涉及传感器芯片封装结构，具体涉及一种高量程加速度传感器陶瓷硅陶瓷三层无引线封装结构；包括一层为一面可接地钎焊的低温共烧陶瓷片，不可钎焊面采用阳极键合技术，实现熟瓷片与敏感结构背面键合，敏感结构正面也采用阳极键合与三层熟瓷片键合，第一层为一片和传感器框架面积一样的低温共烧陶瓷框架，同时通过激光打孔、浆料填孔实现敏感结构的PAD点与第二层电路相连；第二层通过浆料印刷，实现电路转接功能，将信号传输至熟瓷片第三层，即封装结构顶层；封装结构顶层印刷上可钎焊浆料，由此可以通过钎焊将熟瓷片与输出电线相连；本发明使封装结构面积最小化，实现了加速度传感器无引线封装，极大的提高了传感器的可靠性。
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公开(公告)号：CN109813931A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910072513.6
申请日：2019-01-25
Applicant: 中北大学
Inventor： 石云波 , 刘俊 , 唐军 , 曹慧亮 , 焦静静 , 郭涛 , 高晋阳 , 李杰 , 张晓明 , 马宗敏 , 赵永祺 , 赵思晗 , 许鑫 , 李飞 , 王彦林 , 张英杰 , 米振国 , 张婕 , 刘玉
IPC: G01P15/00
Abstract: 本发明涉及传感器芯片封装结构，具体涉及一种高量程加速度传感器陶瓷硅陶瓷三层无引线封装结构；包括一层为一面可接地钎焊的低温共烧陶瓷片，不可钎焊面采用阳极键合技术，实现熟瓷片与敏感结构背面键合，敏感结构正面也采用阳极键合与三层熟瓷片键合，第一层为一片和传感器框架面积一样的低温共烧陶瓷框架，同时通过激光打孔、浆料填孔实现敏感结构的PAD点与第二层电路相连；第二层通过浆料印刷，实现电路转接功能，将信号传输至熟瓷片第三层，即封装结构顶层；封装结构顶层印刷上可钎焊浆料，由此可以通过钎焊将熟瓷片与输出电线相连；本发明使封装结构面积最小化，实现了加速度传感器无引线封装，极大的提高了传感器的可靠性。
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