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公开(公告)号：CN115799045A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211504380.3
申请日：2022-11-29
申请人： 上海超硅半导体股份有限公司 , 重庆超硅半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种降低晶片表面颗粒度的清洁方法，所述方法包括如下步骤：S1，向旋转的晶片表面喷射氧化剂，在晶片表面形成均匀的氧化层；S2，向旋转的晶片表面喷射清洗剂，通过去除氧化层达到去除颗粒、有机物、金属杂质等各类污染物的目的；S3，向旋转的晶片表面再次喷射氧化剂，在晶片表面形成均匀的氧化层以保护晶片表面；S4，向旋转的晶片表面喷射去离子水，以对晶片表面进行漂洗；S5，向旋转的晶片表面喷射高纯氮气，以对晶片表面进行干燥。本发明是通过在不同转速下调节ULPA的输出功率来控制内部风压在不同阶段不同转速下保持0±2帕的稳定范围内的目的，减少了颗粒污染物在晶片表面的吸附，从而提高产品的良品率和可靠性。
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公开(公告)号：CN112757161B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202011633942.5
申请日：2020-12-31
申请人： 上海超硅半导体股份有限公司 , 重庆超硅半导体有限公司
IPC分类号： B24B53/017
摘要： 本发明公开了一种抛光载具的修整方法，属于抛光技术领域。修整方法包括：根据所述抛光载具的待修整面的现有形貌和修整完成后需要得到的目标形貌选取调整垫片；将所述调整垫片放置于所述抛光载具与待修整面相对设置的另一面上；抛光装置对所述抛光载具的待修整面进行抛光操作，通过磨削待修整面完成修整；所述调整垫片能够改变待修整面在沿远离其旋转中心的方向上的不同位置处的磨削量。本发明有效解决了抛光载具与待抛光件的接触面形状统一，且易磨损、更换成本高等问题。
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公开(公告)号：CN109187580B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201811296337.6
申请日：2018-11-01
申请人： 上海超硅半导体股份有限公司 , 重庆超硅半导体有限公司
IPC分类号： G01N21/95
摘要： 本发明公开了一种硅晶抛光片缺陷的检测方法，所述检测方法包括：在暗室环境中，将聚光光源垂直照射在预先清洗的硅晶抛光片上，从而检测硅晶抛光片缺陷，其中聚光光源的照度高于40万勒；所述检测方法简单易行，且不需要昂贵的专业设备，大大降低了生产成本；效果直观，可通过肉眼直接鉴别；培训成本低，见效快，可立即投入使用，因此适用于硅晶圆片领域。
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公开(公告)号：CN116772520A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310723527.6
申请日：2023-06-19
申请人： 上海超硅半导体股份有限公司 , 重庆超硅半导体有限公司
摘要： 本申请涉及半导体晶片制造领域，公开了一种去除晶圆盒湿度的方法，主要利用真空干燥原理，在用真空系统抽真空的同时，对被干燥晶圆盒适当不断加热，使晶圆盒内部的水分通过压力差或浓度差扩散到表面，水分子在晶圆盒表面获得足够的动能，在克服分子间的吸引力后，逃逸到真空室的低压空气中，从而被真空泵抽走除去。这样在不消耗大量气体的基础上就可以快速干净的去除晶圆盒表面的水汽。
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公开(公告)号：CN214237690U
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202023175840.1
申请日：2020-12-25
申请人： 上海超硅半导体股份有限公司 , 重庆超硅半导体有限公司
摘要： 本实用新型涉及化学机械技术领域，具体公开了一种晶圆卸片装置及晶圆卸片系统，其中，该晶圆卸片装置包括承载盒，承载盒的内部的底面为斜面结构，底面自上至下依次设有若干内径逐渐减小的承载槽，承载槽的承载面为斜面结构，底面与承载面的倾斜方向一致，承载槽的用于承载晶圆，晶圆能沿底面滑动至相应内径的承载槽内。由于承载槽的侧壁具有限位作用，晶圆在液体的波动下不会随意滑动，能够保持稳定的状态，能有效防止卸片时晶圆被划伤或摔碎，从而可以提高晶圆的成品率，提高产能和效率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN109352513B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201811524272.6
申请日：2018-12-13
