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公开(公告)号：CN117790550A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311231574.5
申请日：2023-09-22
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06
Abstract: 目的在于得到能够减小电容的半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明涉及的半导体装置具有：半导体层，其形成有沟槽；埋入电极，其设置于所述沟槽的内部；上部电极，其在所述沟槽的内部设置于所述埋入电极的上方；绝缘膜，其设置于所述沟槽的内部；第1电极，其设置于所述半导体层的上表面；以及第2电极，其设置于所述半导体层的下表面，所述绝缘膜具有位于所述埋入电极与所述沟槽的侧壁之间的第1部分、位于所述上部电极与所述沟槽的侧壁之间的第2部分和位于所述埋入电极与所述上部电极之间的第3部分，所述上部电极的下表面的中央部凹陷。
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