-
公开(公告)号：CN1773858A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN200510119449.0
申请日：2005-11-10
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/08
CPC classification number: H02M7/53873 , H02M1/088
Abstract: 本发明提供一种抑制电涌的功率半导体装置。在功率半导体装置中，具备：串联连接的1对高压侧以及低压侧的功率开关半导体元件、反向连接在各功率开关半导体元件上的飞轮二极管、以及按每个功率开关半导体元件进行配置并基于输入信号向该功率开关半导体元件的栅极提供驱动信号的栅极驱动电路，并且，为抑制电涌的影响，例如在低压侧的栅极驱动电路和向该栅极驱动电路提供电源电压的控制电源电路之间插入二极管。或在栅极驱动电路和用于提供输入信号的输入端子之间插入二极管。
-
公开(公告)号：CN101110410A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710086302.5
申请日：2007-03-13
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L25/00 , H01L25/18 , H01L23/488
CPC classification number: H02M7/003 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/49113 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 功率半导体模块M由从外部供给单极性电用的框架F1、F5、串联连接在框架F1与F5之间的开关元件S6、S3、将通过各开关元件S6、S3的导通以及切断生成的交流电向外部输出用的框架F2、电连接开关元件S3与框架F5之间用的连接线L3、接近框架F2配置的框架F6、电连接开关元件S3与框架F6之间用的分支线J1等构成，在框架F2的端子W与追加的框架F6的端子T1之间连接外部的缓冲电路SN2。根据这样的结构，能够使用外部的缓冲电路充分抑制模块内部产生的电涌电压。
-
公开(公告)号：CN100334705C
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200410059314.5
申请日：2004-06-15
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/34 , H01L23/62 , H01L2224/48091 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/19107 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H02M7/003 , H02M2001/0009 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体功率模块，检测主电路电流而不使用分流电阻，同时可降低模块的布线电感。该半导体功率模块包括检测流过半导体功率元件的主电路电流的检测部(12b)。检测部包括：第一和第二电路图形(14b、15b)；与第一和第二电路图形在键合点(C、D)连接的键合线(16)；以及从键合点(C、D)附近分别突出的一对端子图形(18b、19b)。通过从第一电路图形通过键合线向第二电路图形流过主电路电流，并检测一对端子图形间的电位差，检测在键合线的两端间产生的电位差。第一或第二电路图形包括与键合线相邻并且大致平行地延长的区域(G)。流过区域(G)和键合线的主电路电流的方向为大致相反方向。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1744423A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200510078519.2
申请日：2005-06-08
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H02H7/0838 , H02H3/06
Abstract: 分流电阻(50)产生的分流电压输入到过电流检测部件(22)。过电流检测部件(22)检出过电流时，将表现电流异常的电流异常信号输入到复位信号输出部件(24)。复位信号输出部件(24)根据输入的电流异常信号存储异常的发生后，等待异常的恢复。根据输入的电流异常信号未能检出过电流时，复位信号输出部件(24)判断为已从异常恢复，并将由开始动作的H电平的脉冲信号构成的复位信号，从复位端子(RESET)输入到故障信号输出电路(17)。输入复位信号的故障信号输出电路(17)将从L电平转换到H电平的H电平的故障信号输入到下臂驱动电路(14)。提供可降低制造成本的功率半导体装置的控制用电路及控制用集成电路。
-
公开(公告)号：CN1744423B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN200510078519.2
申请日：2005-06-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02H7/085
CPC classification number: H02H7/0838 , H02H3/06
Abstract: 功率半导体装置的控制用电路及控制用集成电路分流电阻(50)产生的分流电压输入到过电流检测部件(22)。过电流检测部件(22)检出过电流时，将表现电流异常的电流异常信号输入到复位信号输出部件(24)。复位信号输出部件(24)根据输入的电流异常信号存储异常的发生后，等待异常的恢复。根据输入的电流异常信号未能检出过电流时，复位信号输出部件(24)判断为已从异常恢复，并将由开始动作的H电平的脉冲信号构成的复位信号，从复位端子(RESET)输入到故障信号输出电路(17)。输入复位信号的故障信号输出电路(17)将从L电平转换到H电平的H电平的故障信号输入到下臂驱动电路(14)。提供可降低制造成本的功率半导体装置的控制用电路及控制用集成电路。
-
公开(公告)号：CN100524742C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200710086302.5
申请日：2007-03-13
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L25/00 , H01L25/18 , H01L23/488
CPC classification number: H02M7/003 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/49113 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 功率半导体模块M由从外部供给单极性电用的框架F1、F5、串联连接在框架F1与F5之间的开关元件S6、S3、将通过各开关元件S6、S3的导通以及切断生成的交流电向外部输出用的框架F2、电连接开关元件S3与框架F5之间用的连接线L3、接近框架F2配置的框架F6、电连接开关元件S3与框架F6之间用的分支线J1等构成，在框架F2的端子W与追加的框架F6的端子T1之间连接外部的缓冲电路SN2。根据这样的结构，能够使用外部的缓冲电路充分抑制模块内部产生的电涌电压。
-
公开(公告)号：CN1577785A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410059314.5
申请日：2004-06-15
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/34 , H01L23/62 , H01L2224/48091 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/19107 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H02M7/003 , H02M2001/0009 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体功率模块，检测主电路电流而不使用分流电阻，同时可降低模块的布线电感。该半导体功率模块包括检测流过半导体功率元件的主电路电流的检测部(12b)。检测部包括：第一和第二电路图形(14b、15b)；与第一和第二电路图形在键合点(C、D)连接的键合线(16)；以及从键合点(C、D)附近分别突出的一对端子图形(18b、19b)。通过从第一电路图形通过键合线向第二电路图形流过主电路电流，并检测一对端子图形间的电位差，检测在键合线的两端间产生的电位差。第一或第二电路图形包括与键合线相邻并且大致平行地延长的区域(G)。流过区域(G)和键合线的主电路电流的方向为大致相反方向。
-
公开(公告)号：CN1452305A
公开(公告)日：2003-10-29
申请号：CN02154351.8
申请日：2002-11-25
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03K17/16 , H02J17/00 , H03K17/0826
Abstract: 一种可防止因加于半导体元件开关动作控制电路的预定端子间的浪涌电压造成控制电路损坏的电力半导体装置。该电力半导体装置中设有：串联连接于高压侧与低压侧的、由半导体元件SW1、SW2串联连接而成的半电桥电路，以及控制各半导体元件SW1、SW2的开关动作的、带有连接于控制电源高电位侧的电源输入端子Vcc的控制电路IC1、IC2。该装置中还设有：连接在控制低压侧半导体元件SW1的控制电路IC1的电源输入端子Vcc和低压侧半导体元件SW1的低压侧端子即发射极端子N1之间的齐纳二极管ZD。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.015 seconds)
