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公开(公告)号：CN118927028A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410997504.9
申请日：2024-07-24
申请人： 上海超硅半导体股份有限公司 , 重庆超硅半导体有限公司
摘要： 本发明提供了减少硅片单面研磨前表面大颗粒的方法、研磨方法与硅片，所述方法包括：在硅片进行单面研磨前进行清洁；所述清洁包括依次进行的清洗液超声清洗、清洗液清洗、保湿液清洗与慢提拉干燥，所述慢提拉干燥在静电消除装置中进行。本发明提供的方法中通过清洗液超声清洗实现了硅片表面吸附大颗粒的初步洗净；再通过依次进行的清洗液清洗与保湿液清洗，进一步实现了硅片表面沾污的大颗粒的清洗，并中和了硅片表面的电荷，避免了大颗粒的粘附；再通过在静电消除装置中进行慢提拉干燥，实现了中和环境中的离子电荷和硅片表面静电，进一步保证了硅片表面的洁净度并不再吸附大颗粒。
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公开(公告)号：CN110682204B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN201911140007.2
申请日：2019-11-20
申请人： 上海超硅半导体股份有限公司 , 重庆超硅半导体有限公司
摘要： 本发明涉及抛光辅助设备技术领域，尤其涉及一种卸载装置及化学机械抛光辅助设备。本发明提供的卸载装置，包括抛盘、喷淋机构、回收机构、传送机构和卸载机构，喷淋机构包括喷淋槽和多组喷头，回收机构包括回收片盒，传送机构包括传送带，卸载机构包括卸载台和高压水喷头。该卸载装置，通过将抛盘放置在喷淋槽内的传送带上，在传送带能够将抛盘传送至卸载口的过程中，喷头向抛盘上喷射保护液，当传送带将抛盘传送至卸载口处时，卸载台向上运动以将抛盘顶升起来并与传送带分离，并使抛盘与回收片盒的开口相对，高压水喷头将抛盘上的产品喷射入回收片盒内，实现了使抛盘上的产品在卸载过程一直处于湿润状态，便于产品后续的清洗操作。
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公开(公告)号：CN116072512A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202111272263.4
申请日：2021-10-29
申请人： 上海超硅半导体股份有限公司 , 重庆超硅半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种减少再生晶圆再生后表面有机沾污的方法，其特征在于：将有多层不同膜层的再生晶圆分层分次的剥离，在剥离前都使用SPM溶液清洗一次以去除表面或层间残留的各类有机脏污；所述方法，可以把再生晶圆每层膜层表面沾染的有机脏污清洗干净以保障后续化学腐蚀液可以均匀完整的剥离膜层来获得表面高洁净度的裸硅晶圆，有效减少了膜层剥离后脏污片的产生，也就减少了需要研磨去除脏污来获得表面高洁净度的裸硅晶圆的数量；整体提高了再生晶圆的有效可用厚度，提高了晶圆再生利用成品率降低了IC制造企业生产成本。
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公开(公告)号：CN112757161B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202011633942.5
申请日：2020-12-31
申请人： 上海超硅半导体股份有限公司 , 重庆超硅半导体有限公司
IPC分类号： B24B53/017
摘要： 本发明公开了一种抛光载具的修整方法，属于抛光技术领域。修整方法包括：根据所述抛光载具的待修整面的现有形貌和修整完成后需要得到的目标形貌选取调整垫片；将所述调整垫片放置于所述抛光载具与待修整面相对设置的另一面上；抛光装置对所述抛光载具的待修整面进行抛光操作，通过磨削待修整面完成修整；所述调整垫片能够改变待修整面在沿远离其旋转中心的方向上的不同位置处的磨削量。本发明有效解决了抛光载具与待抛光件的接触面形状统一，且易磨损、更换成本高等问题。
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公开(公告)号：CN109187580B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201811296337.6
申请日：2018-11-01
申请人： 上海超硅半导体股份有限公司 , 重庆超硅半导体有限公司
IPC分类号： G01N21/95
摘要： 本发明公开了一种硅晶抛光片缺陷的检测方法，所述检测方法包括：在暗室环境中，将聚光光源垂直照射在预先清洗的硅晶抛光片上，从而检测硅晶抛光片缺陷，其中聚光光源的照度高于40万勒；所述检测方法简单易行，且不需要昂贵的专业设备，大大降低了生产成本；效果直观，可通过肉眼直接鉴别；培训成本低，见效快，可立即投入使用，因此适用于硅晶圆片领域。
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公开(公告)号：CN109352513B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201811524272.6
