公开(公告)号：CN101093848A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200710126225.1

申请日：2007-06-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 矢野伸一 ,  中堀正树 ,  石贺展昭

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/45 ,  H01L29/786 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明目的在于得到一种在源、漏电极的界面上接触特性较好的TFT阵列衬底及其制造方法。本发明的TFT阵列衬底具有TFT(108)，其包括欧姆接触膜(8)和形成在欧姆接触膜(8)上的源电极(9)以及漏电极(11)。还具有与漏电极(11)电连接的像素电极(18)。此外，源电极(9)以及漏电极(11)由含有Ni作为添加元素的Al合金形成。

公开(公告)号：CN1959980A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200610143663.4

申请日：2006-10-31

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 石贺展昭 ,  长山显祐 ,  宫本贤一 ,  中堀正树 ,  井上和式

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/48 ,  H01L29/43 ,  H01L27/12 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/4908 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明的TFT阵列基板(100)包括基板(10)、在基板(10)上按每个像素形成的像素电极(20)和对应于像素电极(20)在基板(10)上形成的TFT元件(30)。而且，与TFT元件(30)连接的电极/布线(31、32、34、331)和电容电极(40)等含有由上层膜(31b、32b、34b、331b)及下层膜(31a、32a、34a、331a)积层而形成的积层体，下层膜(31a)等由包含1种以上的元素周期表第8族元素的铝合金形成，上层膜(31b)等通过在下层膜(31a)等上淀积，用包含1种以上元素周期表第8族元素及氮的铝合金形成。从而，能够以简单的结构简易地实现耐碱性优良、加工精度高的导电体结构。

公开(公告)号：CN100517734C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200710126225.1

申请日：2007-06-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 矢野伸一 ,  中堀正树 ,  石贺展昭

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/45 ,  H01L29/786 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明目的在于得到一种在源、漏电极的界面上接触特性较好的TFT阵列衬底及其制造方法。本发明的TFT阵列衬底具有TFT(108)，其包括欧姆接触膜(8)和形成在欧姆接触膜(8)上的源电极(9)以及漏电极(11)。还具有与漏电极(11)电连接的像素电极(18)。此外，源电极(9)以及漏电极(11)由含有Ni作为添加元素的Al合金形成。

公开(公告)号：CN1869795A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200610067375.5

申请日：2006-03-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中堀正树 ,  石贺展昭 ,  长山显祐 ,  吉田卓司

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/133

CPC classification number: G02F1/133555 ,  G02F1/133371 ,  G02F1/136227

Abstract: 提供一种能够不降低反射率、不增加步骤数、以较低成本、并且抑制电池腐蚀的产生而以较高的成品率制造出来的不产生闪烁或者液晶烧毁的液晶显示装置。以相同的掩模图形对反射像素电极(11)(第3金属膜)和其上层的第2透明导电膜(12)进行构图，使用相同的刻蚀液一并进行湿法刻蚀处理。将第2透明导电膜(12)的膜厚制作成大于等于5nm而小于等于15nm，由此，可防止显影液对反射像素电极的侵蚀，防止基底的像素电极发生电池反应所引起的腐蚀，以高成品率进行制造。并且，可减小与对置电极衬底的透明公共电极的功函数差，无需增加步骤数并以较低成本即可制造出不产生闪烁或者液晶烧毁的液晶显示装置。

公开(公告)号：CN101251693A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200810080545.2

申请日：2008-02-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中堀正树 ,  木村初美 ,  后藤文弘 ,  荒木利夫

IPC: G02F1/1362 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/0657 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/124 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明提供一种可靠性、生产性优良并且高分辨率的有源矩阵型液晶显示装置。本发明的液晶显示装置具有形成在透明绝缘衬底(1)上的栅电极布线(2)、覆盖所述栅电极布线(2)的栅极绝缘膜(3)、形成在所述栅极绝缘膜(3)上的半导体层(10)、形成在所述半导体层(10)上的源电极(6b)、源极布线(6a)以及漏电极(7)、与所述漏电极(7)连接的像素电极(9)。在所述半导体层(10)中，构成TFT的TFT部(10b)、形成在所述源极布线(6a)与所述栅电极布线(2)交叉的区域的源极栅极交叉部(10a)、连接所述TFT部(10b)与源极栅极交叉部的连接部(10a)一体地形成，由所述源电极(6b)以及源极布线(6a)覆盖所述半导体层的连接部(10c)的全部以及源极栅极交叉部(10a)连接部(10c)侧的一部分。

公开(公告)号：CN1869796A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200610068241.5

申请日：2006-03-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中堀正树 ,  内田祐介 ,  长山显祐 ,  石贺展昭

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1343 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/133555 ,  G02F1/13439 ,  H01L27/14621

Abstract: 本发明的目的在于：提供一种液晶显示装置，即使使用预定的蚀刻剂，按预定的形状图形化非晶质的导电性膜，形成保护绝缘膜使之覆盖该图形化了的导电性膜，也能够防止该保护绝缘膜的异常生长。本发明的一个例子的液晶显示装置，在上面形成有薄膜晶体管的玻璃基板1与在上面形成有对置电极的滤色基板16之间，密封液晶。而且，像素电极10与薄膜晶体管的漏电极连接。此外，通过具有透明性的保护绝缘膜13覆盖像素电极10。该像素电极10具有包含In与Zn的氧化化合物。