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公开(公告)号:CN101188218A
公开(公告)日:2008-05-28
申请号:CN200710153554.5
申请日:2007-09-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L23/488
CPC classification number: H01L23/49572 , H01L24/16 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L2224/0554 , H01L2224/05567 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/13016 , H01L2224/13017 , H01L2224/13019 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2224/81136 , H01L2224/81193 , H01L2224/81801 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H05K1/189 , H05K3/303 , H05K3/3436 , H05K2201/0367 , H05K2201/094 , H05K2201/09709 , H05K2201/10674 , H05K2201/10681 , H05K2203/167 , Y02P70/613 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片和一种包括该半导体芯片的半导体封装,该半导体芯片包括:多个键合焊盘,设置在半导体芯片上;多个不同高度的芯片凸点,设置在相应的键合焊盘上。
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公开(公告)号:CN111755392A
公开(公告)日:2020-10-09
申请号:CN202010182101.0
申请日:2020-03-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/24 , H01L23/20 , H01L23/00 , H01L23/373 , H01L25/18
Abstract: 本发明提供一种半导体封装件。半导体封装件包括:第一衬底;第二衬底,安置在第一衬底上;第一半导体芯片,安置在第二衬底上;以及加强件,从第一衬底的上表面延伸到第二衬底的上表面,加强件不与第一半导体芯片接触,其中从第一衬底的上表面到第一半导体芯片的上表面的第一高度大于从第一衬底的上表面到加强件的最上表面的第二高度。
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公开(公告)号:CN113764363A
公开(公告)日:2021-12-07
申请号:CN202110257151.5
申请日:2021-03-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L25/18
Abstract: 一种半导体封装,包括:第一基板;在第一基板上彼此间隔开的第一芯片结构和第二芯片结构,在第一芯片结构和第二芯片结构之间限定有间隙区域;以及覆盖第一芯片结构、第二芯片结构和第一基板的散热构件,该散热构件在该散热构件的内顶表面中包括第一沟槽,其中,第一沟槽与间隙区域竖直地重叠并且宽度大于间隙区域的宽度,并且其中第一沟槽至少与第一芯片结构的顶表面的一部分或第二芯片结构的顶表面的一部分竖直地重叠。
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公开(公告)号:CN112086448A
公开(公告)日:2020-12-15
申请号:CN202010431047.9
申请日:2020-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/18 , H01L23/367 , H05K1/18
Abstract: 一种半导体封装件包括基板和设置在所述基板上的内插件。所述内插件包括面向所述基板的第一表面和背对所述基板的第二表面。第一逻辑半导体芯片设置在所述内插件的所述第一表面上,并且在与所述基板的上表面垂直的第一方向上与所述基板间隔开。第一存储器封装件设置在所述内插件的所述第二表面上。第二存储器封装件设置在所述内插件的所述第二表面上,并且在与所述基板的所述上表面平行的第二方向上与所述第一存储器封装件间隔开。第一传热单元设置在所述基板的面向所述第一逻辑半导体芯片的表面上。所述第一传热单元在所述第一方向上与所述第一逻辑半导体芯片间隔开。
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公开(公告)号:CN111755433A
公开(公告)日:2020-10-09
申请号:CN201911288883.X
申请日:2019-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/498
Abstract: 一种半导体封装可包括:封装基底;第一中间基底,安装在封装基底上;以及第一半导体芯片,设置在第一中间基底上。第一中间基底可包括:第一基础层;第二基础层,设置在第一基础层上;电路图案,设置在第一基础层及第二基础层中的每一者中;以及集成器件,嵌置在第一基础层中且连接到电路图案中的至少一个电路图案。第一基础层的顶表面可接触第二基础层的底表面。
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公开(公告)号:CN111755433B
公开(公告)日:2024-10-18
申请号:CN201911288883.X
申请日:2019-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/498 , H10B80/00
Abstract: 一种半导体封装可包括:封装基底;第一中间基底,安装在封装基底上;以及第一半导体芯片,设置在第一中间基底上。第一中间基底可包括:第一基础层;第二基础层,设置在第一基础层上;电路图案,设置在第一基础层及第二基础层中的每一者中;以及集成器件,嵌置在第一基础层中且连接到电路图案中的至少一个电路图案。第一基础层的顶表面可接触第二基础层的底表面。
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