公开(公告)号：CN103426989A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310186277.3

申请日：2013-05-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林璨默 ,  李锺昊 ,  金真焕 ,  李镇贤 ,  赵秀玄 ,  黄海渊

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L33/42 ,  H01L25/075 ,  F21S2/00 ,  F21Y101/02

CPC classification number: H01L27/156 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/24 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件，其包括衬底和布置在衬底上的多个发光单元。每个发光单元包括在其间形成有有源层的第一和第二导电半导体层，以及形成在第一和第二导电半导体层上的第一和第二电极。第一绝缘层形成在发光单元的一部分上，而第二绝缘层完全覆盖至少一个发光单元。本发明还提供了一种制造半导体发光器件的方法，以及包括所述半导体发光器件的发光模块和照明设备。

公开(公告)号：CN103311420A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201310067410.3

申请日：2013-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林璨默 ,  李锺昊 ,  金真焕 ,  申永澈 ,  赵秀玄 ,  李镇贤

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/36

CPC classification number: H01L27/153 ,  H01L33/38

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件，包括：衬底；多单元阵列，其包括布置在所述衬底的上表面上的多个发光单元；多个第一电极和多个第二电极，其形成在每个发光单元中并且具有相反极性；多个互连单元，其将形成在一个发光单元中的多个第一电极串联连接到形成在相邻发光单元中的多个第二电极；以及绝缘层，其形成在各发光单元的表面上以便防止所述多个互连单元与各发光单元的不期望区域进行连接。

公开(公告)号：CN103311420B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310067410.3

申请日：2013-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林璨默 ,  李锺昊 ,  金真焕 ,  申永澈 ,  赵秀玄 ,  李镇贤

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/36

CPC classification number: H01L27/153 ,  H01L33/38

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件，包括：衬底；多单元阵列，其包括布置在所述衬底的上表面上的多个发光单元；多个第一电极和多个第二电极，其形成在每个发光单元中并且具有相反极性；多个互连单元，其将形成在一个发光单元中的多个第一电极串联连接到形成在相邻发光单元中的多个第二电极；以及绝缘层，其形成在各发光单元的表面上以便防止所述多个互连单元与各发光单元的不期望区域进行连接。

公开(公告)号：CN103426989B

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201310186277.3

申请日：2013-05-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林璨默 ,  李锺昊 ,  金真焕 ,  李镇贤 ,  赵秀玄 ,  黄海渊

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L33/42 ,  H01L25/075 ,  F21S2/00

CPC classification number: H01L27/156 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/24 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件，其包括衬底和布置在衬底上的多个发光单元。每个发光单元包括在其间形成有有源层的第一和第二导电半导体层，以及形成在第一和第二导电半导体层上的第一和第二电极。第一绝缘层形成在发光单元的一部分上，而第二绝缘层完全覆盖至少一个发光单元。本发明还提供了一种制造半导体发光器件的方法，以及包括所述半导体发光器件的发光模块和照明设备。

公开(公告)号：CN103797594A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201180073508.9

申请日：2011-08-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金龙泰 ,  井上登美男 ,  金制远 ,  筒井毅 ,  李锺昊 ,  蔡昇完

IPC: H01L33/50

CPC classification number: G02B6/0073 ,  H01L33/486 ,  H01L33/505 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00

Abstract: 根据本发明的一个方面提供了一种波长转换发光二极管（LED）芯片以及用于制造该波长转换LED芯片的方法，其中所述方法包括步骤：将多个LED芯片附接至临时支撑板的顶面上的芯片排列区域，使得形成了至少一个电极的表面朝向上部；在各个LED芯片的电极上形成导电凸块；在芯片排列区域上形成含荧光物质树脂封装部件以覆盖导电凸块；抛光含荧光物质树脂封装部件以暴露该含荧光物质树脂封装部件的顶面上的导电凸块；切割LED芯片之间的含荧光物质树脂封装部件，以形成波长转换LED芯片（在此，通过含荧光物质树脂封装部件获得的波长转换层形成在波长转换LED芯片的侧表面和顶面上）；以及从波长转换LED芯片去除临时支撑板。

公开(公告)号：CN103180975A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201180051281.8

申请日：2011-09-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡昇完 ,  金台勋 ,  李守烈 ,  李进馥 ,  金真焕 ,  李承宰 ,  金甫耕 ,  李锺昊

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/46

CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的一个方面提供了一种半导体发光二极管芯片和一种半导体发光器件。所述半导体发光二极管芯片包括：透光衬底；以及在所述透光衬底的上表面上顺序地形成的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。所述半导体发光器件包括：后反射型叠层，其形成在透光衬底的下表面上并且具有辅助光学层和金属反射层，所述辅助光学层由具有预定折射率的材料制成，所述金属反射层形成在所述辅助光学层的下表面上；接合金属层，其设置在所述后反射型叠层的下表面上并且由共晶金属制成；以及接合叠层，其具有被形成为防止所述接合金属层与所述金属反射层之间的元素扩散的扩散屏障。