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公开(公告)号：CN1053296C
公开(公告)日：2000-06-07
申请号：CN95120238.3
申请日：1995-12-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/105 , H01L21/335 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L27/10852
Abstract: 在一种半导体器件及其制造方法中，在邻接第二杂质区(6)的端部设置一隔离绝缘膜(2)，还带有延伸到半导体衬底(1)的凹槽。这就去掉了存在于隔离绝缘膜端部的晶体缺陷，因而防止了从存储结点(10)在此部分的漏电流。因此，在邻接杂质区的隔离氧化膜的端部的凹槽构造去掉了在此区域的晶体缺陷，于是消除了漏电的可能性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1222766A
公开(公告)日：1999-07-14
申请号：CN98123418.6
申请日：1995-12-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L27/108 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L27/10852
Abstract: 在一种半导体器件及其制造方法中,在邻接第二杂质区(6)的端部设置一隔离绝缘膜(2),还带有延伸到半导体衬底(1)的凹槽。这就去掉了存在于隔离绝缘膜端部的晶体缺陷,因而防止了从存储结点(10)在此部分的漏电流。因此,在邻接杂质区的隔离氧化膜的端部的凹槽构造去掉了在此区域的晶体缺陷,于是消除了漏电的可能性。
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公开(公告)号：CN1152432C
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN98123418.6
申请日：1995-12-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L27/108 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L27/10852
Abstract: 在一种半导体器件及其制造方法中，在邻接第二杂质区(6)的端部设置一隔离绝缘膜(2)，还带有延伸到半导体衬底(1)的凹槽。这就去掉了存在于隔离绝缘膜端部的晶体缺陷，因而防止了从存储结点(10)在此部分的漏电流。因此，在邻接杂质区的隔离氧化膜的端部的凹槽构造去掉了在此区域的晶体缺陷，于是消除了漏电的可能性。
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公开(公告)号：CN1110856C
公开(公告)日：2003-06-04
申请号：CN97125547.4
申请日：1997-12-12
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/108 , G01R31/3183
Abstract: 目的是得到一种在单一芯片上混合装载了SDRAM和逻辑电路的半导体集成电路装置。具备具有在普通的SDRAM核心中将从外部被输入的外部控制信号译码为内部控制信号的功能的SDRAM控制器。
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公开(公告)号：CN1195891A
公开(公告)日：1998-10-14
申请号：CN97125547.4
申请日：1997-12-12
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/108 , G01R31/3183
Abstract: 目的是得到一种在单一芯片上混合装载了SDRAM和逻辑电路的半导体集成电路装置。具备具有在普通的SDRAM核心中将从外部被输入的外部控制信号译码为内部控制信号的功能的SDRAM控制器。
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公开(公告)号：CN1132940A
公开(公告)日：1996-10-09
申请号：CN95120238.3
申请日：1995-12-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/105 , H01L21/335 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L27/10852
Abstract: 在一种半导体器件及其制造方法中，在邻接第二杂质区(6)的端部设置一隔离绝缘膜(2)，还带有延伸到半导体衬底(1)的凹槽。这就去掉了存在于隔离绝缘膜端部的晶体缺陷，因而防止了从存储结点(10)在此部分的漏电流。因此，在邻接杂质区的隔离氧化膜的端部的凹槽构造去掉了在此区域的晶体缺陷，于是消除了漏电的可能性。
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