公开(公告)号：CN101710587A

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200910174755.2

申请日：2009-09-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李律圭 ,  柳春基 ,  朴鲜 ,  朴钟贤 ,  金修显 ,  朴喜湘

IPC: H01L27/32 ,  H01L23/528 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L51/5284 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明公开了一种有机发光显示器。在该有机发光显示器中，基板被分为在其中显示图像的显示区和围绕显示区的非显示区。有机发光显示器包括多个像素。至少一个薄膜晶体管形成于非显示区中。显示区包括第一电极，连接到薄膜晶体管；有机发光层，形成于第一电极上；以及第二电极，形成于有机发光层上，以与第一电极一起将电压施加到有机发光层。具有形成于半导体层下方的开口的光阻挡层形成于非显示区中。

公开(公告)号：CN101615626A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200910002540.2

申请日：2009-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔珉赫 ,  柳春基 ,  李东基 ,  权永东 ,  姜镇熙

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/3276

Abstract: 本发明涉及一种有机发光二极管显示器及其制造方法。有机发光二极管显示器包括：基板；第一信号线，其形成在基板上并且包括第一衬垫单元；第二信号线，其与第一信号线交叉，包括第二衬垫单元；第一薄膜晶体管，其电连接到第一信号线和第二信号线；第二薄膜晶体管，其电连接到第一薄膜晶体管；像素电极，其电连接到第二薄膜晶体管；公共电极，其面对像素电极；发光件，其形成在像素电极和公共电极之间；接触辅助物，其形成在第一衬垫单元和第二衬垫单元上；以及保护性分隔物，其围绕接触辅助物。

公开(公告)号：CN101349847A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200810092812.8

申请日：2008-05-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李在馥 ,  柳春基 ,  全相炫

IPC: G02F1/1362 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F2001/13625

Abstract: 一种显示基板，所述显示基板包括底部基板、第一金属图案、第二金属图案、第一透明导电层以及第二透明导电层。第一金属图案形成于底部基板上，并且包括栅极线和连接到栅极线的栅电极。第二金属图案包括横过栅极线的数据线、连接到数据线的源电极以及与源电极分隔开的漏电极。第一透明导电层包括覆盖第二金属图案的覆盖层以及形成于像素区域中的共用电极。第二透明导电层包括像素电极，所述像素电极具有多个开口、接触覆盖漏电极的覆盖层并面对共用电极。

公开(公告)号：CN101188243A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200710305142.9

申请日：2007-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金奉柱 ,  柳春基

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/1251 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/124

Abstract: 一种薄膜晶体管阵列面板包括基板、形成在基板上的栅线和栅驱动电路部分的栅层信号传输线、形成在栅线和栅层信号传输线上且具有暴露一部分栅层信号传输线的第一接触孔的栅绝缘层、形成在栅绝缘层上的半导体层、形成在栅绝缘层和半导体层上的包括源电极的数据线及漏电极、形成在栅绝缘层上并通过第一接触孔连接到栅层信号传输线的栅驱动电路部分的数据层信号传输线、连接到漏电极的像素电极以及形成在数据线、漏电极和驱动电路部分的数据层信号传输线上的钝化层。数据线、漏电极和数据层信号传输线具有包括下层、中间层和上层的三层结构，且下层由与像素电极相同的层形成。

公开(公告)号：CN1862789B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200510048858.6

申请日：2005-12-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑震九 ,  柳春基

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78

Abstract: 提供一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：半导体层；在半导体层上的第一绝缘层；包括第一非晶硅层和金属的栅极线；覆盖栅极线的第二绝缘层；和形成在第二绝缘层上的第二数据线。通过提供具有良好粘接性的非晶硅层，可以形成信号线的各种锥形结构。金属层和非晶硅层之间的粘接性可以通过进行热处理工艺来提高，从而可以减小其间的接触电阻。相应地，可以提高TFT的特性和可靠性。

公开(公告)号：CN1893116B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610090326.3

申请日：2006-06-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳春基 ,  朴庆珉 ,  朴京淳

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/40 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1368

