公开(公告)号：CN111903115B

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN201980021249.1

申请日：2019-04-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安正铁 ,  李相卨 ,  李承宪 ,  金广泰 ,  卞炯燮 ,  吴志雄

IPC: G09G3/00

Abstract: 根据各种实施例的显示设备包括：像素层，该像素层包括多个像素并且具有凹陷地形成的外部轮廓的一个或更多个区域，在轮廓的一个或更多个区域设置有多个像素；布线层，该布线层沿着外部轮廓的凹陷形成的一个或更多个部分设置，并且包括用于检测在与像素层邻近的区域上的裂缝的检测布线，其中该布线层可以设置在像素层下方。可以有其他各种实施例。

公开(公告)号：CN106257581B

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN201610438524.8

申请日：2016-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承宪 ,  金世勋 ,  廉智英 ,  崔瑗熙 ,  郭汉卓 ,  李瑞荣

IPC: G09G5/10

Abstract: 提供了一种用户终端装置及其用于调整亮度的方法。所述用户终端装置包括：显示器；第一传感器，被设置在用户终端装置的前表面上并被配置为检测前方照度；第二传感器，被设置在用户终端装置的后表面上并被配置为检测后方照度；控制器，被配置为基于由第一传感器检测到的前方照度和由第二传感器检测到的后方照度来调整显示器的亮度。

公开(公告)号：CN112864166A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202011344617.7

申请日：2020-11-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩太钟 ,  高在康 ,  金汶濬 ,  金须钟 ,  李承宪

IPC: H01L27/11575 ,  H01L27/11582

Abstract: 公开了一种三维半导体存储器件。该器件可以包括：基板，包括单元阵列区域以及提供在单元阵列区域的端部处的连接区域；电极结构，从单元阵列区域延伸到连接区域，该电极结构包括顺序地堆叠在基板上的电极；提供在电极结构上的上绝缘层；提供在上绝缘层中并沿着电极延伸的第一水平绝缘层；以及提供在连接区域上以穿透上绝缘层和第一水平绝缘层的第一接触插塞。第一水平绝缘层可以包括具有比上绝缘层更好的耐蚀刻性能的材料。

公开(公告)号：CN106251800A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610196205.0

申请日：2016-03-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承宪 ,  金世勋 ,  崔瑗熙

IPC: G09G3/20

CPC classification number: G09G5/10 ,  G06F3/1446 ,  G09G2300/026 ,  G09G2320/0233 ,  G09G2320/0686 ,  G09G2360/144 ,  G09G3/20 ,  G09G2320/0666

Abstract: 提供一种用于增强可见度的显示系统及其方法。提供了一种显示系统。所述显示系统包括：显示器；传感器，感测照射到显示器的表面上的光；以及控制器，其局部地调整部分区域的照度，在所述部分区域中，作为显示器的所有显示区域中的照射的光的结果，可见度降低。

公开(公告)号：CN104970826A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201510162239.3

申请日：2015-04-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵庚一 ,  宋宗根 ,  李承宪 ,  金培滢 ,  金永一

IPC: A61B8/00

Abstract: 在此公开了一种超声探头，所述超声探头被配置为经由热管和散热器将由换能器所产生的热释放到超声探头的外部。超声探头包括：外壳；换能器，被配置为能够产生超声波，同时被设置在所述外壳的内部；热管，被配置为传递由所述换能器所产生的热；散热器，连接到所述热管，并被配置为将经由所述热管传递的热释放到所述外壳的外部；以及分隔壁，被配置为使所述外壳的内部空间分隔开。

公开(公告)号：CN104510501A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410524811.1

申请日：2014-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金培滢 ,  金永一 ,  宋宗根 ,  李承宪 ,  赵庚一

IPC: A61B8/00 ,  G01S15/89

CPC classification number: A61B8/5207 ,  A61B8/14 ,  A61B8/4461 ,  A61B8/54 ,  G01S7/5202 ,  G01S7/52025 ,  G01S15/8915 ,  G01S15/8925 ,  G01S15/8927 ,  G10K11/346 ,  A61B8/00 ,  A61B8/48

