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公开(公告)号：CN115985355A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211249127.8
申请日：2022-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 赵诚珍
Abstract: 提供了一种位线读出放大器及包括其的存储装置。一种位线读出放大器包括：第一反相器，所述第一反相器具有连接到互补感测位线的输出端子；第二反相器，所述第二反相器具有连接到感测位线的输出端子；第一偏移元件，所述第一偏移元件响应于偏移消除信号将位线连接到所述互补感测位线；以及第二偏移元件，所述第二偏移元件响应于所述偏移消除信号将互补位线连接到所述感测位线。在第一时间间隔期间，所述第一偏移元件和所述第二偏移元件被关断并且第一存储单元的单元电容器连接到所述位线。在所述第一时间间隔之后的第二时间间隔期间，所述第一偏移元件和所述第二偏移元件被导通并且所述第一存储单元的所述单元电容器与所述位线断开。
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公开(公告)号：CN107437435A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201710371303.8
申请日：2017-05-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C29/022 , G11C29/838
Abstract: 提供了一种操作半导体存储器件的方法。在操作包括含有多个存储体阵列的存储器单元阵列在内的半导体存储器件的方法中，测试存储器单元阵列的第一区域中的存储器单元以检测第一区域中的一个或多个故障单元，确定与所检测到的一个或多个故障单元相对应的故障地址，并且将所确定的故障地址存储在存储器单元阵列中与第一区域不同的第二区域中。
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公开(公告)号：CN117711459A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202310989356.1
申请日：2023-08-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/408 , G11C11/418
Abstract: 提供一种半导体装置。所述半导体装置包括：存储器单元阵列，包括电连接到多条字线和多条位线的多个存储器单元；字线驱动电路，包括电连接到所述多条字线的多个子字线解码器；以及控制逻辑，被构造为确定所述多条字线之中的被选择的字线和未选择的字线，并且被构造为控制所述字线驱动电路，使得所述未选择的字线中的与所述被选择的字线相邻的至少一条字线在所述被选择的字线的电压返回到初始电平的时间段中的至少一部分时间段期间被浮置。
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公开(公告)号：CN107393596A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710281643.1
申请日：2017-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/42
CPC classification number: G11C29/52 , G06F11/1048 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C29/70 , G11C2029/0411 , H03M13/13 , G11C29/42
Abstract: 一种半导体存储设备包括存储单元阵列、控制逻辑电路以及纠错电路。控制逻辑电路通过对命令进行解码来生成控制信号。在半导体存储设备的写模式中，控制逻辑电路控制纠错电路从所选择的子页读取第一单元数据，并且在通过对第一单元数据执行纠错码解码来生成校验子数据时基于第一子单元数据和第二子单元数据之一以及将被写入到子页中的主数据来生成第一奇偶校验数据。当第一子单元数据包括至少一个错误位时，纠错电路基于与主数据相关联的数据掩码信号来有选择地修改第一奇偶校验数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116417030A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202211584403.6
申请日：2022-12-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种存储器装置和存储器装置的操作方法。所述存储器装置包括：存储器核，包括多个存储器单元；以及控制逻辑，从外部装置接收第一激活命令和第一行地址并且响应于第一激活命令，激活来自所述多个存储器单元之中的与第一行地址对应的存储器单元。控制逻辑包括寄存器和计数器。控制逻辑将第一行地址记录在寄存器中的一个中，通过使用计数器中的第一计数器对第一行地址的激活计数进行计数，并且通过使用计数器中的第二计数器对第一行地址的寿命计数进行计数。
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公开(公告)号：CN116137166A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202211363924.9
申请日：2022-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406 , G11C11/408
Abstract: 提供存储器件、具有其的存储器系统及其操作方法。该存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括连接到多条字线和多条位线的多个存储单元；目标行刷新逻辑电路，所述目标行刷新逻辑电路被配置为：基于多个目标行地址的受害点值从所述多个目标行地址中选择目标行地址作为刷新行地址，以及对所述多个存储单元中的第一存储单元执行刷新操作，所述第一存储单元与所述多条字线中的由刷新行地址指示的字线连接；受害点表，所述受害点表被配置为存储所述多个目标行地址的所述受害点值；以及受害点累加器，所述受害点累加器被配置为：从外部设备接收第一行地址，以及每单位时间段累加与所述第一行地址相对应的至少一个目标行地址的第一受害点值。
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公开(公告)号：CN116110451A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211313503.5
申请日：2022-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406 , G11C11/4063
Abstract: 提供了一种存储器件以及包括该存储器件的存储系统。该存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元；以及控制逻辑，所述控制逻辑包括模式寄存器，响应于刷新命令执行刷新操作，在第一模式下响应于所述刷新命令生成内部模式寄存器写入命令，在第二模式下响应于所述刷新命令不生成所述内部模式寄存器写入命令。
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公开(公告)号：CN107437435B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201710371303.8
申请日：2017-05-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种操作半导体存储器件的方法。在操作包括含有多个存储体阵列的存储器单元阵列在内的半导体存储器件的方法中，测试存储器单元阵列的第一区域中的存储器单元以检测第一区域中的一个或多个故障单元，确定与所检测到的一个或多个故障单元相对应的故障地址，并且将所确定的故障地址存储在存储器单元阵列中与第一区域不同的第二区域中。
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公开(公告)号：CN118155700A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202310884079.8
申请日：2023-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/42 , G11C11/406
Abstract: 提供了一种存储器件、存储系统以及存储器件的操作方法。所述存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个行；ECC引擎，所述ECC引擎被配置为基于从所述多个行中的每一行读取的数据的纠错次数来确定所述多个行中的每一行的健康水平；控制逻辑，所述控制逻辑被配置为基于所述健康水平和对所述多个行中的每一行的访问次数来确定受害行地址；以及刷新控制电路，所述刷新控制电路被配置为对与所确定的受害行地址相对应的行执行刷新。
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