申请人： 上海超硅半导体有限公司 , 重庆超硅半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种晶圆抛光方法，使用单面抛光机对晶圆进行双面抛光，单面抛光机包括抛盘、抛光模板和抛光盘，抛光模板与抛盘连接；晶圆抛光方法包括：提供一晶圆，晶圆包括第一待抛光面和第二待抛光面，第一待抛光面与第二待抛光面相对设置；将晶圆放置于抛光模板中，暴露出第一待抛光面；使用抛光盘对第一待抛光面进行抛光；取出晶圆；将晶圆放置于抛光模板中，暴露出第二待抛光面；使用抛光盘对第二待抛光面进行抛光。该晶圆抛光方法，实现使用单面抛光机完成晶圆的双面抛光的目的，降低成本，满足了低端市场对于晶圆的需求。
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公开(公告)号：CN109352513A
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201811524272.6
申请日：2018-12-13
申请人： 上海超硅半导体有限公司 , 重庆超硅半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种晶圆抛光方法，使用单面抛光机对晶圆进行双面抛光，单面抛光机包括抛盘、抛光模板和抛光盘，抛光模板与抛盘连接；晶圆抛光方法包括：提供一晶圆，晶圆包括第一待抛光面和第二待抛光面，第一待抛光面与第二待抛光面相对设置；将晶圆放置于抛光模板中，暴露出第一待抛光面；使用抛光盘对第一待抛光面进行抛光；取出晶圆；将晶圆放置于抛光模板中，暴露出第二待抛光面；使用抛光盘对第二待抛光面进行抛光。该晶圆抛光方法，实现使用单面抛光机完成晶圆的双面抛光的目的，降低成本，满足了低端市场对于晶圆的需求。
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公开(公告)号：CN109530374B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201811392601.6
申请日：2018-11-21
申请人： 上海超硅半导体有限公司 , 重庆超硅半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种晶圆盒清洗方法，所述晶圆盒清洗方法包括以下步骤：(1)使用乙醇溶液涂覆于晶圆盒表面，然后将晶圆盒敞开置于活性剂中浸泡；(2)将步骤(1)浸泡后的晶圆盒使用氢氟酸浸泡；(3)将步骤(2)浸泡后的晶圆盒使用工业清洗液浸泡；(4)将步骤(3)浸泡后的晶圆盒再次使用活性剂浸泡；(5)将步骤(4)浸泡后的晶圆盒装载到清洗装置上清洗、烘干得到洁净的晶圆盒；本发明所提供的清洗方法，使得清洗后的晶圆盒表面没有任何沾污，运输测试后，每片晶圆表面测量颗粒大于0.1μm的颗粒增加值小于5颗，同时每片晶圆表面金属含量小于1E10atoms/cm2，清洗效果显著，洁净效果优良。
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公开(公告)号：CN112757161A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202011633942.5
申请日：2020-12-31
申请人： 上海超硅半导体有限公司 , 重庆超硅半导体有限公司
IPC分类号： B24B53/017
摘要： 本发明公开了一种抛光载具的修整方法，属于抛光技术领域。修整方法包括：根据所述抛光载具的待修整面的现有形貌和修整完成后需要得到的目标形貌选取调整垫片；将所述调整垫片放置于所述抛光载具与待修整面相对设置的另一面上；抛光装置对所述抛光载具的待修整面进行抛光操作，通过磨削待修整面完成修整；所述调整垫片能够改变待修整面在沿远离其旋转中心的方向上的不同位置处的磨削量。本发明有效解决了抛光载具与待抛光件的接触面形状统一，且易磨损、更换成本高等问题。
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公开(公告)号：CN109530374A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811392601.6
申请日：2018-11-21
申请人： 上海超硅半导体有限公司 , 重庆超硅半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种晶圆盒清洗方法，所述晶圆盒清洗方法包括以下步骤：(1)使用乙醇溶液涂覆于晶圆盒表面，然后将晶圆盒敞开置于活性剂中浸泡；(2)将步骤(1)浸泡后的晶圆盒使用氢氟酸浸泡；(3)将步骤(2)浸泡后的晶圆盒使用工业清洗液浸泡；(4)将步骤(3)浸泡后的晶圆盒再次使用活性剂浸泡；(5)将步骤(4)浸泡后的晶圆盒装载到清洗装置上清洗、烘干得到洁净的晶圆盒；本发明所提供的清洗方法，使得清洗后的晶圆盒表面没有任何沾污，运输测试后，每片晶圆表面测量颗粒大于0.1μm的颗粒增加值小于5颗，同时每片晶圆表面金属含量小于1E10atoms/cm2，清洗效果显著，洁净效果优良。
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