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公开(公告)号：CN105940413B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201480074552.5
申请日：2014-09-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06K9/00
Abstract: 本发明公开一种为了使集成电路的驱动元件具有耐久性而具有改善的结构的指纹识别装置、其制造方法以及电子设备。指纹识别装置可以包括：集成电路，与至少一个传感器电极电连接；第一电路基板，位于所述集成电路的上部，配备有所述至少一个传感器电极；第二电路基板，与所述第一电路基板电连接，并位于所述集成电路的下部；模塑层，配备于所述第一电路基板的下部而包裹所述集成电路，以从外部保护所述集成电路；连接部，电连接所述第一电路基板和所述第二电路基板。
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公开(公告)号：CN108110100A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711192036.4
申请日：2017-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/025 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2933/0058 , H01L33/10 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光装置和一种制造半导体发光装置的方法，所述装置包括：包括多个V形凹陷的第一导电半导体层；第一导电半导体层上的有源层，其沿着所述多个V形凹陷的形状；有源层上的第二导电半导体层；第二导电半导体层上的助反射层；以及助反射层上的反射层，其中，第二导电半导体层的厚度为45nm至100nm。
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公开(公告)号：CN101602243A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200810171344.3
申请日：2008-10-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B29C45/1671 , B29C45/14827 , B29C45/1618 , B29C45/162 , B29C2045/1673 , B29C2795/00
Abstract: 本发明公开了一种注射成型系统及注射成型方法。注射成型系统包括：注射模具组，通过重复注射成型形成注射成型产品；印刷装置，将涂覆有颜色的膜压到中间注射成型产品上以在中间注射成型产品上印刷颜色。中间注射成型产品被印刷有涂覆在膜上的颜色以缩短印刷时间并半永久地保持印刷图案。此外，即使膜稍微偏离预定的正确位置，也可在中间注射成型产品上正确地印刷期望的图案。
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公开(公告)号：CN103872200B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201310675942.5
申请日：2013-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/22
Abstract: 本公开提供了形成半导体层的方法、半导体发光器件及其制造方法。形成半导体层的方法包括：在衬底上形成多个纳米柱；在衬底上形成下部半导体层，以暴露至少部分的纳米柱；去除纳米柱，以在下部半导体层中形成空隙；以及在下部半导体层和空隙的上部上形成上部半导体层。
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公开(公告)号：CN105940413A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201480074552.5
申请日：2014-09-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06K9/00
Abstract: 本发明公开一种为了使集成电路的驱动元件具有耐久性而具有改善的结构的指纹识别装置、其制造方法以及电子设备。指纹识别装置可以包括：集成电路，与至少一个传感器电极电连接；第一电路基板，位于所述集成电路的上部，配备有所述至少一个传感器电极；第二电路基板，与所述第一电路基板电连接，并位于所述集成电路的下部；模塑层，配备于所述第一电路基板的下部而包裹所述集成电路，以从外部保护所述集成电路；连接部，电连接所述第一电路基板和所述第二电路基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105489715A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510612160.6
申请日：2015-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/0025 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L33/005 , H01L2933/0008 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明提供了一种制造半导体发光器件的方法，包括：形成第一导电类型的半导体层；通过在第一导电类型的半导体层上交替地形成多个量子阱层和多个量子势垒层来形成有源层；以及在有源层上形成第二导电类型的半导体层。所述多个量子势垒层包括邻近第一导电类型的半导体层的至少一个第一量子势垒层和邻近第二导电类型的半导体层的至少一个第二量子势垒层。有源层的形成包括：允许在第一温度下生长所述至少一个第一量子势垒层；以及允许在低于第一温度的第二温度下生长所述至少一个第二量子势垒层。本发明还提供了一种发光模块和一种照明设备。
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公开(公告)号：CN105006502A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510202504.6
申请日：2015-04-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/0254 , C23C16/34 , C23C16/4404 , H01L21/02107 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02496 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01J37/3288
Abstract: 本公开涉及制造半导体器件的方法和维护沉积设备的方法。制造半导体器件的方法包括：通过将铝(Al)源供应至处理室，在处理室的表面上形成铝化合物膜，所述表面接触处理室中的铝源；在形成铝化合物膜之后，将晶圆布置在设置在处理室中的承受器上；以及在晶圆上形成用于半导体器件的薄膜。
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公开(公告)号：CN103872200A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310675942.5
申请日：2013-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/22 , H01L33/0062 , H01L33/32
Abstract: 本公开提供了形成半导体层的方法、半导体发光器件及其制造方法。形成半导体层的方法包括：在衬底上形成多个纳米柱；在衬底上形成下部半导体层，以暴露至少部分的纳米柱；去除纳米柱，以在下部半导体层中形成空隙；以及在下部半导体层和空隙的上部上形成上部半导体层。
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公开(公告)号：CN107180895B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201710048782.X
申请日：2017-01-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 可以制造的发光器件包括：在衬底上的包括第一掺杂剂的n型半导体层、在n型半导体层上的有源层以及在有源层上的包括第二掺杂剂的p型半导体层。可以根据第一成层工艺和第二成层工艺中的至少一个来形成发光器件。第一成层工艺可以包括：根据离子注入工艺将第一掺杂剂注入n型半导体层，并且第二成层工艺可以包括根据离子注入工艺将第二掺杂剂注入p型半导体层中。形成包括离子注入的掺杂剂在内的半导体层可以包括在离子注入之后对半导体层进行热退火。p型半导体层可以包括浓度为约1×1017原子/cm3至约1×1018原子/cm3的镁‑氢(Mg‑H)复合物。
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公开(公告)号：CN119247654A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411623936.X
申请日：2020-10-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/13357 , G02F1/1333
Abstract: 提供了一种具有减小的边框尺寸的显示装置，所述显示装置包括：后机架；光源模块，安装在所述后机架上，所述光源模块被配置为发射光；漫射板，设置在所述光源模块的前面，所述漫射板被配置为漫射由所述光源模块发射的光；液晶面板，设置在所述漫射板的前面，所述液晶面板被配置为显示图像；前机架，覆盖所述液晶面板的侧表面和所述漫射板的侧表面；中间模制部，设置在所述前机架和所述后机架之间，所述中间模制部结合到所述后机架和所述漫射板；以及第一粘合部，设置在所述漫射板和所述中间模制部之间，所述第一粘合部将所述漫射板粘结到所述中间模制部。
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