半导体装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108496249B

    公开(公告)日:2021-08-13

    申请号:CN201680079904.5

    申请日:2016-01-29

    Abstract: 具有:基板;多个半导体芯片,它们固定于该基板;绝缘板,其形成有贯穿孔;第1下部导体,其具有下部主体和下部凸出部,该下部主体形成于该绝缘板的下表面,与该多个半导体芯片中的任意者焊接,该下部凸出部与该下部主体相连,在俯视观察时该下部凸出部延伸至该绝缘板之外;第2下部导体,其形成于该绝缘板的下表面,与该多个半导体芯片中的任意者焊接;上部导体,其具有上部主体和上部凸出部,该上部主体形成于该绝缘板的上表面,该上部凸出部与该上部主体相连,在俯视观察时该上部凸出部延伸至该绝缘板之外;连接部,其设置于该贯穿孔,将该上部主体和该第2下部导体连接;第1外部电极,其与该下部凸出部连接;以及第2外部电极,其与该上部凸出部连接。

    半导体模块
    3.
    发明公开
    半导体模块 审中-公开

    公开(公告)号:CN112447700A

    公开(公告)日:2021-03-05

    申请号:CN202010888621.3

    申请日:2020-08-28

    Abstract: 本发明得到一种半导体模块,其能够提高绝缘性和构造可靠性。半导体元件(3、4)安装于绝缘电路基板(1)。印刷配线板(5)配置于绝缘电路基板(1)以及半导体元件(3、4)的上方,具有通孔(6a、6b、6c)。金属桩(9、10)的下端与半导体元件(3、4)的上表面接合。金属桩(9、10)具有将通孔(6a、6b、6c)贯通而接合的圆柱部(9b、9c、10b)。壳体(13)将绝缘电路基板(1)、半导体元件(3、4)、印刷配线板(5)以及金属桩(9、10)包围。封装材料(14)将壳体(13)的内部封装。

    功率半导体装置的制造方法及功率半导体装置

    公开(公告)号:CN110235243A

    公开(公告)日:2019-09-13

    申请号:CN201780084722.1

    申请日:2017-01-30

    Abstract: 向铜基座板(3)配置金属掩模(51)。在金属掩模(51)的多个开口部(53)填充焊膏(15),由此,在铜基座板(3)的铜板(5b、5c、5d)的每一者形成焊膏(15)的图案。在焊膏(15)的图案载置半导体元件(9、11)以及导电部件(13)。向铜基座板(3)配置金属掩模(55)。接下来,在金属掩模(55)的多个开口部(57)填充焊膏(17),由此,形成覆盖半导体元件(9、11)以及导电部件(13)这两者的焊膏(17)的图案。以与对应的焊膏(17)的图案接触的方式配置大容量中继基板(21)。通过在大于或等于200℃的温度条件下进行热处理,功率半导体装置(1)完成。

    功率半导体装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112750801A

    公开(公告)日:2021-05-04

    申请号:CN202011146157.7

    申请日:2020-10-23

    Abstract: 功率半导体装置(100)具有:功率半导体元件(10);控制电路(50),其对功率半导体元件(10)进行控制;控制基板(51),其安装有控制电路(50);盖(60),其以在第1方向(A)上与控制基板(51)的至少一部分重叠的方式配置;以及至少一个外部连接端子(70),其具有与控制基板(51)连接的第1部分(71)、与外部设备连接的第2部分(72)、以及位于第1部分(71)与第2部分(72)之间且与盖(60)固定的第3部分(73),第1部分(71)构成为压配合部。

    半导体装置
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108496249A

    公开(公告)日:2018-09-04

    申请号:CN201680079904.5

    申请日:2016-01-29

    CPC classification number: H01L25/07 H01L25/18

    Abstract: 具有:基板;多个半导体芯片,它们固定于该基板;绝缘板,其形成有贯穿孔;第1下部导体,其具有下部主体和下部凸出部,该下部主体形成于该绝缘板的下表面,与该多个半导体芯片中的任意者焊接,该下部凸出部与该下部主体相连,在俯视观察时该下部凸出部延伸至该绝缘板之外;第2下部导体,其形成于该绝缘板的下表面,与该多个半导体芯片中的任意者焊接;上部导体,其具有上部主体和上部凸出部,该上部主体形成于该绝缘板的上表面,该上部凸出部与该上部主体相连,在俯视观察时该上部凸出部延伸至该绝缘板之外;连接部,其设置于该贯穿孔,将该上部主体和该第2下部导体连接;第1外部电极,其与该下部凸出部连接;以及第2外部电极,其与该上部凸出部连接。

    功率半导体装置
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112750801B

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN202011146157.7

    申请日:2020-10-23

    Abstract: 功率半导体装置(100)具有:功率半导体元件(10);控制电路(50),其对功率半导体元件(10)进行控制;控制基板(51),其安装有控制电路(50);盖(60),其以在第1方向(A)上与控制基板(51)的至少一部分重叠的方式配置;以及至少一个外部连接端子(70),其具有与控制基板(51)连接的第1部分(71)、与外部设备连接的第2部分(72)、以及位于第1部分(71)与第2部分(72)之间且与盖(60)固定的第3部分(73),第1部分(71)构成为压配合部。

    功率半导体装置的制造方法及功率半导体装置

    公开(公告)号:CN110235243B

    公开(公告)日:2023-07-18

    申请号:CN201780084722.1

    申请日:2017-01-30

    Abstract: 向铜基座板(3)配置金属掩模(51)。在金属掩模(51)的多个开口部(53)填充焊膏(15),由此,在铜基座板(3)的铜板(5b、5c、5d)的每一者形成焊膏(15)的图案。在焊膏(15)的图案载置半导体元件(9、11)以及导电部件(13)。向铜基座板(3)配置金属掩模(55)。接下来,在金属掩模(55)的多个开口部(57)填充焊膏(17),由此,形成覆盖半导体元件(9、11)以及导电部件(13)这两者的焊膏(17)的图案。以与对应的焊膏(17)的图案接触的方式配置大容量中继基板(21)。通过在大于或等于200℃的温度条件下进行热处理,功率半导体装置(1)完成。

Patent Agency Ranking