Abstract: 公开一种用于波束形成的设备和方法。在此公开一种用于对由探头发送或接收的信号进行波束形成的波束形成设备，其中，探头包括多个换能器块，每个换能器块包括多个换能器，所述波束形成设备包括：控制器，控制组件延迟将从包括在每个换能器块中的多个换能器发送的信号或由包括在每个换能器块中的多个换能器接收的信号；模拟波束形成器，包括与各个换能器块相应的多个波束形成单元，所述多个波束形成单元根据从控制器发送的控制信号对由包括在每个换能器块中的多个换能器发送或接收的信号执行模拟波束形成，以减小动态延迟范围，从而减小延迟线的尺寸(模拟波束形成器的整体尺寸)。

公开(公告)号：CN113410235A

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202110288110.2

申请日：2021-03-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许仁景 ,  金孝燮 ,  朴素贤 ,  朴台镇 ,  李承宪 ,  崔允硕 ,  韩成熙 ,  黄有商

IPC: H01L27/108

Abstract: 本申请提供了一种半导体存储器件及其制造方法，半导体存储器件包括：第一杂质区和第二杂质区，在半导体衬底中间隔开；位线，电连接到第一杂质区；存储节点接触部，电连接到第二杂质区；气隙，在位线与存储节点接触部之间；着落焊盘，电连接到存储节点接触部；掩埋介电图案，在着落焊盘的侧壁上且在气隙上；以及间隔物封盖图案，在掩埋介电图案与气隙之间。

公开(公告)号：CN112086347A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN202010122476.8

申请日：2020-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承宪 ,  金汶浚 ,  高在康 ,  韩太钟

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了使用热可分解层制造半导体器件的方法、半导体制造装置和半导体器件。所述方法包括：在衬底上形成蚀刻目标层；在所述蚀刻目标层上形成彼此间隔开的热可分解图案；形成至少覆盖所述热可分解图案的侧壁的第一掩模图案；和通过加热方法去除所述热可分解图案以暴露所述第一掩模图案的侧壁。

公开(公告)号：CN104706378B

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201410759495.6

申请日：2014-12-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金培滢 ,  金永一 ,  宋宗根 ,  李承宪 ,  赵庚一

IPC: A61B8/00

Abstract: 在此公开了一种超声诊断设备及其控制方法。所述超声诊断设备包括：2D超声换能器阵列，二维布置了多个超声换能器元件；控制器，控制形成2D超声换能器阵列的所有超声换能器元件发送超声信号，并控制布置在形成2D超声换能器阵列的多个行中的一个行中的超声换能器元件顺序地接收超声回波信号。在使用2D超声换能器真理产生3D超声图像时，所述超声诊断设备可提高3D超声图像的分辨率和扫描速度，并且即使使用紧凑型系统(具有低复杂度的系统)也产生对象的3D超声图像。

公开(公告)号：CN103536314B

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201310289882.3

申请日：2013-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金永一 ,  金培滢 ,  宋宗根 ,  李承宪 ,  赵庚一

IPC: A61B8/00

CPC classification number: G01N29/26 ,  B06B1/0622 ,  G01N29/2406 ,  G01N29/2456 ,  G01N29/28 ,  G01N2291/106 ,  G01N2291/2636 ,  G01N2291/2638 ,  G01S15/892

Abstract: 这里公开了一种布置有换能器的换能器模块、一种超声探头和一种生产换能器所固定到的框架的方法。具体地讲，提供了一种包括其上布置有换能器的弯曲表面框架的换能器模块、一种生产所述弯曲表面框架的方法和一种作为应用包括弯曲表面框架的换能器模块的示例的包括换能器模块的超声探头。所述换能器模块可以包括：弯曲表面框架，在其前表面上以弯曲形状形成并且由柔性材料制成，其中，至少一个换能器设置在所述前表面上；以及支撑框架，安装在弯曲表面框架的后表面上以支撑弯曲表面框架。