公开(公告)号：CN118231404A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202311548046.2

申请日：2023-11-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炫静 ,  孔东植 ,  金俊秀 ,  李准范 ,  李进成

IPC: H01L27/088 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 一种集成电路器件可以包括衬底，该衬底包括在第一水平方向上纵向地延伸的字线沟槽、沿着字线沟槽的内表面延伸的栅极电介质膜、位于字线沟槽的在栅极电介质膜上的下部部分中并且在第一水平方向上纵向地延伸的字线、以及位于字线沟槽的在字线上的上部部分中并且在第一水平方向上纵向地延伸的绝缘覆盖图案。该字线可以包括功函数控制导电插塞，该功函数控制导电插塞包括具有金属掺杂剂的导电金属氮化物，并且功函数控制导电插塞包括与绝缘覆盖图案的底表面接触的顶表面、与栅极电介质膜接触的侧壁、以及与单块层接触的底表面。

公开(公告)号：CN103163031A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210548392.6

申请日：2012-12-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南基珠 ,  李准范 ,  赵容均

IPC: G01N3/28

CPC classification number: G06F17/5086 ,  B21D22/02 ,  G01N3/04 ,  G01N3/08 ,  G06F2217/41 ,  Y02T10/82

Abstract: 提供了一种用于获取成形极限图的试验机设备以及成形极限图试验方法，该试验机设备能够获取具有高精确度的关于样品的成形极限图，所述试验机设备包括固定夹具和移动夹具，移动夹具安装在固定夹具的上侧以能够进行竖直运动。移动夹具可以被构造为与固定夹具一起固定样品，设置在固定夹具的下侧的驱动装置可以被构造为驱动移动夹具的竖直运动。设置在移动夹具和驱动装置之间的互锁装置可以被构造为将驱动装置的驱动力传递到移动夹具。

公开(公告)号：CN115799215A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202210811414.7

申请日：2022-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡敎锡 ,  孔东植 ,  朴英郁 ,  金志勋 ,  白明铉 ,  魏胄滢 ,  李准范

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L27/105 ,  H10B99/00

Abstract: 公开了一种半导体器件和制造其的方法。该半导体器件可以包括在其中具有在第一方向上延伸的凹槽的衬底、在凹槽中的栅极绝缘层、在凹槽中并且在栅极绝缘层上的第一导电图案、以及在凹槽中并且在第一导电图案上的字线盖图案。第一导电图案可以包括第一材料，并且可以包括与字线盖图案相邻的第一导电部分和与凹槽的底端相邻的第二导电部分。第一导电部分的第一材料的晶粒的最大尺寸可以等于或大于第二导电部分的第一材料的晶粒的最大尺寸。

公开(公告)号：CN118678664A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202311628727.X

申请日：2023-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李准范 ,  金俊秀 ,  崔裁炫 ,  孔东植 ,  权智惠 ,  安泰玧 ,  崔铉昇

IPC: H10B12/00 ,  H10B63/00

Abstract: 提供了一种半导体存储器件。半导体器件可以包括：半导体衬底，具有限定有源区的器件隔离沟槽；器件隔离层，设置在器件隔离沟槽中；栅极沟槽，沿第一方向延伸并且与半导体衬底的有源区和器件隔离层交叉；字线，分别设置在栅极沟槽中，每个栅极沟槽可以包括第一沟槽部分和第二沟槽部分，第一沟槽部分在有源区中，第二沟槽部分在器件隔离层中，第一沟槽部分可以具有第一深度，并且第二沟槽部分可以具有大于第一深度的第二深度，器件隔离层可以包括下部和在下部上的上部，下部位于比第一沟槽部分的底表面低的水平处，并且下部可以由具有比上部的介电常数低的介电常数的介电材料形成。

公开(公告)号：CN118472031A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410061328.8

申请日：2024-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俊秀 ,  孔东植 ,  权智惠 ,  李准范 ,  张成豪

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H10B12/00

Abstract: 半导体装置包括：从衬底突出的第一有源图案；栅极结构，其包括横向堆叠在第一有源图案的第一侧壁上的栅极绝缘层和栅极图案，栅极图案面向第一有源图案的第一侧壁并沿平行于衬底的上表面的第一方向延伸；以及第一导电层图案，其接触栅极绝缘层并从栅极结构的侧壁突出。第一导电层图案可以设置为面向第一有源图案在第一方向上的第二侧壁和第三侧壁，并且第一导电层图案可以与第一有源图案间隔开。

公开(公告)号：CN103212630A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310021903.3

申请日：2013-01-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南基珠 ,  李准范 ,  姜兑勋 ,  韩哲暎

IPC: B21D37/10 ,  B21D37/12

CPC classification number: B21D11/00 ,  B21D19/08 ,  B21D19/12 ,  B21D37/08

Abstract: 本发明提供了一种用于组合成型，能够同时执行弯曲工艺和卷曲工艺的冲压模具，所述冲压模具包括：第一模具，安装成执行竖直运动；第二模具，构造成从所述第一模具的下侧支撑工件；移动装置，构造成使由所述第二模具支撑的所述工件移动；夹持器，构造成夹持由所述移动装置移动的所述工件，以使所述工件安装在所述第二模具上；第三模具，设置在第一模具上以使安装在所述第二模具上的工件弯曲；以及第四模具，设置在所述第二模具上，以使完成了弯曲的工件卷曲。

公开(公告)号：CN118785704A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202311518828.1

申请日：2023-11-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李准范 ,  孔东植 ,  权智惠 ,  金俊秀 ,  崔裁炫 ,  崔铉昇

IPC: H10B12/00

Abstract: 由器件隔离层限定的有源区设置在衬底上。设置与有源区交叉的字线以及在字线与有源区之间的栅介电层。设置覆盖字线的上表面的封盖绝缘图案以及在字线上的位线。字线可以包括第一导电图案和在第一导电图案上的第二导电图案。第一导电图案可以包括第一金属元素。第二导电图案可以包括第一金属元素、功函数调节元素和扩散阻挡元素。扩散阻挡元素的原子半径可以小于第一金属元素的原子半径。