公开(公告)号：CN116072611A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202210967697.4

申请日：2022-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  朴范琎 ,  成石铉 ,  李豪真 ,  金洞院 ,  李东奎 ,  李明宣 ,  赵槿汇 ,  崔汉别 ,  河智龙

IPC: H01L21/8234

Abstract: 公开了半导体装置。所述半导体装置包括：有源图案，在基底上，其中，有源图案包括彼此堆叠的多个沟道层；多个源极/漏极图案，在第一方向上彼此间隔开并且布置在有源图案上，其中，所述多个源极/漏极图案通过所述多个沟道层彼此连接；以及第一栅电极和第二栅电极，至少部分地围绕沟道层并且在第二方向上延伸，其中，第二方向与第一方向相交，其中，有源图案具有第一侧壁和面向第一侧壁的第二侧壁，并且其中，有源图案的第一侧壁与第一栅电极的外侧壁之间的第一距离和有源图案的第二侧壁与第二栅电极的外侧壁之间的第二距离不同。

公开(公告)号：CN116207100A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202211283994.3

申请日：2022-10-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李豪振 ,  朴范璡 ,  李明宣 ,  赵槿汇 ,  金洞院

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括在水平的第一方向上延伸的第一有源图案至第四有源图案。第二有源图案在第一方向上与第一有源图案间隔开。第三有源图案在水平的第二方向上与第一有源图案间隔开。第四有源图案在第一方向上与第三有源图案间隔开。场绝缘层围绕第一有源图案至第四有源图案中的每个的侧壁。第一多个纳米片至第四多个纳米片分别设置在第一有源图案至第四有源图案上。第一栅电极在第二方向上延伸，与第一有源图案和第三有源图案中的每个相交，并且围绕第一多个纳米片和第三多个纳米片。第二栅电极在第二方向上延伸，与第二有源图案和第四有源图案中的每个相交，并且围绕第二多个纳米片和第四多个纳米片。