公开(公告)号：CN109390407A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201810812764.9

申请日：2018-07-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵宣基 ,  卢东贤

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L29/423 ,  H01L27/092

Abstract: 一种半导体装置包含：第一有源图案以及第二有源图案，在衬底上；第一源极/漏极区，在第一有源图案上；第二源极/漏极区，在第二有源图案上；以及装置隔离层，填充第一有源图案中的相邻第一有源图案之间的第一沟槽以及第二有源图案中的相邻第二有源图案之间的第二沟槽。内衬层设置在第二有源图案中的相邻第二有源图案之间的装置隔离层上。第一有源图案中的相邻第一有源图案之间的装置隔离层在第一源极/漏极区下方具有凹槽，且第二有源图案中的相邻第二有源图案之间的内衬层的底部表面高于凹槽。

公开(公告)号：CN106469758A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201610585329.8

申请日：2016-07-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成洙 ,  金松伊 ,  柳庚玟 ,  闵宣基

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L27/1233 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7846 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/7855

Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括限定有源区的深沟槽和在有源区内突出的鳍型图案。鳍型图案具有下部、比下部宽度窄的上部以及形成在上部和下部之间的边界处的第一台阶部。所述半导体器件还包括围绕下部的第一场绝缘膜和形成在第一场绝缘膜上且部分地围绕上部的第二场绝缘膜。

公开(公告)号：CN118553717A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202311547861.7

申请日：2023-11-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵宣基

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H01L27/092

Abstract: 一种半导体装置可以包括：衬底，其包括彼此间隔开的第一伪区域和第二伪区域、以及位于第一伪区域与第二伪区域之间的沟槽；器件隔离层，其填充第一伪区域与第二伪区域之间的沟槽；电介质结构，其位于器件隔离层上；层间电介质层，其位于电介质结构上；电力线，其位于层间电介质层上；电力传输网络层，其位于衬底的底表面上；以及穿通过孔件，其从电力传输网络层穿过电介质结构延伸到电力线。器件隔离层的上部可以包括突出部和槽，并且电介质结构可以覆盖突出部和槽。

公开(公告)号：CN114678354A

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202111280106.8

申请日：2021-10-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵宣基 ,  卢东贤 ,  罗采昊

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/06

Abstract: 一种集成电路器件，包括：鳍型有源区，位于衬底上并且包括位于第一水平高度处的鳍顶表面；栅极线，位于所述鳍型有源区上；以及绝缘结构，位于所述鳍型有源区的侧壁上。所述绝缘结构包括：第一绝缘衬垫，与所述鳍型有源区的侧壁接触；第二绝缘衬垫，位于所述第一绝缘衬垫上，并且包括位于比所述第一水平高度低的第二水平高度处的最上部；下掩埋绝缘层，面对所述鳍型有源区的侧壁，并且包括在比所述第二水平高度低的第三水平高度处面对所述栅极线的第一顶表面；以及上掩埋绝缘层，位于所述下掩埋绝缘层与所述栅极线之间，并且包括位于等于或高于所述第二水平高度的第四水平高度处的第二顶表面。

公开(公告)号：CN110416292A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201910279488.9

申请日：2019-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵宣基

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/762

Abstract: 提供了一种包括栅极分离区的半导体器件。所述半导体器件包括：有源区之间的隔离区；所述隔离区上的层间绝缘层；与所述有源区重叠的栅极线结构，所述栅极线结构位于所述隔离区上并具有彼此相对的端部；以及所述隔离区上的栅极分离区，所述栅极分离区位于所述栅极线结构的彼此相对的端部之间，并且位于所述层间绝缘层之间。所述栅极分离区包括间隙填充层和缓冲结构，缓冲结构包括缓冲衬层，所述缓冲衬层位于所述间隙填充层与所述隔离区之间，位于所述栅极线结构的彼此相对的端部与所述间隙填充层的侧表面之间，并且位于所述层间绝缘层与所述间隙填充层的侧表面之间。

