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公开(公告)号：CN103426989A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310186277.3
申请日：2013-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/36 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/42 , H01L25/075 , F21S2/00 , F21Y101/02
CPC classification number: H01L27/156 , H01L25/0753 , H01L33/62 , H01L2224/24 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件，其包括衬底和布置在衬底上的多个发光单元。每个发光单元包括在其间形成有有源层的第一和第二导电半导体层，以及形成在第一和第二导电半导体层上的第一和第二电极。第一绝缘层形成在发光单元的一部分上，而第二绝缘层完全覆盖至少一个发光单元。本发明还提供了一种制造半导体发光器件的方法，以及包括所述半导体发光器件的发光模块和照明设备。
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公开(公告)号：CN103311420A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310067410.3
申请日：2013-03-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/153 , H01L33/38
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件，包括：衬底；多单元阵列，其包括布置在所述衬底的上表面上的多个发光单元；多个第一电极和多个第二电极，其形成在每个发光单元中并且具有相反极性；多个互连单元，其将形成在一个发光单元中的多个第一电极串联连接到形成在相邻发光单元中的多个第二电极；以及绝缘层，其形成在各发光单元的表面上以便防止所述多个互连单元与各发光单元的不期望区域进行连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103426989B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201310186277.3
申请日：2013-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/156 , H01L25/0753 , H01L33/62 , H01L2224/24 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件，其包括衬底和布置在衬底上的多个发光单元。每个发光单元包括在其间形成有有源层的第一和第二导电半导体层，以及形成在第一和第二导电半导体层上的第一和第二电极。第一绝缘层形成在发光单元的一部分上，而第二绝缘层完全覆盖至少一个发光单元。本发明还提供了一种制造半导体发光器件的方法，以及包括所述半导体发光器件的发光模块和照明设备。
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公开(公告)号：CN102403430B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201110276450.X
申请日：2011-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/06 , H01L29/78684 , H01L33/34 , H01L51/0046
Abstract: 提供了一种石墨烯发光装置及其制造方法。石墨烯发光装置包括：掺杂有p型掺杂剂的p型石墨烯；掺杂有n型掺杂剂的n型石墨烯；以及布置于p型石墨烯和n型石墨烯之间并发光的活性石墨烯，其中，p型石墨烯、n型石墨烯和活性石墨烯水平放置。
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公开(公告)号：CN102315352B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201110196557.3
申请日：2011-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/0025 , H01L33/005 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件包括：第一电极层、绝缘层、第二电极层、第二半导体层、活性层和第一半导体层，顺序地堆叠在基底上；第一接触件和第二接触件，第一接触件穿过基底以电连接到第一电极层，第二接触件穿过基底、第一电极层和绝缘层以与第二电极层连通。第一电极层通过填充穿过第二电极层、第二半导体层和活性层的接触孔来电连接到第一半导体层，绝缘层围绕接触孔的内圆周表面以使第一电极层与第二电极层绝缘。
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公开(公告)号：CN102522473B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201110456822.7
申请日：2009-02-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件、制造该半导体发光器件的方法以及一种利用该半导体发光器件的半导体发光器件封装件。所述半导体发光器件具有顺序层叠的第一传导类型的半导体层、有源层、第二传导类型的半导体层、第二电极层、绝缘层、第一电极层和传导基底，其中，第二电极层在第二电极层和第二传导类型的半导体层之间的界面处具有暴露区域，第一电极层包括至少一个接触孔，所述至少一个接触孔电连接到第一传导类型的半导体层，与第二传导类型的半导体层和有源层电绝缘，并从第一电极层的一个表面延伸到第一传导类型的半导体层的至少部分。
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公开(公告)号：CN103311420B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310067410.3
申请日：2013-03-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/153 , H01L33/38
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件，包括：衬底；多单元阵列，其包括布置在所述衬底的上表面上的多个发光单元；多个第一电极和多个第二电极，其形成在每个发光单元中并且具有相反极性；多个互连单元，其将形成在一个发光单元中的多个第一电极串联连接到形成在相邻发光单元中的多个第二电极；以及绝缘层，其形成在各发光单元的表面上以便防止所述多个互连单元与各发光单元的不期望区域进行连接。
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