公开(公告)号：CN119028997A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202410617117.8

申请日：2024-05-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳在相 ,  李承俊 ,  金政基 ,  宋充镐 ,  郑珉旭

IPC: H01L27/146

Abstract: 公开了一种图像传感器和一种制造图像传感器的方法。该图像传感器包括半导体衬底，半导体衬底包括像素、第一表面和与第一表面相对的第二表面。沟槽隔离层设置在穿透半导体衬底的第一表面和第二表面的沟槽中，并且将像素彼此分离。微透镜设置在第二表面上，其中，沟槽隔离层包括在从第一表面到第二表面的方向上延伸的第一导电隔离层。绝缘衬垫设置在第一导电隔离层与半导体衬底之间。第二导电隔离层在从第二表面到第一表面的方向上延伸，第二导电隔离层与第一导电隔离层接触。

公开(公告)号：CN119815952A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411370443.X

申请日：2024-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳在相 ,  宋永旭 ,  郑珉旭 ,  郑其好 ,  洪男冀

IPC: H10F39/18 ,  H04N25/40

Abstract: 一种图像传感器包括：光电转换器件，设置在包括第一表面和第二表面的衬底中；在衬底中的第一光电转换元件和第二光电转换元件；在衬底中的第一分离结构和第二分离结构；第一栅格结构和第二栅格结构，在第一分离结构和第二分离结构上。第二光电转换元件设置在第一分离结构和第二分离结构之间。第一栅格结构和第二栅格结构与第一分离结构和第二分离结构竖直地重叠。第一栅格结构包括气隙以及在气隙的外侧表面上的N个层。N个层中的每一层在第一方向上延伸。第二栅格结构包括在第二栅格结构的外侧表面上并且在第一方向上延伸的M个层。

公开(公告)号：CN115642164A

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN202210780384.8

申请日：2022-07-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳在相 ,  金度勋 ,  金锡钟 ,  朴性奎 ,  郑相日

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括：基板，其包括多个光电二极管；滤色器阵列，其具有多个滤色器；以及水平绝缘层，其设置在基板和滤色器阵列之间，并且水平绝缘层仅由不包括硅并且介电常数高于氧化硅的介电常数的高K介电材料形成，并且水平绝缘层具有等于或大于300埃并且等于或小于1000的厚度。