公开(公告)号：CN117992370A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202311048272.4

申请日：2023-08-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳尚辰 ,  李侊佑 ,  李熙元 ,  朴秉灿 ,  安孝珍 ,  张东哲

IPC: G06F13/16 ,  G06F12/02

Abstract: 提供了一种存储设备，该存储设备包括：存储器件，包括多个存储块，并将包括第一状态数据和第一参数的第一元数据存储在多个存储块之中的第一存储块中；以及存储控制器，存储包括第二状态数据和第二参数的第二元数据，通过将包括第一状态数据和第二状态数据在内的多个状态数据进行比较，在包括第一元数据和第二元数据在内的多个元数据之中确定最终元数据，执行参数确认，以将最终元数据存储在元块中，并基于存储在元块中的参数来控制存储器件。

公开(公告)号：CN116580740A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310115593.5

申请日：2023-02-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙周希 ,  徐贤 ,  张东哲 ,  金完东

IPC: G11C16/12 ,  G11C5/14

Abstract: 一种非易失性存储设备的操作方法，所述方法包括：从外部设备接收编程命令；响应于编程命令确定操作模式；当操作模式为表面贴装技术(SMT)模式时，执行初始编程操作，其中多个存储单元通过多个步骤被编程以形成第一阈值电压分布；以及当操作模式为正常模式时，执行正常编程操作，其中多个存储单元通过单个步骤被编程以形成第二阈值电压分布，其中，第一阈值电压分布的宽度比第二阈值电压分布的宽度更窄。