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公开(公告)号：CN1808709A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200510125777.1
申请日：2005-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/136227 , H01L27/1214 , H01L27/3244 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，其包括：在基板上形成包括栅电极、漏电极、源电极及半导体的薄膜晶体管；在源电极及漏电极上形成第一钝化层；在第一钝化层上形成透明导电层；使用光刻胶作为蚀刻掩模，蚀刻透明导电层，以露出第一钝化层的一部分并形成与漏电极连接的像素电极；将第一钝化层和光刻胶抛光；以及去除光刻胶。
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公开(公告)号：CN1862789A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200510048858.6
申请日：2005-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/84 , H01L21/768 , H01L21/28 , H01L27/12 , H01L29/78
Abstract: 提供一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：半导体层；在半导体层上的第一绝缘层；包括第一非晶硅层和金属的栅极线；覆盖栅极线的第二绝缘层；和形成在第二绝缘层上的第二数据线。通过提供具有良好粘接性的非晶硅层，可以形成信号线的各种锥形结构。金属层和非晶硅层之间的粘接性可以通过进行热处理工艺来提高，从而可以减小其间的接触电阻。相应地，可以提高TFT的特性和可靠性。
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公开(公告)号：CN1862789B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200510048858.6
申请日：2005-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/84 , H01L21/768 , H01L21/28 , H01L27/12 , H01L29/78
Abstract: 提供一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：半导体层；在半导体层上的第一绝缘层；包括第一非晶硅层和金属的栅极线；覆盖栅极线的第二绝缘层；和形成在第二绝缘层上的第二数据线。通过提供具有良好粘接性的非晶硅层，可以形成信号线的各种锥形结构。金属层和非晶硅层之间的粘接性可以通过进行热处理工艺来提高，从而可以减小其间的接触电阻。相应地，可以提高TFT的特性和可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100405604C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200510097892.2
申请日：2005-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/13454 , G02F2001/13629 , G02F2201/50 , H01L27/124
Abstract: 本发明公开了一种改进的薄膜晶体管阵列板。在一个实施例中，阵列板包括多条栅线、数据线和多个连接到栅线和数据线的开关元件。层间绝缘层形成于栅线和数据线之间。还提供了覆盖栅线、数据线和开关元件的钝化层，其具有多个暴露所述数据线的部分的第一接触孔，其中，开关元件和像素电极通过第一接触孔连接。多个辅助接触形成于钝化层上且通过钝化层中的多个第二接触孔连接到数据线。多条辅助线通过层间绝缘层中的多个第三接触孔连接到数据线。
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公开(公告)号：CN1821839A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610007654.2
申请日：2006-02-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/133 , G02F1/136 , G02F1/1333 , G09G3/36
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F1/13458 , G02F2001/13456 , H05K1/117 , H05K3/323 , H05K3/361 , H05K2201/09436 , H05K2201/09472
Abstract: 在显示装置及显示装置的制造方法中，显示装置包括：具有信号线和绝缘层的显示面板；以及电连接至信号线并且粘附到显示面板的信号发生器。信号线包括分别形成在其端部的焊盘。有机绝缘层被部分地去除，从而在信号线的焊盘之间形成过孔，以减小其中形成有焊盘的区域和其中没有形成焊盘的区域之间的梯级差。因此，显示装置可以增强信号发生器和显示面板之间的结合力。
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公开(公告)号：CN1744322A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200510097892.2
申请日：2005-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/13454 , G02F2001/13629 , G02F2201/50 , H01L27/124
Abstract: 本发明公开了一种改进的薄膜晶体管阵列板。在一个实施例中，阵列板包括多条栅线、数据线和多个连接到栅线和数据线的开关元件。层间绝缘层形成于栅线和数据线之间。还提供了覆盖栅线、数据线和开关元件的钝化层，其具有多个暴露所述数据线的部分的第一接触孔，其中，开关元件和像素电极通过第一接触孔连接。多个辅助接触形成于钝化层上且通过钝化层中的多个第二接触孔连接到数据线。多条辅助线通过层间绝缘层中的多个第三接触孔连接到数据线。
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公开(公告)号：CN100524701C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200510125777.1
申请日：2005-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/136227 , H01L27/1214 , H01L27/3244 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，其包括：在基板上形成包括栅电极、漏电极、源电极及半导体的薄膜晶体管；在源电极及漏电极上形成第一钝化层；在第一钝化层上形成透明导电层；使用光刻胶作为蚀刻掩模，蚀刻透明导电层，以露出第一钝化层的一部分并形成与漏电极连接的像素电极；将第一钝化层和光刻胶抛光；以及去除光刻胶。
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公开(公告)号：CN1790723A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510119903.2
申请日：2005-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/84 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：具有显示区域和驱动器的基板；多晶硅层，形成于基板上，并包括沟道、源和漏区和设置在沟道区与源和漏区之间、且具有低于源和漏区的杂质浓度的轻掺杂区；形成于多晶硅层上的栅极绝缘层；形成于栅极绝缘层上并与多晶硅层的沟道区交叠而且掺杂有杂质的杂质层；形成于杂质层上的栅极；覆盖栅极并具有分别暴露出源和漏区的第一和第二接触孔的层间绝缘层；以及通过第一和第二接触孔分别连接到源和漏区的源和漏极。
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