公开(公告)号：CN109390408A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201810909416.3

申请日：2018-08-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵宣基

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开提供一种半导体装置，其包括：第一绝缘夹层，位于衬底上；第二绝缘夹层，位于所述第一绝缘夹层上；栅极结构，在所述衬底上延伸穿过所述第一绝缘夹层及所述第二绝缘夹层，所述栅极结构的下部部分具有第一宽度，且所述栅极结构的上部部分具有第二宽度，所述第二宽度比所述第一宽度大且从底部朝顶部逐渐增大；以及间隔件结构，位于所述栅极结构的侧壁上，所述间隔件结构的上部部分的宽度小于所述间隔件结构的下部部分的宽度。本公开的半导体装置具有良好的特性。

公开(公告)号：CN106469749A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201610669304.6

申请日：2016-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵宣基 ,  柳庚玟 ,  姜尚求

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/088 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/78 ,  H01L29/41 ,  H01L29/42316

Abstract: 提供了一种使用混合层间绝缘膜能够调整栅电极和栅极间隔件的轮廓的半导体装置。所述半导体装置包括：栅电极，位于基底上；栅极间隔件，位于栅电极的侧壁上并包括上部和下部；下层间绝缘膜，位于基底上，并与栅极间隔件的下部叠置；以及上层间绝缘膜，位于下层间绝缘膜上并与栅极间隔件的上部叠置，其中，下层间绝缘膜不置于上层间绝缘膜与栅极间隔件的上部之间。

公开(公告)号：CN116913917A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310400077.7

申请日：2023-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵宣基

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

Abstract: 一种半导体装置包括：有源图案，其在衬底上在平行于衬底的上表面的第一方向上延伸；栅极结构，其在有源图案上在与第一方向交叉的第二方向上延伸；源极/漏极区域，其设置在有源图案上的与栅极结构相邻的区域中；层间绝缘层，其覆盖栅极结构和源极/漏极区域；以及接触结构，其穿透层间绝缘层并接触源极/漏极区域。接触结构可包括接触插塞、围绕接触插塞的侧壁的绝缘衬垫、以及设置在绝缘衬垫和接触插塞之间并且设置在接触插塞的底表面上的导电屏障层。导电屏障层可具有从绝缘衬垫的下端向下延伸的屏障延伸部分。

公开(公告)号：CN114122137A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202111002444.5

申请日：2021-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵宣基 ,  罗采昊 ,  姜尚求 ,  金益秀 ,  卢东贤

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L23/48

Abstract: 一种半导体器件可以包括在衬底上的第一鳍状图案和第二鳍状图案，该第一鳍状图案和第二鳍状图案在第一方向上延伸，并且在第二方向上彼此间隔开。第一外延图案可以在第一鳍状图案上，第二外延图案可以在第二鳍状图案上。场绝缘层可以在衬底上，并且可以覆盖第一鳍状图案的侧壁、第二鳍状图案的侧壁、第一外延图案的侧壁的一部分和第二外延图案的侧壁的一部分。场绝缘层的顶表面可以高于第一外延图案的底表面和第二外延图案的底表面。

公开(公告)号：CN108336025A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810043583.4

申请日：2018-01-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵宣基 ,  金松伊 ,  柳庚玟 ,  柳齐民

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/78696

Abstract: 本申请提供一种半导体装置。该半导体装置包括：衬底，其具有第一有源图案和第二有源图案，第一有源图案包括将其上部分为第一部分和第二部分的第一凹陷区，第二有源图案包括将其上部分为第一部分和第二部分的第二凹陷区；第一绝缘图案，其覆盖第一凹陷区的内侧壁；以及第二绝缘图案，其覆盖第二凹陷区的内侧壁。第一绝缘图案和第二绝缘图案包括相同的绝缘材料，并且第一绝缘图案相对于第一凹陷区的容积的体积分数小于第二绝缘图案相对于第二凹陷区的容积的体积分数。