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公开(公告)号：CN1862789B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200510048858.6
申请日：2005-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/84 , H01L21/768 , H01L21/28 , H01L27/12 , H01L29/78
Abstract: 提供一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：半导体层；在半导体层上的第一绝缘层；包括第一非晶硅层和金属的栅极线；覆盖栅极线的第二绝缘层；和形成在第二绝缘层上的第二数据线。通过提供具有良好粘接性的非晶硅层，可以形成信号线的各种锥形结构。金属层和非晶硅层之间的粘接性可以通过进行热处理工艺来提高，从而可以减小其间的接触电阻。相应地，可以提高TFT的特性和可靠性。
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公开(公告)号：CN1893116B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610090326.3
申请日：2006-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/40 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/84 , G02F1/1368
Abstract: 本发明公开了一种在不降低性能的情况下具有提高的处理效率的薄膜晶体管(TFT)板以及制造该TFT板的方法。TFT板包括由双层构成的栅极绝缘层图样。上栅极绝缘层图样的两侧壁的上部与栅电极的两侧壁基本对准。上栅极绝缘层图样的两侧壁的下部与在轻掺杂区与源区之间的边界部分以及在轻掺杂区与漏区之间的边界部分基本对准。因此，在下栅极绝缘层图样之下的轻掺杂区的浓度逐渐改变。
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公开(公告)号：CN100550395C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200610100747.X
申请日：2006-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 柳春基
CPC classification number: G02F1/1368 , H01L27/12 , H01L27/1248
Abstract: 公开了一种提高了显示质量的薄膜晶体管衬底，包括：栅极线；数据线，与栅极线交叉并提供与栅极线和数据线毗邻的像素区域；数据图样，形成在与数据线大致相同的平面上并由与数据线大致相同的材料形成；薄膜晶体管，与栅极线和数据线连接、像素电极，与薄膜晶体管连接；有机保护层，在像素电极下形成并保护薄膜晶体管；和无机保护层，形成在数据图样和有机保护层之间，无机保护层以与数据图样有类似的图样形成在数据图样上。进一步提供了上述薄膜晶体管的制造方法。
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公开(公告)号：CN100405604C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200510097892.2
申请日：2005-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/13454 , G02F2001/13629 , G02F2201/50 , H01L27/124
Abstract: 本发明公开了一种改进的薄膜晶体管阵列板。在一个实施例中，阵列板包括多条栅线、数据线和多个连接到栅线和数据线的开关元件。层间绝缘层形成于栅线和数据线之间。还提供了覆盖栅线、数据线和开关元件的钝化层，其具有多个暴露所述数据线的部分的第一接触孔，其中，开关元件和像素电极通过第一接触孔连接。多个辅助接触形成于钝化层上且通过钝化层中的多个第二接触孔连接到数据线。多条辅助线通过层间绝缘层中的多个第三接触孔连接到数据线。
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公开(公告)号：CN100380682C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN02828493.3
申请日：2002-04-30
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 柳春基
IPC: H01L29/786 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/136227 , H01L21/76816 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1244 , H01L27/1248 , H01L29/66765
Abstract: 在衬底上形成包括栅极线、栅电极和栅极衬垫并沿横向延伸的栅极布线。随后形成栅极绝缘层，并在其上依次形成半导体层和欧姆接触层。沉积导电材料并对其构图以形成包括与栅极线相交的数据线、源电极、漏电极和数据衬垫的数据布线。在衬底上沉积由氮化硅制成的第一绝缘层，并在第一绝缘层上涂覆由感光有机绝缘材料制成的第二绝缘层。构图第二绝缘层以在其表面上形成凸凹图案和与漏电极相对的、暴露第一绝缘层的第一接触孔。随后，使用光致抗蚀剂图案通过光刻对第一绝缘层和栅极绝缘层一起构图，以形成分别暴露漏电极、栅极衬垫和数据衬垫的接触孔。接着，沉积铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)并对其构图以形成分别连接到漏电极、栅极衬垫和数据衬垫的透光性电极、子栅极衬垫和子数据衬垫。最后，在透光性电极上沉积反射导电材料并构图以形成具有像素区域中相应孔的反射膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101064318A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710005727.9
