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公开(公告)号：CN109817266B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN201811345556.9
申请日：2018-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/34
Abstract: 一种擦除存储设备的方法，所述擦除存储设备的方法包括：在第一擦除时段，对分别连接到多个字线的存储单元执行第一擦除操作，其中，包括在存储块中的存储单元之中的至少一个存储单元没有擦除通过；在第一擦除时段之后，通过向所述多个字线之中的至少一个字线施加验证电压来确定擦除操作速度，并基于确定的擦除操作速度来确定用于每个字线的有效擦除时间；以及在第二擦除时段，基于确定的有效擦除时间，对分别连接到所述多个字线的存储单元执行第二擦除操作。
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公开(公告)号：CN110021329B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN201811423583.3
申请日：2018-11-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了存储器件，所述存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多条字线、在所述多条字线上方的第一串选择线，以及在所述第一串选择线与所述多条字线之间的第二串选择线；以及控制器。在读取连接到所述多条字线中的第一字线的第一存储单元的数据的操作期间，所述控制器向所述第一串选择线供应第一电压并向所述第二串选择线供应第二电压，其中所述第二电压大于所述第一电压。
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公开(公告)号：CN116580740A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310115593.5
申请日：2023-02-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储设备的操作方法，所述方法包括：从外部设备接收编程命令；响应于编程命令确定操作模式；当操作模式为表面贴装技术(SMT)模式时，执行初始编程操作，其中多个存储单元通过多个步骤被编程以形成第一阈值电压分布；以及当操作模式为正常模式时，执行正常编程操作，其中多个存储单元通过单个步骤被编程以形成第二阈值电压分布，其中，第一阈值电压分布的宽度比第二阈值电压分布的宽度更窄。
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公开(公告)号：CN110021329A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201811423583.3
申请日：2018-11-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了存储器件，所述存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多条字线、在所述多条字线上方的第一串选择线，以及在所述第一串选择线与所述多条字线之间的第二串选择线；以及控制器。在读取连接到所述多条字线中的第一字线的第一存储单元的数据的操作期间，所述控制器向所述第一串选择线供应第一电压并向所述第二串选择线供应第二电压，其中所述第二电压大于所述第一电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108335711A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201711426789.7
申请日：2017-12-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C8/08
CPC classification number: G11C16/08 , G11C16/0483
Abstract: 一种非易失性存储器件执行包括以下步骤的方法：使得非易失性存储器件的就绪/忙碌信号引脚指示非易失性存储器件处于预充电忙碌状态，其中非易失性存储器件不能够执行对其非易失性存储单元的存储器访问操作；将一个或多个字线预充电电压施加到非易失性存储器件的多条字线中的一条或多条选定的字线以对选定的字线进行预充电；以及在预充电操作的至少一部分之后，使得就绪/忙碌信号引脚从指示预充电忙碌状态转变为指示非易失性存储器件处于就绪状态，其中非易失性存储器件能够执行对其非易失性存储单元的存储器访问操作。
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公开(公告)号：CN119627023A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202410972360.1
申请日：2024-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/544 , H01L21/66
Abstract: 一种用于检测缺陷的电路，包括：缺陷检测导体，设置在半导体管芯的外围区域中；输入焊盘，连接到缺陷检测导体的第一端；输出焊盘，连接到缺陷检测导体的第二端；缺陷检测组件，连接到缺陷检测导体，并且被配置为检测缺陷检测导体的缺陷；以及控制器，被配置为控制缺陷检测组件的操作，其中，缺陷检测组件包括参考电压源、参考电容器、开关组件和多个检测电容器，并且开关组件被配置为将参考电容器连接到参考电压源、缺陷检测导体的与输入焊盘相邻的位置、以及缺陷检测导体的与输出焊盘相邻的位置之一。
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公开(公告)号：CN109427397B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201810796330.4
申请日：2018-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了一种存储器装置、一种存储器系统以及一种操作存储器装置的方法。所述存储器装置可包括操作性地连接至共源极线和多条位线的存储器块，其中存储器块包括相对于共源极线和所述多条位线在存储器块中各自具有对应的位置的第一子块和第二子块。可通过从存储器装置外部接收命令和地址来操作存储器装置，并且基于包括被构造为响应于地址而被激活的字线的第一子块或第二子块的对应的位置，利用经过存储器块的第一预充电路径或者经过存储器块的第二预充电路径，响应于命令对存储器块执行预充电操作。
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公开(公告)号：CN109308929B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN201810722252.3
申请日：2018-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 为了操作包括多个NAND串的存储器设备，当选择的字线的电压增加时，使多个NAND串中未选择的NAND串浮置，以使得未选择的NAND串的沟道电压升高。当选择的字线的电压降低时，使未选择的NAND串的沟道电压放电。当选择的字线的电压增加时，可以通过使未选择的NAND串浮置以使得未选择的NAND串的沟道电压的升高与选择的字线的电压的增加一起发生来降低负载，当选择的字线的电压降低时，可以通过在选择的字线的电压降低时使未选择的NAND串的升高的沟道电压放电来降低负载。通过这样降低选择的字线的负载，可以缩短电压建立时间并提高存储器设备的操作速度。
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公开(公告)号：CN108335711B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201711426789.7
申请日：2017-12-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C8/08
Abstract: 一种非易失性存储器件执行包括以下步骤的方法：使得非易失性存储器件的就绪/忙碌信号引脚指示非易失性存储器件处于预充电忙碌状态，其中非易失性存储器件不能够执行对其非易失性存储单元的存储器访问操作；将一个或多个字线预充电电压施加到非易失性存储器件的多条字线中的一条或多条选定的字线以对选定的字线进行预充电；以及在预充电操作的至少一部分之后，使得就绪/忙碌信号引脚从指示预充电忙碌状态转变为指示非易失性存储器件处于就绪状态，其中非易失性存储器件能够执行对其非易失性存储单元的存储器访问操作。
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