公开(公告)号：CN1959980A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200610143663.4

申请日：2006-10-31

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 石贺展昭 ,  长山显祐 ,  宫本贤一 ,  中堀正树 ,  井上和式

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/48 ,  H01L29/43 ,  H01L27/12 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/4908 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明的TFT阵列基板(100)包括基板(10)、在基板(10)上按每个像素形成的像素电极(20)和对应于像素电极(20)在基板(10)上形成的TFT元件(30)。而且，与TFT元件(30)连接的电极/布线(31、32、34、331)和电容电极(40)等含有由上层膜(31b、32b、34b、331b)及下层膜(31a、32a、34a、331a)积层而形成的积层体，下层膜(31a)等由包含1种以上的元素周期表第8族元素的铝合金形成，上层膜(31b)等通过在下层膜(31a)等上淀积，用包含1种以上元素周期表第8族元素及氮的铝合金形成。从而，能够以简单的结构简易地实现耐碱性优良、加工精度高的导电体结构。