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公开(公告)号:CN1893116B
公开(公告)日:2010-05-12
申请号:CN200610090326.3
申请日:2006-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/40 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/84 , G02F1/1368
Abstract: 本发明公开了一种在不降低性能的情况下具有提高的处理效率的薄膜晶体管(TFT)板以及制造该TFT板的方法。TFT板包括由双层构成的栅极绝缘层图样。上栅极绝缘层图样的两侧壁的上部与栅电极的两侧壁基本对准。上栅极绝缘层图样的两侧壁的下部与在轻掺杂区与源区之间的边界部分以及在轻掺杂区与漏区之间的边界部分基本对准。因此,在下栅极绝缘层图样之下的轻掺杂区的浓度逐渐改变。
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公开(公告)号:CN100403137C
公开(公告)日:2008-07-16
申请号:CN200510092369.0
申请日:2005-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1339 , G02F1/1341
Abstract: 本发明公开了一种显示装置,该装置包括具有第一定向膜的第一基板,具有相应于所述第一定向膜的第二定向膜的第二基板,其相对地面对所述第一基板,和具有至少一部分与所述定向膜的周边区域交叠的密封剂,该密封剂将所述第一基板粘附到所述第二基板,其中,在一个实施例中,所述定向膜与所述密封剂交叠的周边区域在所述基板的平面方向上形成突起,以及所述第一基板设置有用于连接外部电路的焊盘部分,和设置在所述焊盘部分的密封剂的至少一部分不与所述第一和第二定向膜交叠,因此提供了一种具有基板之间优异的粘附并阻止显示区被缩窄的显示装置。
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公开(公告)号:CN1811570A
公开(公告)日:2006-08-02
申请号:CN200510129759.0
申请日:2005-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1339 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/1341 , G02F1/1339 , G02F1/136227 , G02F2001/133388 , G02F2201/50
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板,使用所述薄膜晶体管阵列面板的液晶显示器及其制造方法。所述薄膜晶体管阵列面板包括:基板,具有包括多个像素区的显示区和包围所述显示区的周边区;多个薄膜晶体管,分别形成于所述像素区中;钝化层,由有机材料制成并且覆盖所述薄膜晶体管;多个像素电极,分别连接到所述薄膜晶体管并且形成于所述像素区的钝化层上;有机阻挡构件,用与所述像素电极相同的层形成并且设置在周边区中;以及密封剂,包围所述显示区并且形成于所述周边区的钝化层上,其中所述有机阻挡构件与所述密封剂重叠。
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公开(公告)号:CN1893116A
公开(公告)日:2007-01-10
申请号:CN200610090326.3
申请日:2006-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/40 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/84 , G02F1/1368
Abstract: 本发明公开了一种在不降低性能的情况下具有提高的处理效率的薄膜晶体管(TFT)板以及制造该TFT板的方法。TFT板包括由双层构成的栅极绝缘层图样。上栅极绝缘层图样的两侧壁的上部与栅电极的两侧壁基本对准。上栅极绝缘层图样的两侧壁的下部与在轻掺杂区与源区之间的边界部分以及在轻掺杂区与漏区之间的边界部分基本对准。因此,在下栅极绝缘层图样之下的轻掺杂区的浓度逐渐改变。
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公开(公告)号:CN1885105A
公开(公告)日:2006-12-27
申请号:CN200610093261.8
申请日:2006-06-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/136204 , G02F2001/13456 , G09G3/3677 , G09G2300/0408 , G09G2300/0426 , G09G2330/04
Abstract: 本发明提供了一种LCD显示设备,其中,通过向栅极线输出栅极信号的栅极电路部件来控制栅极线。第一信号线路被形成在栅极电路部件附近,并且向栅极电路部件发送启动栅极电路部件的操作的启动信号。第二信号线路被形成在第一信号线路的一侧,并且向栅极电路部件发送控制该栅极电路部件的输出的控制信号。第一连接线路电连接在栅极电路部件和第二信号线路之间。第一连接线路与第一信号线路相交。因此,所述线路的电阻被增大,以便保护栅极电路免受静电损害。
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