公开(公告)号：CN114649262A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202111429774.2

申请日：2021-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴寅源 ,  金辅淳 ,  朴钟淳

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/085

Abstract: 一种半导体器件包括：基板，包括在第一区域和第二区域之间的边界区域；在第一区域上的第一有源图案；在第二区域上的第二有源图案；以及在边界区域上且在第一有源图案和第二有源图案之间的隔离绝缘图案。第一有源图案中的至少一个的宽度不同于第一有源图案中的另一个的宽度。第二有源图案的宽度可以彼此相等。隔离绝缘图案的底表面包括与对应的第一有源图案相邻的第一底表面、与对应的第二有源图案相邻的第二底表面以及在第一底表面和第二底表面之间的第三底表面。第三底表面相对于基板的底表面位于与第一底表面和第二底表面的高度不同的高度。

公开(公告)号：CN105826463B

公开(公告)日：2020-05-15

申请号：CN201610037265.8

申请日：2016-01-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟撤 ,  权亨峻 ,  金仁皓 ,  朴钟淳

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L43/02

Abstract: 本发明提供了图案化方法、制造半导体器件的方法以及半导体器件。所述图案化方法包括：在衬底上形成刻蚀目标层；在刻蚀目标层上形成掩模图案；以及使用掩模图案作为刻蚀掩模对刻蚀目标层进行刻蚀以形成彼此间隔开的图案。对刻蚀目标层的刻蚀处理包括利用入射能量在600eV至10keV的范围内的离子束照射刻蚀目标层。在各掩模图案之间的刻蚀目标层中形成凹进区，所述离子束以相对于衬底的顶面的第一角度入射至凹进区的底面，并以相对于凹进区的内侧面的第二角度入射至凹进区的内侧面。第一角度在50°至90°的范围内，第二角度在0°至40°的范围内。

公开(公告)号：CN114334962A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111110486.0

申请日：2021-09-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟淳 ,  朴钟撤 ,  李馥英 ,  李正允 ,  李亨求 ,  郑然镀 ,  丁海建

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/77 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件，包括：位于衬底上的器件隔离层；图案组，包括在第一方向上延伸的鳍图案；以及栅结构，在第二方向上延伸以与鳍图案相交。图案组中的第一图案组可以包括第一鳍图案。第一鳍图案的至少一部分可以在第二方向上以第一间距布置。第一图案组可以包括从第一凹陷部延伸的第一平坦部。第一凹陷部的中心轴可以在第二方向上与第一鳍图案中的一个的中心轴间隔开第一距离。第一平坦部可以在第二方向上具有第一宽度，第一宽度大于第一间距。第一距离可以是第一间距的约0.8倍至约1.2倍。

公开(公告)号：CN105826463A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201610037265.8

申请日：2016-01-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟撤 ,  权亨峻 ,  金仁皓 ,  朴钟淳

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L43/02

Abstract: 本发明提供了图案化方法、制造半导体器件的方法以及半导体器件。所述图案化方法包括：在衬底上形成刻蚀目标层；在刻蚀目标层上形成掩模图案；以及使用掩模图案作为刻蚀掩模对刻蚀目标层进行刻蚀以形成彼此间隔开的图案。对刻蚀目标层的刻蚀处理包括利用入射能量在600eV至10keV的范围内的离子束照射刻蚀目标层。在各掩模图案之间的刻蚀目标层中形成凹进区，所述离子束以相对于衬底的顶面的第一角度入射至凹进区的底面，并以相对于凹进区的内侧面的第二角度入射至凹进区的内侧面。第一角度在50°至90°的范围内，第二角度在0°至40°的范围内。