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发明公开
一种降低表面颗粒的单片晶片清洗方法审中-公开

公开(公告)号：CN115799045A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202211504380.3

申请日：2022-11-29

申请人： 上海超硅半导体股份有限公司 , 重庆超硅半导体有限公司

发明人： 向齐涛 , 柏友荣 , 陈杰 , 刘浦锋 , 聂环 , 陈猛

IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67

摘要： 本发明提供一种降低晶片表面颗粒度的清洁方法，所述方法包括如下步骤：S1，向旋转的晶片表面喷射氧化剂，在晶片表面形成均匀的氧化层；S2，向旋转的晶片表面喷射清洗剂，通过去除氧化层达到去除颗粒、有机物、金属杂质等各类污染物的目的；S3，向旋转的晶片表面再次喷射氧化剂，在晶片表面形成均匀的氧化层以保护晶片表面；S4，向旋转的晶片表面喷射去离子水，以对晶片表面进行漂洗；S5，向旋转的晶片表面喷射高纯氮气，以对晶片表面进行干燥。本发明是通过在不同转速下调节ULPA的输出功率来控制内部风压在不同阶段不同转速下保持0±2帕的稳定范围内的目的，减少了颗粒污染物在晶片表面的吸附，从而提高产品的良品率和可靠性。