-
公开(公告)号：CN113903800B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202110747725.7
申请日：2021-07-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明涉及半导体装置。本发明的目的在于提供能够抑制电流感测区域的沟道与阴极层之间的干涉，并且尽可能减小该沟道与该阴极层之间的距离的技术。在将从第1半导体层的沟道至集电极层以及阴极层的另一者即第3半导体层为止的沿着面内方向的第1距离设为W，将从第1半导体层的沟道至第2半导体层为止的第2距离设为S，将半导体基板中的从第1半导体层的沟道至第3半导体层为止之间的部分的扩散系数以及寿命分别设为D以及τ的情况下，预先确定的关系式成立。
-
公开(公告)号：CN113764521B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202110593985.3
申请日：2021-05-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L29/861
Abstract: 提供提高了恢复动作时的破坏耐量的半导体装置。半导体装置具有彼此相邻地设置于半导体基板的IGBT区域及二极管区域，该半导体装置具有：边界沟槽，其在俯视观察时在IGBT区域和二极管区域相邻的位置处，具有位于比有源沟槽或哑沟槽深的漂移层处的底面，边界沟槽具有将底面和第1主面连接且彼此相对的一个侧壁及另一个侧壁；以及边界沟槽栅极电极，其隔着边界沟槽绝缘膜面向基极层、阳极层及漂移层，在底面、一个侧壁和另一个侧壁被边界沟槽绝缘膜覆盖的边界沟槽的内部，遍及面向漂移层的区域且从边界沟槽的一个侧壁遍及至另一个侧壁而设置。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117790550A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311231574.5
申请日：2023-09-22
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06
Abstract: 目的在于得到能够减小电容的半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明涉及的半导体装置具有：半导体层，其形成有沟槽；埋入电极，其设置于所述沟槽的内部；上部电极，其在所述沟槽的内部设置于所述埋入电极的上方；绝缘膜，其设置于所述沟槽的内部；第1电极，其设置于所述半导体层的上表面；以及第2电极，其设置于所述半导体层的下表面，所述绝缘膜具有位于所述埋入电极与所述沟槽的侧壁之间的第1部分、位于所述上部电极与所述沟槽的侧壁之间的第2部分和位于所述埋入电极与所述上部电极之间的第3部分，所述上部电极的下表面的中央部凹陷。
-
公开(公告)号：CN113903800A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202110747725.7
申请日：2021-07-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明涉及半导体装置。本发明的目的在于提供能够抑制电流感测区域的沟道与阴极层之间的干涉，并且尽可能减小该沟道与该阴极层之间的距离的技术。在将从第1半导体层的沟道至集电极层以及阴极层的另一者即第3半导体层为止的沿着面内方向的第1距离设为W，将从第1半导体层的沟道至第2半导体层为止的第2距离设为S，将半导体基板中的从第1半导体层的沟道至第3半导体层为止之间的部分的扩散系数以及寿命分别设为D以及τ的情况下，预先确定的关系式成立。
-
公开(公告)号：CN118676193A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410291798.3
申请日：2024-03-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L21/329 , H01L29/423
Abstract: 本发明的目的在于得到能够抑制栅极绝缘膜的表面的凹凸的半导体装置以及半导体装置的制造方法。本公开所涉及的半导体装置具备：基板；第一电极，设置于上述基板的第一面；第二电极，设置于上述基板的与上述第一面相反侧的第二面；埋入电极，设置于沟槽的内部，该沟槽形成于上述基板的上述第一面；上部电极，设置于上述沟槽的内部，且设置于比上述埋入电极靠上述第一面侧的位置；以及栅极绝缘膜，将上述沟槽的侧壁、上述埋入电极以及上述上部电极电分离，上述栅极绝缘膜具有将上述埋入电极与上述上部电极分离的分离部分，上述埋入电极具有下部层和改性层，该改性层设置于比上述下部层靠近上述分离部分的位置，上述改性层的晶粒直径比上述下部层小。
-
公开(公告)号：CN119653796A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202410826681.0
申请日：2024-06-25
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种通过在半导体装置中降低沟槽端部的空穴密度来抑制电场的增加，并提高雪崩耐压的半导体装置。在位于半导体装置的外周区域(40)的沟槽(7)的延伸方向的外周部处，将下部电极(10)中的比上部电极(9)延伸到外侧的下部电极的延伸部(10a)以覆盖所述上部电极(9)的端部的方式，进一步延伸到所述半导体基板的上表面，使沟槽(7)的宽度在沟槽端部(7a)处最窄。
-
公开(公告)号：CN113764521A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110593985.3
申请日：2021-05-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L29/861
Abstract: 提供提高了恢复动作时的破坏耐量的半导体装置。半导体装置具有彼此相邻地设置于半导体基板的IGBT区域及二极管区域，该半导体装置具有：边界沟槽，其在俯视观察时在IGBT区域和二极管区域相邻的位置处，具有位于比有源沟槽或哑沟槽深的漂移层处的底面，边界沟槽具有将底面和第1主面连接且彼此相对的一个侧壁及另一个侧壁；以及边界沟槽栅极电极，其隔着边界沟槽绝缘膜面向基极层、阳极层及漂移层，在底面、一个侧壁和另一个侧壁被边界沟槽绝缘膜覆盖的边界沟槽的内部，遍及面向漂移层的区域且从边界沟槽的一个侧壁遍及至另一个侧壁而设置。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.026 seconds)
