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公开(公告)号:CN117637695A
公开(公告)日:2024-03-01
申请号:CN202311112813.5
申请日:2023-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体封装件包括第一半导体芯片和位于所述第一半导体芯片上的第二半导体芯片,所述第一半导体芯片包括第一半导体层、在垂直方向上穿过所述第一半导体层的第一贯通电极以及连接到所述第一贯通电极的第一接合焊盘,所述第二半导体芯片包括:第二半导体层;布线结构,所述布线结构位于所述第二半导体层与所述第一半导体芯片之间;布线焊盘,所述布线焊盘在所述布线结构下方连接到所述布线结构;以及第二接合焊盘,所述第二接合焊盘在所述布线焊盘下方连接到所述布线焊盘并且与所述第一接合焊盘接触,其中,所述第二接合焊盘包括朝向所述布线焊盘突起的突出部。
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公开(公告)号:CN116110868A
公开(公告)日:2023-05-12
申请号:CN202211393664.X
申请日:2022-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/482 , H01L23/485 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/535 , H01L23/538 , H01L21/02 , H01L21/50 , H01L21/60
Abstract: 提供了半导体封装件,其中,第一绝缘层包括在第一方向上与第一焊盘间隔开的第一凹部,并且第二绝缘层包括在第一方向上与第二焊盘间隔开并且在与第一方向垂直的第二方向上与第一凹部的至少一部分交叠以与第一凹部一起提供气隙的第二凹部。半导体封装件还包括第一接合表面和第二接合表面,第一接合表面在气隙的一侧由彼此接触的第一绝缘层和第二绝缘层限定,并且与第一焊盘和第二焊盘相邻,第二接合表面在气隙的与所述一侧相对的另一侧由彼此接触的第一绝缘层和第二绝缘层限定。
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公开(公告)号:CN115966546A
公开(公告)日:2023-04-14
申请号:CN202211244826.3
申请日:2022-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/482 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/532 , H01L23/535 , H01L23/31 , H01L25/16 , H01L21/60 , H01L21/50
Abstract: 一种半导体封装件包括第一半导体芯片和第二半导体芯片,所述第一半导体芯片包括第一半导体层、穿透所述第一半导体层的第一贯通电极、连接到所述第一贯通电极的第一接合焊盘以及第一绝缘接合层,所述第二半导体芯片位于所述第一半导体芯片上并且包括第二半导体层、接合到所述第一接合焊盘的第二接合焊盘和接合到所述第一绝缘接合层的第二绝缘接合层,其中,所述第一绝缘接合层包括第一绝缘材料,所述第二绝缘接合层包括与所述第一绝缘接合层形成接合界面的第一绝缘层和位于所述第一绝缘层上的第二绝缘层,所述第一绝缘层包括与所述第一绝缘材料不同的第二绝缘材料,并且所述第二绝缘层包括与所述第二绝缘材料不同的第三绝缘材料。
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