公开(公告)号：CN117524994A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202310807708.7

申请日：2023-07-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟淏 ,  姜圭浩 ,  朴成根 ,  裵晟训 ,  郑载穆 ,  崔朱逸

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本公开涉及一种半导体封装及其制造方法。该半导体封装包括：第一基板；在第一基板上的半导体芯片；与第一基板间隔开的第二基板；引线，与半导体芯片的侧表面间隔开并将第一基板连接到第二基板；模制结构，在半导体芯片的顶表面、半导体芯片的侧表面和引线的侧表面上；以及底部填充图案，在引线的侧表面上并且在引线和模制结构之间。

公开(公告)号：CN117637656A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311092603.4

申请日：2023-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜圭浩 ,  朴亨俊 ,  裵晟训 ,  吴常赫 ,  郑光玉 ,  崔朱逸

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/482 ,  H01L23/49 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 提供了一种半导体封装。该半导体封装包括：再分布结构，该再分布结构包括多个再分布导电图案、连接到所述多个再分布导电图案中的至少一个的多个导电通路、连接到所述多个导电通路的多个下焊盘、以及与所述多个再分布导电图案交替的多个再分布绝缘层；布置在再分布结构上的半导体芯片；以及附接到再分布结构的所述多个下焊盘的外部连接端子，其中所述多个再分布导电图案中的每个包括含铜的金属层、和布置在金属层的上表面上并包含铜和镍的表层。