公开(公告)号：CN1591795A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410057191.1

申请日：2004-08-27

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 奥田道则 ,  市桥由成 ,  山冈义和 ,  井上恭典 ,  田中友子

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/312 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。在含有Si、O和C的层间绝缘膜上形成多个贯通孔时，形成包括多个贯通孔的贯通孔群，和在孤立贯通孔的周围形成多个虚设贯通孔。和/或提高蚀刻气体中的含氮气体的含量。此外，使用含有C4F6的蚀刻气体，和不含C4F6的蚀刻气体依次进行蚀刻。和/或将下述式(1)定义的蚀刻气体中的碳含有率做成为5％以下。p＝X×(Qc/Q)×100…(1)；其中，X表示氟代烃CXFY中的碳组成比；Q表示蚀刻气体的全流量；Qc表示氟代烃CXFY的流量。

公开(公告)号：CN101714743A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910178590.6

申请日：2009-09-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 西川学 ,  太田洁 ,  市桥由成

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/343 ,  H01S5/22 ,  H01S5/02

Abstract: 本发明提供一种氮化物类半导体激光元件及其制造方法。该氮化物类半导体激光元件，具备：氮化物类半导体层，其形成于由氮化物类半导体构成的活性层上；和俯视时具有元件所需要的形状的电极层，该电极层包括：形成于氮化物类半导体层的与活性层相反侧的表面上且由Pt构成的第一金属层、形成于第一金属层的表面上且由Pd构成的第二金属层、和形成于第二金属层的表面上且由Pt构成的第三金属层。而且，第三金属层的厚度为第一金属层的厚度的10倍以上30倍以下。

公开(公告)号：CN100419993C

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN02140933.1

申请日：2002-07-10

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 市桥由成 ,  池田典弘 ,  后藤隆 ,  臼井良辅 ,  藤岛达也

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/485

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，即使在高度集成地设计该半导体器件时也能以高电可靠性形成连接孔。该半导体器件包括下层布线和形成在下层布线上并具有于下层布线连接的连接孔的层间绝缘膜。该方法包括通过刻蚀层间绝缘膜形成连接孔。连接孔使通过以下步骤形成的：在第一刻蚀条件下通过至少在下层布线附近的物理反应，刻蚀部分下层布线，并在保证相对于下层布线的选择率的第二刻蚀条件下，刻蚀部分层间绝缘膜。

公开(公告)号：CN1396649A

公开(公告)日：2003-02-12

申请号：CN02140933.1

申请日：2002-07-10

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 市桥由成 ,  池田典弘 ,  后藤隆 ,  臼井良辅 ,  藤岛达也

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/485

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，即使在高度集成地设计该半导体器件时也能以高电可靠性形成连接孔。该半导体器件包括下层布线和形成在下层布线上并具有于下层布线连接的连接孔的层间绝缘膜。该方法包括通过刻蚀层间绝缘膜形成连接孔。连接孔使通过以下步骤形成的：在第一刻蚀条件下通过至少在下层布线附近的物理反应，刻蚀部分下层布线，并在保证相对于下层布线的选择率的第二刻蚀条件下，刻蚀部分层间绝缘膜。