申请日：2007-02-13
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 柳春基
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/66765
Abstract: 公开了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括：在绝缘基板上形成包括栅电极的栅极线；在栅极线上形成栅极绝缘层、半导体层和刻蚀停止层；使用光刻法同时对刻蚀停止层和半导体层进行刻蚀并形成图案；灰化并且部分地去除在刻蚀停止层和半导体层的刻蚀和形成图案中所使用的光致抗蚀剂膜图案；对由光致抗蚀剂膜图案的已去除部分所暴露的刻蚀停止层进行刻蚀，以形成刻蚀停止组件；在刻蚀停止组件上沉积欧姆接触层和数据金属层；使用光刻法同时对欧姆接触层和数据金属层进行刻蚀，以形成具有源电极的数据线、面对源电极的漏电极、以及在源电极和漏电极下面的欧姆接触组件；在数据线和漏电极上形成钝化层；以及在钝化层上形成像素电极。
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公开(公告)号：CN101017835A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200710092304.5
申请日：2007-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768 , G02F1/1362
Abstract: 一种薄膜晶体管(TFT)阵列面板，包括：基板；第一信号线，形成在该基板上；栅绝缘层，形成在该第一信号线上，并具有露出该第一信号线一部分的第一接触孔；第一半导体，形成在该栅绝缘层上；第二信号线，形成在该第一半导体和该栅绝缘层上；和漏极电极，形成在该第一半导体上，并与该第二信号线隔开。该TFT阵列面板还包括：导体，形成在该栅绝缘层上，并通过该第一接触孔连接到第一信号线；钝化层，形成在该第二信号线、该漏极电极和该导体上，并具有露出该漏极电极的第二接触孔；和像素电极，形成在该钝化层上，并通过该第二接触孔连接到该漏极电极。
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公开(公告)号：CN1893092A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610100747.X
申请日：2006-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 柳春基
CPC classification number: G02F1/1368 , H01L27/12 , H01L27/1248
Abstract: 公开了一种提高了显示质量的薄膜晶体管衬底，包括：栅极线；数据线，与栅极线交叉并提供与栅极线和数据线毗邻的像素区域；数据图样，形成在与数据线大致相同的平面上并由与数据线大致相同的材料形成；薄膜晶体管，与栅极线和数据线连接、像素电极，与薄膜晶体管连接；有机保护层，在像素电极下形成并保护薄膜晶体管；和无机保护层，形成在数据图样和有机保护层之间，无机保护层以与数据图样有类似的图样形成在数据图样上。进一步提供了上述薄膜晶体管的制造方法。
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公开(公告)号：CN1821839A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610007654.2
申请日：2006-02-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/133 , G02F1/136 , G02F1/1333 , G09G3/36
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F1/13458 , G02F2001/13456 , H05K1/117 , H05K3/323 , H05K3/361 , H05K2201/09436 , H05K2201/09472
Abstract: 在显示装置及显示装置的制造方法中，显示装置包括：具有信号线和绝缘层的显示面板；以及电连接至信号线并且粘附到显示面板的信号发生器。信号线包括分别形成在其端部的焊盘。有机绝缘层被部分地去除，从而在信号线的焊盘之间形成过孔，以减小其中形成有焊盘的区域和其中没有形成焊盘的区域之间的梯级差。因此，显示装置可以增强信号发生器和显示面板之间的结合力。
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公开(公告)号：CN1744322A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200510097892.2
申请日：2005-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/13454 , G02F2001/13629 , G02F2201/50 , H01L27/124
Abstract: 本发明公开了一种改进的薄膜晶体管阵列板。在一个实施例中，阵列板包括多条栅线、数据线和多个连接到栅线和数据线的开关元件。层间绝缘层形成于栅线和数据线之间。还提供了覆盖栅线、数据线和开关元件的钝化层，其具有多个暴露所述数据线的部分的第一接触孔，其中，开关元件和像素电极通过第一接触孔连接。多个辅助接触形成于钝化层上且通过钝化层中的多个第二接触孔连接到数据线。多条辅助线通过层间绝缘层中的多个第三接触孔连接到数据线。
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