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公开(公告)号：CN114068695B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202110836558.3
申请日：2021-07-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/861 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供减少元件损坏的半导体装置。半导体装置包含半导体基板、晶体管区域、二极管区域、边界沟槽栅极以及载流子控制区域。边界沟槽栅极设置于晶体管区域与二极管区域之间的边界部。载流子控制区域被作为半导体基板的表层而设置于比位于边界沟槽栅极与沟槽栅极之间的源极层更靠近边界沟槽栅极处。该载流子控制区域所包含的第1导电型的杂质浓度比源极层所包含的第1导电型的杂质浓度高，或者，该载流子控制区域所包含的第2导电型的杂质浓度比源极层所包含的第2导电型的杂质浓度低。
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公开(公告)号：CN118817710A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410433476.8
申请日：2024-04-11
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明提供缩短微管缺陷的检测时间的半导体检查装置。半导体检查装置包括缺陷检测部(2)及控制部(4)。缺陷检测部(2)对具有第1主面(6A)和第2主面(6B)且包括向预定的方向以偏离角倾斜的SiC晶体的半导体晶片，检查第1主面(6A)来检测第1主面(6A)所包含的晶体缺陷即第1缺陷(7A)，检查第2主面(6B)来检测第2主面(6B)所包含的晶体缺陷即第2缺陷(7B)。控制部(4)在由缺陷检测部(2)检测第2缺陷(7B)时以对半导体晶片的第(2)主面(6B)的一部分区域即检查区域进行检查的方式控制缺陷检测部(2)。该检查区域基于第1缺陷(7A)的检测位置、半导体晶片的厚度(T)及偏离角(θ)决定。
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公开(公告)号：CN113903800B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202110747725.7
申请日：2021-07-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明涉及半导体装置。本发明的目的在于提供能够抑制电流感测区域的沟道与阴极层之间的干涉，并且尽可能减小该沟道与该阴极层之间的距离的技术。在将从第1半导体层的沟道至集电极层以及阴极层的另一者即第3半导体层为止的沿着面内方向的第1距离设为W，将从第1半导体层的沟道至第2半导体层为止的第2距离设为S，将半导体基板中的从第1半导体层的沟道至第3半导体层为止之间的部分的扩散系数以及寿命分别设为D以及τ的情况下，预先确定的关系式成立。
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公开(公告)号：CN106298881B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201610096571.9
申请日：2016-02-22
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 提供一种抑制了在半导体层产生与热应力相伴的裂纹的半导体装置。发射极电极(120)具有第1电极层(121)、第2电极层(122)以及第3电极层(123)。第1～3电极层(121～123)依次层叠在发射极层(106)之上。在第3电极层(123)还层叠有焊料层(130)。第1电极层(121)在半导体芯片(102)的表面覆盖发射极层(106)以及栅极氧化膜(109)。形成第1电极层(121)的第1导电性材料以AlSi为主要成分。构成第2电极层(122)的第2导电性材料具有与第1导电性材料不同的线膨胀系数，且与第1导电性材料相比机械强度较低。构成第3电极层(123)的第3导电性材料具有与第1导电性材料不同的线膨胀系数，且焊料浸润性与第1电极层(121)相比较高。
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公开(公告)号：CN106298881A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610096571.9
申请日：2016-02-22
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 提供一种抑制了在半导体层产生与热应力相伴的裂纹的半导体装置。发射极电极(120)具有第1电极层(121)、第2电极层(122)以及第3电极层(123)。第1～3电极层(121～123)依次层叠在发射极层(106)之上。在第3电极层(123)还层叠有焊料层(130)。第1电极层(121)在半导体芯片(102)的表面覆盖发射极层(106)以及栅极氧化膜(109)。形成第1电极层(121)的第1导电性材料以AlSi为主要成分。构成第2电极层(122)的第2导电性材料具有与第1导电性材料不同的线膨胀系数，且与第1导电性材料相比机械强度较低。构成第3电极层(123)的第3导电性材料具有与第1导电性材料不同的线膨胀系数，且焊料浸润性与第1电极层(121)相比较高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101136431A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710129017.7
申请日：2007-06-29
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 大木博文
IPC: H01L29/739 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/4236 , H01L29/66348
Abstract: 本发明目的在于提供能降低ON电压及损耗的功率用半导体装置。本发明的特征在于，具有L形沟槽式栅极(3)，从p基层(2)的表面起沿相对于n－层(1)的第一主面的垂直方向形成到n－层(1)内的位置，沿相对于n－层(1)的第一主面的平行方向设有向一侧延伸出预定长度的底部(3d)，进而，使预定的相邻的L形沟槽式栅极(3)底部(3d)的延伸方向相对，各底部(3d)的间隔比形成在相对于n－层(1)的第一主面的垂直方向上的部分的间隔窄。
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公开(公告)号：CN118990320A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410574267.5
申请日：2024-05-10
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明提供能够在保持了晶片的一方的面的状态下磨削所保持的面的半导体制造装置。半导体制造装置具备：第1主面保持部(1)，在俯视观察时，与晶片(10)的第1主面(10a)的中央部抵接，而保持晶片(10)；和第1磨削部(3)，以在俯视观察时与晶片(10)的中心重叠并沿与第1主面(10a)垂直的方向延伸的旋转轴(9)为中心旋转，与第1主面(10a)的包围中央部的区域亦即外周部抵接而磨削第1主面(10a)的外周部。
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公开(公告)号：CN114068695A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110836558.3
申请日：2021-07-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/861 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供减少元件损坏的半导体装置。半导体装置包含半导体基板、晶体管区域、二极管区域、边界沟槽栅极以及载流子控制区域。边界沟槽栅极设置于晶体管区域与二极管区域之间的边界部。载流子控制区域被作为半导体基板的表层而设置于比位于边界沟槽栅极与沟槽栅极之间的源极层更靠近边界沟槽栅极处。该载流子控制区域所包含的第1导电型的杂质浓度比源极层所包含的第1导电型的杂质浓度高，或者，该载流子控制区域所包含的第2导电型的杂质浓度比源极层所包含的第2导电型的杂质浓度低。
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公开(公告)号：CN113903800A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202110747725.7
申请日：2021-07-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明涉及半导体装置。本发明的目的在于提供能够抑制电流感测区域的沟道与阴极层之间的干涉，并且尽可能减小该沟道与该阴极层之间的距离的技术。在将从第1半导体层的沟道至集电极层以及阴极层的另一者即第3半导体层为止的沿着面内方向的第1距离设为W，将从第1半导体层的沟道至第2半导体层为止的第2距离设为S，将半导体基板中的从第1半导体层的沟道至第3半导体层为止之间的部分的扩散系数以及寿命分别设为D以及τ的情况下，预先确定的关系式成立。
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公开(公告)号：CN100565915C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200710129017.7
申请日：2007-06-29
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 大木博文
IPC: H01L29/739 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/4236 , H01L29/66348
Abstract: 本发明目的在于提供能降低ON电压及损耗的功率用半导体装置。本发明的特征在于，具有L形沟槽式栅极(3)，从p基层(2)的表面起沿相对于n-层(1)的第一主面的垂直方向形成到n-层(1)内的位置，沿相对于n-层(1)的第一主面的平行方向设有向一侧延伸出预定长度的底部(3d)，进而，使预定的相邻的L形沟槽式栅极(3)底部(3d)的延伸方向相对，各底部(3d)的间隔比形成在相对于n-层(1)的第一主面的垂直方向上的部分的间隔窄。
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