公开(公告)号：CN109979923B

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN201810754737.0

申请日：2018-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金炳赞 ,  白龙浩 ,  金汶日 ,  许荣植 ,  韩泰熙

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明提供一种扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件包括第一结构和第二结构。第一结构包括第一半导体芯片、第一包封剂和连接构件。第二结构包括第二半导体芯片、第二包封剂和导电凸块。第一结构和第二结构设置为使得第一半导体芯片的有效表面和第二半导体芯片的有效表面彼此面对。导电凸块电连接到重新分布层，第一半导体芯片的连接焊盘和第二半导体芯片的连接焊盘按照信号方式通过重新分布层彼此连接。重新分布层的一点与第一半导体芯片和第二半导体芯片中的每个的连接焊盘之间的信号传输时间大体上彼此相同。

公开(公告)号：CN115968207A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202210843635.2

申请日：2022-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴东俊 ,  姜芸炳 ,  金炳赞 ,  朴点龙 ,  宋乺智 ,  李忠善 ,  黄贤洙

IPC: H10B80/00

Abstract: 一种半导体封装件，包括：第一半导体芯片，所述第一半导体芯片包括具有彼此相对的第一有源表面和第一无源表面的第一半导体衬底以及位于所述第一有源表面上的多个第一芯片焊盘；第二半导体芯片，所述第二半导体芯片包括具有彼此相对的第二有源表面和第二无源表面的第二半导体衬底以及位于所述第二有源表面上的多个第二芯片焊盘，所述第二半导体芯片堆叠在所述第一半导体芯片上使得所述第二有源表面面对所述第一无源表面；接合绝缘材料层，所述接合绝缘材料层介于所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间；以及多个接合焊盘，所述多个接合焊盘被所述接合绝缘材料层围绕，并且将所述第一半导体芯片电连接到所述第二半导体芯片。

公开(公告)号：CN114068471A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110767924.4

申请日：2021-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔朱逸 ,  姜圭浩 ,  姜芸炳 ,  金炳赞 ,  朴峻泳 ,  李种昊 ,  黄贤洙

IPC: H01L23/498

Abstract: 可以提供包括再分布基板的半导体封装件，再分布基板包括绝缘层和位于绝缘层中的再分布图案。每个再分布图案可以包括通路部分、与通路部分垂直地交叠的焊盘部分以及从焊盘部分延伸的线部分。通路部分、焊盘部分和线部分可以彼此连接以形成单个物体。焊盘部分的底表面的水平高度可以低于线部分的底表面的水平高度。线部分的宽度可以在线部分的顶表面与线部分的底表面之间的水平高度处具有最大值。

公开(公告)号：CN116031228A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202210989663.5

申请日：2022-08-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴晙荣 ,  姜芸炳 ,  金炳赞 ,  朴点龙 ,  李忠善

IPC: H01L23/492 ,  H01L23/538 ,  H10B80/00 ,  H01L25/065

Abstract: 半导体器件可以包括：衬底、位于衬底的底表面上的第一绝缘层、在第一绝缘层中的互连结构、在第一绝缘层的底表面上的第二绝缘层、以及设置在第二绝缘层中的多个下焊盘。每个下焊盘可以设置为使得其顶表面的宽度小于其底表面的宽度。下焊盘可以包括第一下焊盘、第二下焊盘和第三下焊盘。在平面图中，第一下焊盘和第三下焊盘可以分别与衬底的中心部分和边缘部分相邻，而第二下焊盘可以设置在其间。第二下焊盘的底表面的宽度可以小于第一下焊盘的底表面的宽度并且可以大于第三下焊盘的底表面的宽度。

公开(公告)号：CN115763422A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211057385.6

申请日：2022-08-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴点龙 ,  姜芸炳 ,  金炳赞 ,  宋乺智 ,  李忠善

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L25/065 ,  H01L21/50

Abstract: 本申请提供了半导体器件、半导体封装件及其制造方法。一种半导体封装件，包括：第一半导体芯片，其具有第一衬底、位于第一衬底上的第一绝缘层和位于第一绝缘层上的多个第一接合焊盘，并且具有由第一绝缘层的上表面和多个第一接合焊盘的上表面构成的平坦的上表面；以及第二半导体芯片，其位于第一半导体芯片的上表面，并且具有第二衬底、位于第二衬底下方并且与第一绝缘层接触的第二绝缘层和位于第二绝缘层上并且分别与第一接合焊盘接触的多个第二接合焊盘，其中，第一绝缘层包括与第二绝缘层接触、嵌入在第一绝缘层中并且与多个第一接合焊盘间隔开的绝缘界面层。

公开(公告)号：CN109979923A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201810754737.0

申请日：2018-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金炳赞 ,  白龙浩 ,  金汶日 ,  许荣植 ,  韩泰熙

IPC: H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明提供一种扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件包括第一结构和第二结构。第一结构包括第一半导体芯片、第一包封剂和连接构件。第二结构包括第二半导体芯片、第二包封剂和导电凸块。第一结构和第二结构设置为使得第一半导体芯片的有效表面和第二半导体芯片的有效表面彼此面对。导电凸块电连接到重新分布层，第一半导体芯片的连接焊盘和第二半导体芯片的连接焊盘按照信号方式通过重新分布层彼此连接。重新分布层的一点与第一半导体芯片和第二半导体芯片中的每个的连接焊盘之间的信号传输时间大体上彼此相同。