申请日：2018-12-13
申请人： 上海超硅半导体有限公司 , 重庆超硅半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种晶圆抛光方法，使用单面抛光机对晶圆进行双面抛光，单面抛光机包括抛盘、抛光模板和抛光盘，抛光模板与抛盘连接；晶圆抛光方法包括：提供一晶圆，晶圆包括第一待抛光面和第二待抛光面，第一待抛光面与第二待抛光面相对设置；将晶圆放置于抛光模板中，暴露出第一待抛光面；使用抛光盘对第一待抛光面进行抛光；取出晶圆；将晶圆放置于抛光模板中，暴露出第二待抛光面；使用抛光盘对第二待抛光面进行抛光。该晶圆抛光方法，实现使用单面抛光机完成晶圆的双面抛光的目的，降低成本，满足了低端市场对于晶圆的需求。
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公开(公告)号：CN110682204A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201911140007.2
申请日：2019-11-20
申请人： 上海超硅半导体有限公司 , 重庆超硅半导体有限公司
摘要： 本发明涉及抛光辅助设备技术领域，尤其涉及一种卸载装置及化学机械抛光辅助设备。本发明提供的卸载装置，包括抛盘、喷淋机构、回收机构、传送机构和卸载机构，喷淋机构包括喷淋槽和多组喷头，回收机构包括回收片盒，传送机构包括传送带，卸载机构包括卸载台和高压水喷头。该卸载装置，通过将抛盘放置在喷淋槽内的传送带上，在传送带能够将抛盘传送至卸载口的过程中，喷头向抛盘上喷射保护液，当传送带将抛盘传送至卸载口处时，卸载台向上运动以将抛盘顶升起来并与传送带分离，并使抛盘与回收片盒的开口相对，高压水喷头将抛盘上的产品喷射入回收片盒内，实现了使抛盘上的产品在卸载过程一直处于湿润状态，便于产品后续的清洗操作。
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公开(公告)号：CN109352513A
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201811524272.6
申请日：2018-12-13
申请人： 上海超硅半导体有限公司 , 重庆超硅半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种晶圆抛光方法，使用单面抛光机对晶圆进行双面抛光，单面抛光机包括抛盘、抛光模板和抛光盘，抛光模板与抛盘连接；晶圆抛光方法包括：提供一晶圆，晶圆包括第一待抛光面和第二待抛光面，第一待抛光面与第二待抛光面相对设置；将晶圆放置于抛光模板中，暴露出第一待抛光面；使用抛光盘对第一待抛光面进行抛光；取出晶圆；将晶圆放置于抛光模板中，暴露出第二待抛光面；使用抛光盘对第二待抛光面进行抛光。该晶圆抛光方法，实现使用单面抛光机完成晶圆的双面抛光的目的，降低成本，满足了低端市场对于晶圆的需求。
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公开(公告)号：CN110900438A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911311374.4
申请日：2019-12-18
申请人： 上海超硅半导体有限公司 , 重庆超硅半导体有限公司
IPC分类号： B24B37/10 , B24B37/20 , B24B37/30 , H01L21/304
摘要： 本发明公开了一种晶圆抛光装置及方法，该晶圆抛光装置包括抛光载具和厚度可调抛光垫片，所述抛光载具包括抛光载具槽，在晶圆抛光过程中，所述厚度可调抛光垫片设置于所述抛光载具槽内，晶圆设置于所述厚度可调抛光垫片上；所述抛光载具槽的槽深h1、所述厚度可调抛光垫片的厚度h2以及所述晶圆的厚度h3满足h2+h3>h1。实现了延长晶圆抛光装置的使用寿命，又可提高晶圆的平整度，抛光过程简单易行等效果。
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公开(公告)号：CN109461653A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811344395.1
申请日：2018-11-13
申请人： 上海超硅半导体有限公司 , 重庆超硅半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/3213 , C23F1/16
摘要： 本发明公开了一种硅返抛片金属膜层的剥离方法，该方法包括：将含有金属膜层的硅返抛片在第一清洗液中浸泡；将所述硅返抛片置于第二清洗液浸泡；将所述硅返抛片浸入清洗剂溶液中超声清洗；将所述硅返抛片进行去离子水溢流超声清洗；将所述硅返抛片甩干；其中，所述第一清洗液包括HF与HCl；所述第二清洗液包括HCl与H2O2。本发明实施例提供的技术方案，通过上述清洗工艺，大大缩短了反应时间，提升了生产效率，同时改善了金属膜层剥离后硅返抛片的良率。
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