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公开(公告)号：CN113173285B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202110563296.8
申请日：2021-05-24
申请人： 上海超硅半导体股份有限公司 , 重庆超硅半导体有限公司
摘要： 本发明涉及硅晶圆生产技术领域，具体公开一种硅晶圆的包装方法。该硅晶圆的包装方法包括如下步骤：步骤S1：将片盒放置于第一包装袋内，片盒内承载有硅晶圆；步骤S2：对第一包装袋抽真空，并对第一包装袋的开口进行压合，其中，第一包装袋内部的真空度为2KPa～20KPa；步骤S3：将包装有片盒的第一包装袋放置于第二包装袋内；步骤S4：对第二包装袋抽真空，并对第二包装袋的开口进行压合，其中，第二包装袋内部的真空度为2KPa～20KPa。该硅晶圆的包装方法，不仅能够实现较好的包装效果，保证运输过程中的安全性，还可以避免在取出硅晶圆的过程中硅晶圆的表面发生污染，保证硅晶圆的使用性能。
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公开(公告)号：CN115673978A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202110869386.X
申请日：2021-07-30
申请人： 上海超硅半导体股份有限公司 , 重庆超硅半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种抛光布整理辅助装置及使用方法，抛光布整理辅助装置包括：长度为L连接轴2，挡板6、挡板7、限位块9、限位块10、多个独立轴承结构部件3分别安装在连接轴2上，部件4、5结构一致，通过螺丝连接挡板6、7垂直于抛光机盘面1固定，部件4、5基于连接轴2左右对称，部件3上钢钉尖低于部件4、5底部水平面△h。本发明的目的在于提供一种装置以及使用方法，能够快速有效的进行抛光布的整理工作。
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公开(公告)号：CN114324394A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111627060.2
申请日：2021-12-28
申请人： 上海超硅半导体股份有限公司 , 重庆超硅半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种单晶硅片无缺陷区深度的测量方法。所述测量方法包括如下步骤：(1)使用光致发光成像光谱仪对单晶硅片进行分层缺陷密度测试，得到每层的缺陷分布图像，得到含有缺陷的缺陷区间；(2)对步骤(1)得到的缺陷区间进行进一步分层缺陷测试，确定累计缺陷个数为M颗时，距离单晶硅片表面的深度，即完成单晶硅片无缺陷区深度的测量；所述M≥1，且M为整数。本发明提供的测量方法简便精准，无需破坏单晶硅片试样，且容易保存试样进行重复测量。
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公开(公告)号：CN113611624A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110868906.5
申请日：2021-07-30
申请人： 上海超硅半导体股份有限公司 , 重庆超硅半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种硅片的夹具损伤的预测方法及装置、硅片，其中，硅片的夹具损伤的预测方法包括：获取硅片的边缘区域的设定区域在沿径向方向的厚度变化速率的快慢；所述径向方向由所述硅片的中心区域指向所述边缘区域；若所述设定区域的厚度变化速率的快慢超出安全速率区间，则判定所述硅片的表面处于易被夹具损伤的易损伤状态。本发明提供的技术方案，可降低夹具对硅片表面损伤的可能性，提高硅片质量。
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公开(公告)号：CN114324394B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202111627060.2
申请日：2021-12-28
申请人： 上海超硅半导体股份有限公司 , 重庆超硅半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种单晶硅片无缺陷区深度的测量方法。所述测量方法包括如下步骤：(1)使用光致发光成像光谱仪对单晶硅片进行分层缺陷密度测试，得到每层的缺陷分布图像，得到含有缺陷的缺陷区间；(2)对步骤(1)得到的缺陷区间进行进一步分层缺陷测试，确定累计缺陷个数为M颗时，距离单晶硅片表面的深度，即完成单晶硅片无缺陷区深度的测量；所述M≥1，且M为整数。本发明提供的测量方法简便精准，无需破坏单晶硅片试样，且容易保存试样进行重复测量。