Abstract: 本发明公开了一种在不降低性能的情况下具有提高的处理效率的薄膜晶体管(TFT)板以及制造该TFT板的方法。TFT板包括由双层构成的栅极绝缘层图样。上栅极绝缘层图样的两侧壁的上部与栅电极的两侧壁基本对准。上栅极绝缘层图样的两侧壁的下部与在轻掺杂区与源区之间的边界部分以及在轻掺杂区与漏区之间的边界部分基本对准。因此，在下栅极绝缘层图样之下的轻掺杂区的浓度逐渐改变。

公开(公告)号：CN100550395C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200610100747.X

申请日：2006-07-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳春基

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248

Abstract: 公开了一种提高了显示质量的薄膜晶体管衬底，包括：栅极线；数据线，与栅极线交叉并提供与栅极线和数据线毗邻的像素区域；数据图样，形成在与数据线大致相同的平面上并由与数据线大致相同的材料形成；薄膜晶体管，与栅极线和数据线连接、像素电极，与薄膜晶体管连接；有机保护层，在像素电极下形成并保护薄膜晶体管；和无机保护层，形成在数据图样和有机保护层之间，无机保护层以与数据图样有类似的图样形成在数据图样上。进一步提供了上述薄膜晶体管的制造方法。

公开(公告)号：CN100405604C

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200510097892.2

申请日：2005-09-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑震九 ,  朴庆珉 ,  柳春基

IPC: H01L27/12 ,  G02F1/136 ,  H05B33/12

CPC classification number: H01L27/12 ,  G02F1/13454 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2201/50 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明公开了一种改进的薄膜晶体管阵列板。在一个实施例中，阵列板包括多条栅线、数据线和多个连接到栅线和数据线的开关元件。层间绝缘层形成于栅线和数据线之间。还提供了覆盖栅线、数据线和开关元件的钝化层，其具有多个暴露所述数据线的部分的第一接触孔，其中，开关元件和像素电极通过第一接触孔连接。多个辅助接触形成于钝化层上且通过钝化层中的多个第二接触孔连接到数据线。多条辅助线通过层间绝缘层中的多个第三接触孔连接到数据线。

公开(公告)号：CN100380682C

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN02828493.3

申请日：2002-04-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳春基

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/133

CPC classification number: G02F1/133555 ,  G02F1/136227 ,  H01L21/76816 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/66765

Abstract: 在衬底上形成包括栅极线、栅电极和栅极衬垫并沿横向延伸的栅极布线。随后形成栅极绝缘层，并在其上依次形成半导体层和欧姆接触层。沉积导电材料并对其构图以形成包括与栅极线相交的数据线、源电极、漏电极和数据衬垫的数据布线。在衬底上沉积由氮化硅制成的第一绝缘层，并在第一绝缘层上涂覆由感光有机绝缘材料制成的第二绝缘层。构图第二绝缘层以在其表面上形成凸凹图案和与漏电极相对的、暴露第一绝缘层的第一接触孔。随后，使用光致抗蚀剂图案通过光刻对第一绝缘层和栅极绝缘层一起构图，以形成分别暴露漏电极、栅极衬垫和数据衬垫的接触孔。接着，沉积铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)并对其构图以形成分别连接到漏电极、栅极衬垫和数据衬垫的透光性电极、子栅极衬垫和子数据衬垫。最后，在透光性电极上沉积反射导电材料并构图以形成具有像素区域中相应孔的反射膜。

公开(公告)号：CN101064318A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200710005727.9

申请日：2007-02-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳春基

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/66765

Abstract: 公开了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括：在绝缘基板上形成包括栅电极的栅极线；在栅极线上形成栅极绝缘层、半导体层和刻蚀停止层；使用光刻法同时对刻蚀停止层和半导体层进行刻蚀并形成图案；灰化并且部分地去除在刻蚀停止层和半导体层的刻蚀和形成图案中所使用的光致抗蚀剂膜图案；对由光致抗蚀剂膜图案的已去除部分所暴露的刻蚀停止层进行刻蚀，以形成刻蚀停止组件；在刻蚀停止组件上沉积欧姆接触层和数据金属层；使用光刻法同时对欧姆接触层和数据金属层进行刻蚀，以形成具有源电极的数据线、面对源电极的漏电极、以及在源电极和漏电极下面的欧姆接触组件；在数据线和漏电极上形成钝化层；以及在钝化层上形成像素电极。