公开(公告)号：CN106796938A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201480081528.4

申请日：2014-08-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 高桥彻雄 ,  瓜生胜美

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0635 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/417 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/8613

Abstract: 具有：有源区域，其具有在第1导电型的衬底的上表面侧设置的第1导电型的发射极区域、在该衬底的上表面侧设置的第2导电型的基极区域和在该衬底的下表面侧设置的第2导电型的集电极层；以及二极管区域，其具有在该衬底的上表面侧设置的第2导电型的阳极层和在该衬底的下表面侧设置的第1导电型的阴极层，该阴极层在俯视图中与该有源区域分离，在该有源区域的上表面侧形成杂质浓度比该阳极层高的第2导电型的高浓度区域。

公开(公告)号：CN113471277A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110320182.0

申请日：2021-03-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 西井昭人 ,  原田辰雄 ,  瓜生胜美 ,  野村典嗣 ,  田中翔

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/861

Abstract: 提供能抑制外部配线和半导体层之间的电阻，且抑制在外部配线连接时由于异物而在半导体层出现损伤的频率的半导体装置。根据一个方式，半导体装置具有：缓冲层，其设置于第2半导体层的表面之上，在俯视观察时具有至少1个开口；以及电极，其设置于第2半导体层及缓冲层的上侧，通过至少1个开口与第2半导体层接触，缓冲层的维氏硬度比电极的维氏硬度高，在将缓冲层的厚度设为s，将电极的厚度设为t，Wth＝2×(s×t‑s2)0.5的情况下，至少1个开口各自的宽度w满足w

公开(公告)号：CN116956380A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310177839.1

申请日：2023-02-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 瓜生胜美 ,  大久野幸史 ,  野村典嗣

IPC: G06F30/12 ,  G06F30/20 ,  G06F111/20

Abstract: 本发明提供一种通过用户进行的坐标设定量少、计算负荷小的CAD上的构件自动配置方法。CAD上的构件自动配置方法具有构件条件取得工序、构件配置顺序取得工序、边界线取得工序、构件配置工序、边界线更新工序、第一重复工序、构件种类变更工序和第二重复工序。在构件条件取得工序中，取得针对构件的每个种类设定的、表示许可与构件相邻地配置的构件的种类的构件边界条件。在边界线取得工序中，取得针对配置区域的区域末端线和与X方向或者Y方向平行的边界线而设定的边界线边界条件。在构件配置工序中，将针对构件所设定的构件边界条件和针对在配置区域配置的边界线所设定的边界线边界条件进行比较，在一致时对构件进行配置。

公开(公告)号：CN112526313A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202010852061.6

申请日：2020-08-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 瓜生胜美 ,  凑忠玄 ,  中谷贵洋

IPC: G01R31/265

Abstract: 提供无需使用通过使用了加速器等大型的放射线设施的实验得到的数据，就能够对半导体元件的SEB耐性进行评价的SEB耐性评价装置及SEB耐性评价方法。SEB耐性评价方法具有以下步骤：在半导体元件的模型内配置激励光源；以及一边改变向半导体元件的模型的施加电压及激励光源的能量，一边求出使半导体元件热失控的激励光源的能量。

公开(公告)号：CN113471277B

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202110320182.0

申请日：2021-03-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 西井昭人 ,  原田辰雄 ,  瓜生胜美 ,  野村典嗣 ,  田中翔

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/861

Abstract: 提供能抑制外部配线和半导体层之间的电阻，且抑制在外部配线连接时由于异物而在半导体层出现损伤的频率的半导体装置。根据一个方式，半导体装置具有：缓冲层，其设置于第2半导体层的表面之上，在俯视观察时具有至少1个开口；以及电极，其设置于第2半导体层及缓冲层的上侧，通过至少1个开口与第2半导体层接触，缓冲层的维氏硬度比电极的维氏硬度高，在将缓冲层的厚度设为s，将电极的厚度设为t，Wth＝2×(s×t‑s2)0.5的情况下，至少1个开口各自的宽度w满足w

公开(公告)号：CN112526313B

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202010852061.6

申请日：2020-08-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 瓜生胜美 ,  凑忠玄 ,  中谷贵洋

IPC: G01R31/265

Abstract: 提供无需使用通过使用了加速器等大型的放射线设施的实验得到的数据，就能够对半导体元件的SEB耐性进行评价的SEB耐性评价装置及SEB耐性评价方法。SEB耐性评价方法具有以下步骤：在半导体元件的模型内配置激励光源；以及一边改变向半导体元件的模型的施加电压及激励光源的能量，一边求出使半导体元件热失控的激励光源的能量。

公开(公告)号：CN106796938B

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201480081528.4

申请日：2014-08-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 高桥彻雄 ,  瓜生胜美

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 具有：有源区域，其具有在第1导电型的衬底的上表面侧设置的第1导电型的发射极区域、在该衬底的上表面侧设置的第2导电型的基极区域和在该衬底的下表面侧设置的第2导电型的集电极层；以及二极管区域，其具有在该衬底的上表面侧设置的第2导电型的阳极层和在该衬底的下表面侧设置的第1导电型的阴极层，该阴极层在俯视图中与该有源区域分离，在该有源区域的上表面侧形成杂质浓度比该阳极层高的第2导电型的高浓度区域。