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公开(公告)号：CN113325004A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110767105.X
申请日：2021-07-07
申请人： 上海超硅半导体股份有限公司 , 重庆超硅半导体有限公司
IPC分类号： G01N21/95
摘要： 本发明实施例公开了一种半导体晶片表面缺陷检测方法以及检测装置，该方法包括：获取第一标准片的第一标准缺陷，确定第一光接收系统接收的反射光强与第二光接收系统接收的反射光强之间的第一标准比值；获取第二标准片的第二标准缺陷，确定第一光接收系统接收的反射光强与所述第二光接收系统接收的反射光强之间的第二标准比值；将第一光接收系统接收的反射光强与第二光接收系统接收的反射光强的比值调整至第一标准比值与第二标准比值之间，以对待检测片的表面缺陷进行检测。采用上述技术方案，检测方法简单，同时还可以调整精度，以更加高效、有效的方法检测半导体晶片表面的缺陷。
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公开(公告)号：CN113611624B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202110868906.5
申请日：2021-07-30
申请人： 上海超硅半导体股份有限公司 , 重庆超硅半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种硅片的夹具损伤的预测方法及装置、硅片，其中，硅片的夹具损伤的预测方法包括：获取硅片的边缘区域的设定区域在沿径向方向的厚度变化速率的快慢；所述径向方向由所述硅片的中心区域指向所述边缘区域；若所述设定区域的厚度变化速率的快慢超出安全速率区间，则判定所述硅片的表面处于易被夹具损伤的易损伤状态。本发明提供的技术方案，可降低夹具对硅片表面损伤的可能性，提高硅片质量。
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公开(公告)号：CN116072512A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202111272263.4
申请日：2021-10-29
申请人： 上海超硅半导体股份有限公司 , 重庆超硅半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种减少再生晶圆再生后表面有机沾污的方法，其特征在于：将有多层不同膜层的再生晶圆分层分次的剥离，在剥离前都使用SPM溶液清洗一次以去除表面或层间残留的各类有机脏污；所述方法，可以把再生晶圆每层膜层表面沾染的有机脏污清洗干净以保障后续化学腐蚀液可以均匀完整的剥离膜层来获得表面高洁净度的裸硅晶圆，有效减少了膜层剥离后脏污片的产生，也就减少了需要研磨去除脏污来获得表面高洁净度的裸硅晶圆的数量；整体提高了再生晶圆的有效可用厚度，提高了晶圆再生利用成品率降低了IC制造企业生产成本。
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公开(公告)号：CN113325004B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202110767105.X
申请日：2021-07-07
申请人： 上海超硅半导体股份有限公司 , 重庆超硅半导体有限公司
IPC分类号： G01N21/95
摘要： 本发明实施例公开了一种半导体晶片表面缺陷检测方法以及检测装置，该方法包括：获取第一标准片的第一标准缺陷，确定第一光接收系统接收的反射光强与第二光接收系统接收的反射光强之间的第一标准比值；获取第二标准片的第二标准缺陷，确定第一光接收系统接收的反射光强与所述第二光接收系统接收的反射光强之间的第二标准比值；将第一光接收系统接收的反射光强与第二光接收系统接收的反射光强的比值调整至第一标准比值与第二标准比值之间，以对待检测片的表面缺陷进行检测。采用上述技术方案，检测方法简单，同时还可以调整精度，以更加高效、有效的方法检测半导体晶片表面的缺陷。
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公开(公告)号：CN112757161B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202011633942.5
申请日：2020-12-31
申请人： 上海超硅半导体股份有限公司 , 重庆超硅半导体有限公司
IPC分类号： B24B53/017
摘要： 本发明公开了一种抛光载具的修整方法，属于抛光技术领域。修整方法包括：根据所述抛光载具的待修整面的现有形貌和修整完成后需要得到的目标形貌选取调整垫片；将所述调整垫片放置于所述抛光载具与待修整面相对设置的另一面上；抛光装置对所述抛光载具的待修整面进行抛光操作，通过磨削待修整面完成修整；所述调整垫片能够改变待修整面在沿远离其旋转中心的方向上的不同位置处的磨削量。本发明有效解决了抛光载具与待抛光件的接触面形状统一，且易磨损、更换成本高等问题。
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