公开(公告)号：CN118231404A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202311548046.2

申请日：2023-11-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炫静 ,  孔东植 ,  金俊秀 ,  李准范 ,  李进成

IPC: H01L27/088 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 一种集成电路器件可以包括衬底，该衬底包括在第一水平方向上纵向地延伸的字线沟槽、沿着字线沟槽的内表面延伸的栅极电介质膜、位于字线沟槽的在栅极电介质膜上的下部部分中并且在第一水平方向上纵向地延伸的字线、以及位于字线沟槽的在字线上的上部部分中并且在第一水平方向上纵向地延伸的绝缘覆盖图案。该字线可以包括功函数控制导电插塞，该功函数控制导电插塞包括具有金属掺杂剂的导电金属氮化物，并且功函数控制导电插塞包括与绝缘覆盖图案的底表面接触的顶表面、与栅极电介质膜接触的侧壁、以及与单块层接触的底表面。

公开(公告)号：CN109285835B

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN201810777809.3

申请日：2018-07-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炫静 ,  禹东秀 ,  李进成 ,  全南镐 ,  洪载昊

IPC: H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H10B41/35 ,  H10B41/41

Abstract: 一种半导体存储器件包括限定衬底的有源区域的分隔构件。栅极线与所述有源区域相交并且被埋入在所述衬底中形成的沟槽中。每条所述栅极线包括下电极结构和在所述下电极结构上的上电极结构。所述上电极结构包括源层，所述源层基本上覆盖所述沟槽的侧壁并且包括功函数调整元素。导电层在所述源层上。功函数调整层设置在所述源层与所述导电层之间。所述功函数调整层包括与所述源层的材料不同的材料，并且掺杂有所述功函数调整元素。

公开(公告)号：CN109285835A

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201810777809.3

申请日：2018-07-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炫静 ,  禹东秀 ,  李进成 ,  全南镐 ,  洪载昊

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 一种半导体存储器件包括限定衬底的有源区域的分隔构件。栅极线与所述有源区域相交并且被埋入在所述衬底中形成的沟槽中。每条所述栅极线包括下电极结构和在所述下电极结构上的上电极结构。所述上电极结构包括源层，所述源层基本上覆盖所述沟槽的侧壁并且包括功函数调整元素。导电层在所述源层上。功函数调整层设置在所述源层与所述导电层之间。所述功函数调整层包括与所述源层的材料不同的材料，并且掺杂有所述功函数调整元素。

公开(公告)号：CN109671709B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN201811192019.5

申请日：2018-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全南镐 ,  李进成 ,  李炫静 ,  禹东秀 ,  许栋圭 ,  洪载昊

IPC: H10B12/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体存储器装置及一种制造半导体存储器装置的方法。所述半导体存储器装置包括：装置隔离层，界定衬底的有源区；以及栅极线，掩埋在衬底中且穿过有源区延伸。栅极线中的每一者包括：导电层；衬层，设置在导电层与衬底之间且将导电层与衬底分隔开；以及第一逸出功调整层，设置在导电层及衬层上。第一逸出功调整层包含第一逸出功调整材料。第一逸出功调整层的逸出功小于导电层及衬层的逸出功。本发明的半导体存储器装置具有增强的电特性。

公开(公告)号：CN109671709A

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：CN201811192019.5

申请日：2018-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全南镐 ,  李进成 ,  李炫静 ,  禹东秀 ,  许栋圭 ,  洪载昊

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L27/1052 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/10891 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L29/0649 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10861

Abstract: 本发明公开了一种半导体存储器装置及一种制造半导体存储器装置的方法。所述半导体存储器装置包括：装置隔离层，界定衬底的有源区；以及栅极线，掩埋在衬底中且穿过有源区延伸。栅极线中的每一者包括：导电层；衬层，设置在导电层与衬底之间且将导电层与衬底分隔开；以及第一逸出功调整层，设置在导电层及衬层上。第一逸出功调整层包含第一逸出功调整材料。第一逸出功调整层的逸出功小于导电层及衬层的逸出功。本发明的半导体存储器装置具有增强的电特性。