公开(公告)号：CN106486461B

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN201610756035.7

申请日：2016-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩赫 ,  朴济宪 ,  尹基炫 ,  李彰原 ,  林炫锡 ,  河周延

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体器件包括：包含下部导体的下部结构、在下部结构上的具有暴露出下部导体的开口的上部结构、和填充该开口并连接到下部导体的连接结构。连接结构包括覆盖开口的内表面并在开口中限定凹进区的第一钨层、和在第一钨层上填充凹进区的第二钨层。在连接结构的上部中的第二钨层的晶粒尺寸大于在连接结构的下部中的第二钨层的晶粒尺寸。

公开(公告)号：CN109244078A

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201810749616.7

申请日：2018-07-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩赫 ,  朴济宪 ,  金度亨 ,  金台镛 ,  李根 ,  李正吉 ,  林炫锡

IPC: H01L27/11551 ,  H01L27/11578

Abstract: 提供了半导体存储器件和导体结构。该半导体存储器件可以包括衬底、堆叠在衬底上的栅电极结构、在栅电极结构之间的绝缘图案、穿透栅电极结构和绝缘图案的垂直沟道、以及数据存储图案。垂直沟道可以电连接到衬底。数据存储图案可以布置在栅电极结构与垂直沟道之间。栅电极结构的每个可以包括壁垒膜、金属栅极和晶粒边界填塞层。晶粒边界填塞层可以在壁垒膜与金属栅极之间。

公开(公告)号：CN101236954A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200810005304.1

申请日：2008-01-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许元九 ,  朴栋均 ,  朴济宪 ,  曹永周 ,  罗圭泰

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76838 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76877 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/11521

Abstract: 一种半导体装置的配线结构，所述半导体装置的配线结构包括绝缘间层、插塞和导电图案。绝缘间层在基板上具有穿过其的开口。插塞包括钨并填充开口。插塞通过利用源气体的反应的沉积过程而形成。导电图案结构与插塞接触，并且包括第一钨层图案和第二钨层图案。第一钨层图案通过沉积过程形成。第二钨层图案通过物理气相沉积(PVD)过程形成。

公开(公告)号：CN115172264A

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202210637213.X

申请日：2016-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩赫 ,  朴济宪 ,  尹基炫 ,  李彰原 ,  林炫锡 ,  河周延

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 本公开提供了制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括：包含下部导体的下部结构、在下部结构上的具有暴露出下部导体的开口的上部结构、和填充该开口并连接到下部导体的连接结构。连接结构包括覆盖开口的内表面并在开口中限定凹进区的第一钨层、和在第一钨层上填充凹进区的第二钨层。在连接结构的上部中的第二钨层的晶粒尺寸大于在连接结构的下部中的第二钨层的晶粒尺寸。

公开(公告)号：CN109244078B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN201810749616.7

申请日：2018-07-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩赫 ,  朴济宪 ,  金度亨 ,  金台镛 ,  李根 ,  李正吉 ,  林炫锡

IPC: H10B41/20 ,  H10B43/20

Abstract: 提供了半导体存储器件和导体结构。该半导体存储器件可以包括衬底、堆叠在衬底上的栅电极结构、在栅电极结构之间的绝缘图案、穿透栅电极结构和绝缘图案的垂直沟道、以及数据存储图案。垂直沟道可以电连接到衬底。数据存储图案可以布置在栅电极结构与垂直沟道之间。栅电极结构的每个可以包括壁垒膜、金属栅极和晶粒边界填塞层。晶粒边界填塞层可以在壁垒膜与金属栅极之间。

公开(公告)号：CN106486461A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610756035.7

申请日：2016-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩赫 ,  朴济宪 ,  尹基炫 ,  李彰原 ,  林炫锡 ,  河周延

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/535 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575

Abstract: 一种半导体器件包括：包含下部导体的下部结构、在下部结构上的具有暴露出下部导体的开口的上部结构、和填充该开口并连接到下部导体的连接结构。连接结构包括覆盖开口的内表面并在开口中限定凹进区的第一钨层、和在第一钨层上填充凹进区的第二钨层。在连接结构的上部中的第二钨层的晶粒尺寸大于在连接结构的下部中的第二钨层的晶粒尺寸。