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公开(公告)号：CN118471977A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410662423.3
申请日：2018-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L23/528 , H03K19/0185
Abstract: 提供了一种集成电路。所述集成电路可包括第一有源区和第二有源区，第一有源区和第二有源区可彼此平行地沿第一水平方向在基底上延伸并且具有彼此不同的导电类型。第一栅极线可在与第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸，并且可与第一有源区形成第一晶体管。第一晶体管可包括施加有第一输入信号的栅极。第一栅极线可包括在垂直方向上与第一有源区叠置的并且具有位于第一有源区与第二有源区之间的区域上的端部的第一部分栅极线。
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公开(公告)号：CN109962066B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN201811276469.2
申请日：2018-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L23/528 , H03K19/0185
Abstract: 提供了一种集成电路。所述集成电路可包括第一有源区和第二有源区，第一有源区和第二有源区可彼此平行地沿第一水平方向在基底上延伸并且具有彼此不同的导电类型。第一栅极线可在与第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸，并且可与第一有源区形成第一晶体管。第一晶体管可包括施加有第一输入信号的栅极。第一栅极线可包括在垂直方向上与第一有源区叠置的并且具有位于第一有源区与第二有源区之间的区域上的端部的第一部分栅极线。
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公开(公告)号：CN106407496A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610615043.X
申请日：2016-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F17/50 , H01L21/768
CPC classification number: G06F17/5077 , H01L27/0207 , H01L27/11807 , G06F17/5072 , G06F17/5081 , H01L21/76838
Abstract: 提供了一种设计半导体装置的布图的方法和制造半导体装置的方法。所述设计半导体装置的布图的方法包括：制造标准单元布图，包括在至少一个互连布图中安置初始管脚图案；执行布线步骤以使初始管脚图案连接到高水平互连布图；基于完成布线步骤时获得的接触信息在互连布图中产生管脚图案。管脚图案小于初始管脚图案。
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公开(公告)号：CN110828450B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN201910460009.3
申请日：2019-05-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种集成电路，包括：沿第一方向在第一行中延伸的至少一个有源区；沿第一方向在第二行中延伸的至少一个有源区；以及多高度单元，包括第一行中的至少一个有源区、第二行中的至少一个有源区、沿与第一水平方向相交的第二方向上延伸的至少一条栅极线，其中，第一行中的至少一个有源区和第二行中的至少一个有源区中的每个有源区被扩散切断终止。
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公开(公告)号：CN113161341A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202011508202.9
申请日：2020-12-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/092 , H03K19/20
Abstract: 本公开提供包括集成的标准单元结构的集成电路。一种集成电路包括：第一有源区和第二有源区，在第一方向上延伸并在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开；电源轨和接地轨，在第一方向上延伸并在第二方向上与第一有源区和第二有源区间隔开且彼此间隔开；源极/漏极接触，在第二方向上延伸，在第一有源区或第二有源区的至少一部分上；栅极结构，在第二方向上延伸并在第一有源区和第二有源区的至少一部分上；电源轨，配置为通过源极/漏极接触通路供应电力；以及接地轨，配置为通过源极/漏极接触通路供应接地电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109962066A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201811276469.2
申请日：2018-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L23/528 , H03K19/0185
Abstract: 提供了一种集成电路。所述集成电路可包括第一有源区和第二有源区，第一有源区和第二有源区可彼此平行地沿第一水平方向在基底上延伸并且具有彼此不同的导电类型。第一栅极线可在与第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸，并且可与第一有源区形成第一晶体管。第一晶体管可包括施加有第一输入信号的栅极。第一栅极线可包括在垂直方向上与第一有源区叠置的并且具有位于第一有源区与第二有源区之间的区域上的端部的第一部分栅极线。
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公开(公告)号：CN108400135B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN201810118892.3
申请日：2018-02-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种集成电路(IC)，该IC可以包括多个标准单元。该多个标准单元中的至少一个标准单元可以包括：电源轨，配置为向所述至少一个标准单元供电，电源轨在第一方向上延伸；包括至少一个晶体管的单元区域，该至少一个晶体管配置为确定所述至少一个标准单元的功能；第一虚设区域和第二虚设区域，分别与单元区域的在第一方向上的两侧相邻；以及有源区域，跨单元区域、第一虚设区域和第二虚设区域地在第一方向上延伸。有源区域的包括在第一虚设区域或第二虚设区域中的区域电连接到电源轨。
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公开(公告)号：CN106407496B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201610615043.X
申请日：2016-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/392 , G06F30/394 , G06F30/398 , H01L21/768
Abstract: 提供了一种设计半导体装置的布图的方法和制造半导体装置的方法。所述设计半导体装置的布图的方法包括：制造标准单元布图，包括在至少一个互连布图中安置初始管脚图案；执行布线步骤以使初始管脚图案连接到高水平互连布图；基于完成布线步骤时获得的接触信息在互连布图中产生管脚图案。管脚图案小于初始管脚图案。
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公开(公告)号：CN108400135A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201810118892.3
申请日：2018-02-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种集成电路(IC)，该IC可以包括多个标准单元。该多个标准单元中的至少一个标准单元可以包括：电源轨，配置为向所述至少一个标准单元供电，电源轨在第一方向上延伸；包括至少一个晶体管的单元区域，该至少一个晶体管配置为确定所述至少一个标准单元的功能；第一虚设区域和第二虚设区域，分别与单元区域的在第一方向上的两侧相邻；以及有源区域，跨单元区域、第一虚设区域和第二虚设区域地在第一方向上延伸。有源区域的包括在第一虚设区域或第二虚设区域中的区域电连接到电源轨。
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公开(公告)号：CN110828449B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201910327491.3
申请日：2019-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/088
Abstract: 提供了包括标准单元的集成电路以及制造集成电路的方法。一种集成电路可以包括：第一标准单元，包括在第一水平方向上延伸的第一有源区和第二有源区以及在与第一水平方向正交的第二水平方向上延伸的第一栅极线；和第二标准单元，其包括在第一水平方向上延伸的第三有源区和第四有源区以及在第二水平方向上与第一栅极线平行地对准的第二栅极线并与第一标准单元相邻。第一标准单元的第二有源区与第二标准单元的第三有源区之间的距离可以大于第一标准单元的第一有源区和第二有源区之间的距离，并可以大于第二标准单元的第三有源区和第四有源区之间的距离。
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