公开(公告)号：CN101630704A

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200910159777.1

申请日：2009-07-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴敏 ,  吴旼锡 ,  申明勋 ,  李昌昊 ,  李秉奎 ,  南毓铉 ,  郑胜在 ,  林美花 ,  徐晙荣

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/042 ,  H01L31/075 ,  H01L31/0232

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0465 ,  H01L31/056 ,  H01L31/076 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池及其制造方法。该制造方法包括：在基板上沉积透明导电层；图案化透明导电层；形成半导体层，该半导体层沉积在所图案化的透明导电层上；图案化半导体层；将金属粉涂覆在图案化的半导体层上；在涂覆有金属粉的半导体层上形成后电极层；以及图案化后电极层和半导体层。该方法可用于制造具有改良的光吸收效率的太阳能电池，

公开(公告)号：CN102629636A

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201110451007.1

申请日：2011-12-21

Applicant: 三星SDI株式会社 ,  三星电子株式会社

Inventor： 吴旼锡 ,  朴敏 ,  李允锡 ,  宋南圭 ,  李草英 ,  全勋夏 ,  张然翼

IPC: H01L31/077 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/20

CPC classification number: H01L31/202 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池包括基底、半导体层、第一掺杂图案和第二掺杂图案。基底具有适合于接收太阳光的第一表面和背对第一表面的第二表面。半导体层包括形成在基底的第二表面的第一区域上的绝缘图案以及形成在基底的第二表面的其上不形成绝缘图案的第二区域上的半导体图案。第一掺杂图案和第二掺杂图案形成在半导体图案中或形成在半导体图案上。