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公开(公告)号：CN108538804B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201810251036.5
申请日：2013-05-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L27/02 , H01L27/108
Abstract: 本发明公开了具有限定有源区的线型沟道的半导体装置及其形成方法，其中该半导体装置包括：彼此平行的多个平行沟槽；彼此平行的多个交叉沟槽；由平行沟槽和交叉沟槽限定的多个有源区；跨过有源区的多条下导线；彼此平行的多条上导线，交叉下导线且跨越有源区；以及连接到有源区的数据存储元件。平行沟槽和交叉沟槽的每个是直线形。平行沟槽交叉上导线并与上导线形成第一锐角。交叉沟槽交叉平行沟槽并与平行沟槽形成第二锐角。
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公开(公告)号：CN102315218B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201110183551.2
申请日：2011-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/78 , H01L29/41 , H01L23/528
CPC classification number: H01L27/088 , H01L23/535 , H01L27/0207 , H01L29/0649 , H01L29/0847 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/4933 , H01L29/7833
Abstract: 本发明提供四晶体管布局、集成电路场效应晶体管和半导体器件。四晶体管布局可以包括定义有源区的隔离区，该有源区沿不同的第一方向和第二方向延伸。四个晶体管的公共源区从有源区的中心沿第一方向和第二方向两者延伸以定义有源区的在公共源区之外的四个象限。提供四个漏区，各个漏区在所述四个象限的相应一个中且与公共源区间隔开。最后，提供四个栅电极，各个栅电极在四个象限的相应一个中在公共源区与四个漏区中的相应一个之间。各个栅电极包括顶点以及第一延伸部分和第二延伸部分，该第一延伸部分从该顶点沿第一方向延伸，该第二延伸部分从该顶点沿第二方向延伸。
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公开(公告)号：CN103794605B
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201310188874.X
申请日：2013-05-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242 , H01L23/498
CPC classification number: H01L23/49838 , H01L27/0207 , H01L27/10814 , H01L27/10847 , H01L27/10876 , H01L27/10885 , H01L27/10891 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了具有限定有源区的线型沟道的半导体装置及其形成方法，其中该半导体装置包括：彼此平行的多个平行沟槽；彼此平行的多个交叉沟槽；由平行沟槽和交叉沟槽限定的多个有源区；跨过有源区的多条下导线；彼此平行的多条上导线，交叉下导线且跨越有源区；以及连接到有源区的数据存储元件。平行沟槽和交叉沟槽的每个是直线形。平行沟槽交叉上导线并与上导线形成第一锐角。交叉沟槽交叉平行沟槽并与平行沟槽形成第二锐角。
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公开(公告)号：CN103794605A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201310188874.X
申请日：2013-05-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L23/49838 , H01L27/0207 , H01L27/10814 , H01L27/10847 , H01L27/10876 , H01L27/10885 , H01L27/10891 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了具有限定有源区的线型沟道的半导体装置及其形成方法，其中该半导体装置包括：彼此平行的多个平行沟槽；彼此平行的多个交叉沟槽；由平行沟槽和交叉沟槽限定的多个有源区；跨过有源区的多条下导线；彼此平行的多条上导线，交叉下导线且跨越有源区；以及连接到有源区的数据存储元件。平行沟槽和交叉沟槽的每个是直线形。平行沟槽交叉上导线并与上导线形成第一锐角。交叉沟槽交叉平行沟槽并与平行沟槽形成第二锐角。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111092081A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201911004947.9
申请日：2019-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：半导体基板；第一杂质区和第二杂质区，在半导体基板中彼此间隔开；在半导体基板上的位线，该位线在第一方向上延伸；以及位线接触，将第一杂质区电连接到位线。位线接触包括：金属层，包括第一侧表面和第二侧表面；以及硅层，覆盖金属层的第一侧表面并且不覆盖金属层的第二侧表面。
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公开(公告)号：CN108538804A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810251036.5
申请日：2013-05-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L27/02 , H01L27/108
Abstract: 本发明公开了具有限定有源区的线型沟道的半导体装置及其形成方法，其中该半导体装置包括：彼此平行的多个平行沟槽；彼此平行的多个交叉沟槽；由平行沟槽和交叉沟槽限定的多个有源区；跨过有源区的多条下导线；彼此平行的多条上导线，交叉下导线且跨越有源区；以及连接到有源区的数据存储元件。平行沟槽和交叉沟槽的每个是直线形。平行沟槽交叉上导线并与上导线形成第一锐角。交叉沟槽交叉平行沟槽并与平行沟槽形成第二锐角。
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公开(公告)号：CN102074573B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201010541311.0
申请日：2010-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L27/092 , H01L21/762
CPC classification number: H01L21/823481 , H01L21/76229 , H01L21/823425
Abstract: 本发明公开了一种具有器件隔离结构的半导体器件。示例半导体器件包括：沟槽，形成在半导体基底中，以限定有源区；填充介电层，设置在沟槽中；氧化物层，设置在填充介电层和沟槽之间；氮化物层，设置在氧化物层和填充介电层之间；阻挡层，设置在氧化物层和氮化物层之间。
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公开(公告)号：CN102315218A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110183551.2
申请日：2011-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/78 , H01L29/41 , H01L23/528
CPC classification number: H01L27/088 , H01L23/535 , H01L27/0207 , H01L29/0649 , H01L29/0847 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/4933 , H01L29/7833
Abstract: 本发明提供四晶体管布局、集成电路场效应晶体管和半导体器件。四晶体管布局可以包括定义有源区的隔离区，该有源区沿不同的第一方向和第二方向延伸。四个晶体管的公共源区从有源区的中心沿第一方向和第二方向两者延伸以定义有源区的在公共源区之外的四个象限。提供四个漏区，各个漏区在所述四个象限的相应一个中且与公共源区间隔开。最后，提供四个栅电极，各个栅电极在四个象限的相应一个中在公共源区与四个漏区中的相应一个之间。各个栅电极包括顶点以及第一延伸部分和第二延伸部分，该第一延伸部分从该顶点沿第一方向延伸，该第二延伸部分从该顶点沿第二方向延伸。
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公开(公告)号：CN102074573A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010541311.0
申请日：2010-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L27/092 , H01L21/762
CPC classification number: H01L21/823481 , H01L21/76229 , H01L21/823425
Abstract: 本发明公开了一种具有器件隔离结构的半导体器件。示例半导体器件包括：沟槽，形成在半导体基底中，以限定有源区；填充介电层，设置在沟槽中；氧化物层，设置在填充介电层和沟槽之间；氮化物层，设置在氧化物层和填充介电层之间；阻挡层，设置在氧化物层和氮化物层之间。
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