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公开(公告)号：CN114597253A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202111478685.7
申请日：2021-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体装置，其包括具有与对应的硅锗衬垫对齐并且填充有掺杂的半导体源极和漏极区的源极和漏极凹部的衬底。设置了堆叠的多个半导体沟道层，它们在衬底内通过在硅锗衬垫之间横向地延伸的对应的埋置的绝缘栅电极区彼此竖直地分离。绝缘栅电极设置在多个半导体沟道层中的最上面的一个上。硅锗衬垫可掺杂有碳。
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公开(公告)号：CN119815876A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411939563.7
申请日：2020-01-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体器件包括：有源区，其在衬底上在第一方向上延伸；沟道层，其位于有源区上并竖直地间隔开；栅极结构，其与有源区和沟道层交叉，栅极结构在第二方向上延伸并围绕沟道层；以及源/漏区，其位于栅极结构的一侧的有源区上，源/漏区接触沟道层，源/漏区包括第一外延层和第二外延层，第一外延层具有第一成分并包括第一层和第二层，所述第一层位于沟道层的侧表面上，所述第二层位于源/漏区的下端的有源区上，第二外延层具有与第一成分不同的第二成分，第二外延层在第一方向上位于第一外延层之间，并在第三方向上竖直地位于第一外延层之间。
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公开(公告)号：CN114628383A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202111464731.8
申请日：2021-12-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 提供了一种半导体装置。半导体装置包括：有源图案，其包括下图案和多个片状图案，多个片状图案在第一方向上与下图案间隔开；源极/漏极图案，其位于下图案上，并且接触多个片状图案；以及栅极结构，其位于源极/漏极图案在与第一方向不同的第二方向上的相对侧上，栅极结构包括多个片状图案上的栅电极，其中，源极/漏极图案具有包括半导体材料的外延区和在外延区内并且由半导体材料包围的空腔区。
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公开(公告)号：CN111415991B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202010016458.1
申请日：2020-01-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底上沿第一方向延伸的有源区；衬底上与有源区相交并沿第二方向延伸的栅结构；以及在栅结构的至少一侧的有源区上的源/漏区，其中源/漏区包括：在第一方向上彼此间隔开的多个第一外延层，该多个第一外延层包括第一导电类型的第一杂质；以及填充该多个第一外延层之间的空间的第二外延层，第二外延层包括第一导电类型的第二杂质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111415990B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202010014972.1
申请日：2020-01-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体器件包括：有源区，其在衬底上在第一方向上延伸；沟道层，其位于有源区上并竖直地间隔开；栅极结构，其与有源区和沟道层交叉，栅极结构在第二方向上延伸并围绕沟道层；以及源/漏区，其位于栅极结构的一侧的有源区上，源/漏区接触沟道层，源/漏区包括第一外延层和第二外延层，第一外延层具有第一成分并包括第一层和第二层，所述第一层位于沟道层的侧表面上，所述第二层位于源/漏区的下端的有源区上，第二外延层具有与第一成分不同的第二成分，第二外延层在第一方向上位于第一外延层之间，并在第三方向上竖直地位于第一外延层之间。
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公开(公告)号：CN114725216A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202111544172.1
申请日：2021-12-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：有源区，所述有源区在衬底上沿第一方向延伸；多个沟道层，所述多个沟道层在所述有源区上彼此垂直间隔开，并且包括半导体材料；栅极结构，所述栅极结构在所述衬底上沿第二方向延伸；和源极/漏极区，所述源极/漏极区在所述栅极结构的至少一侧设置所述有源区上。所述栅极结构与所述有源区和所述多个沟道层相交，并且围绕所述多个沟道层。所述源极/漏极区接触所述多个沟道层，并且包括第一杂质。在所述多个沟道层的至少一个沟道层中，与所述有源区相邻的下部区域包括第一浓度的所述第一杂质和第二杂质，并且上部区域包括低于所述第一浓度的第二浓度的所述第一杂质和所述第二杂质。
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公开(公告)号：CN112002758A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010401894.0
申请日：2020-05-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/08 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底上在第一方向上延伸的有源区，该有源区具有上表面和侧壁；多个沟道层，其在有源区上方以彼此竖直间隔开；栅电极，其在第二方向上延伸以与有源区交叉并部分地围绕所述多个沟道层；以及源极/漏极区，其在有源区上在栅电极的至少一侧并与所述多个沟道层接触，并且从有源区的侧壁延伸，并且在与所述多个沟道层当中与有源区相邻的最下沟道层相邻的第一区域中在第二方向上具有大宽度。
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公开(公告)号：CN112002757A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010272045.X
申请日：2020-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括半导体图案、栅结构、第一间隔物、第一半导体层和第二半导体层。半导体图案可以形成在衬底上，并且可以在与衬底的上表面垂直的竖直方向上彼此间隔开，并可以在竖直方向上重叠。栅结构可以形成在衬底和半导体图案上。栅结构的至少一部分可以在竖直方向上形成在半导体图案之间。第一间隔物可以覆盖栅结构的相对侧壁，所述侧壁在第一方向上彼此相对。第一半导体层可以覆盖半导体图案在第一方向上的侧壁以及第一间隔物和衬底的表面。第一半导体层可以具有第一杂质浓度。第二半导体层可以形成在第一半导体层上，并且可以具有高于第一杂质浓度的第二杂质浓度。该半导体器件可以具有良好的特性和高可靠性。
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公开(公告)号：CN120050996A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202411105441.8
申请日：2024-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种集成电路器件包括：衬底，提供有设置在衬底的第一表面处的鳍型有源区；多个纳米片，设置在鳍型有源区的顶表面上并与鳍型有源区的顶表面分离；设置在鳍型有源区上的栅极线，栅极线围绕所述多个纳米片中的每个；设置在鳍型有源区上的源极/漏极区，源极/漏极区的侧壁与栅极线相邻并与所述多个纳米片接触；背面接触，从衬底的第二表面朝向源极/漏极区的下部延伸；以及高浓度掺杂层，设置在源极/漏极区的下部。高浓度掺杂层具有比源极/漏极区的掺杂剂浓度大的掺杂剂浓度。
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